瑞萨发布基于Gen 4+的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET,采用8×8 mm双面散热PQFN封装,现向AI数据中心OEM/ODM送样,量产计划于2027年中
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET,采用8×8 mm双面散热(DSC)PQFN封装,型号为TP65H020G4PLSGBD,目前已向AI数据中心OEM和ODM送样,量产计划于2027年中。据瑞萨称,Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进,实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容(CGS、CGD)和输出电容(Coss);Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode,与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热,当前支持20-mΩ器件,未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装,DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%,高度约1 mm(对比TOLT的2.35 mm,表格中为2.3 mm),热阻抗低9%至10%(0.36 °C/W对比0.4 °C/W),四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中,DSC全负载效率提升0.14%,相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率;测试未使用液冷,下一步将进行液冷测试。DSC 8×8(含650-V GaN)应用于初级侧,每个模块仅承受约400 V,两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器(IBC)。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况,瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件,作为其800-V电源解决方案的一部分。
- 相关厂商
- Renesas Electronics
- 料号
- TP65H020G4PLSGBD
- 影响评分
- 25 / 100,低影响