创业板指涨超1%，半导体芯片等方向涨幅居前，沪指涨0.06%、深成指涨0.63%
36氪报道，创业板指涨超1%，沪指涨0.06%，深成指涨0.63%。板块方面，机器人、消费电子、PCB、半导体芯片、医药生物等方向涨幅居前；沪深京三市上涨个股近3800只。半导体芯片为涨幅居前的方向之一，原文未说明上涨原因。
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36氪报道，创业板指涨超1%，沪指涨0.06%，深成指涨0.63%。板块方面，机器人、消费电子、PCB、半导体芯片、医药生物等方向涨幅居前；沪深京三市上涨个股近3800只。半导体芯片为涨幅居前的方向之一，原文未说明上涨原因。
据评论，三星电子在得克萨斯州泰勒厂的2nm量产能力已成为其缩小与台积电差距努力中的关键，特斯拉AI5芯片的交付时间表以及博通的潜在2nm订单仍悬而未决。该公司能否在这座美国工厂实现有竞争力的良率和稳定产出，将决定其能否把主要客户订单转化为更广泛的代工业务复苏。原文未说明原因，且文中所述为评论性判断，不构成已实现的良率或订单结果。
Hanmi Semiconductor已在美国硅谷设立一家美国子公司。原文说明其目的是抓住美国AI芯片生产扩张所带动的先进半导体封装设备需求增长。原文未给出具体时间、投资金额或产能细节。
村田制作所宣布开发出全球最小的008004英寸（0.25mm×0.125mm）NTC热敏电阻NCU01系列（该'全球最小'基于村田截至2026年10月19日的研究）。与村田此前最小的01005英寸（0.4mm×0.2mm）产品相比，新系列在实现等效温度感应性能的同时，将贴装面积减少约60%，电阻公差与B常数公差均为±1%。村田计划于2026年10月开始提供样品，并于2027年内启动量产；产品阵容将从100kΩ和10kΩ电阻值开始逐步扩充。主要应用包括智能手机、可穿戴设备电路板上的温度监测，以及IC封装和SiP模块。该开发声明属于计划性产品推进，样品与量产尚未实现。
10月19日，A股存储器板块走势分化：国产DRAM（内存）龙头长鑫科技股价收跌7.77%，创下其上市以来单日第二大跌幅；而大普微、德明利、佰维存储等行业细分龙头股价回升，扭转此前普遍跌势。同日，多家行业上市公司发布回购计划。业内人士表示，当前资金对存储龙头溢价提出更苛刻的要求，板块定价逻辑从价格普涨预期转向业绩验证。（来源：证券时报）
据报道，台积电转向GlobalFoundries采购硅中介层，以扩大先进封装产能，并支持未来客户产品时程。原文未给出具体扩产数量、时间表或原因细节，该项合作属于计划性质，文中未说明已实现或完成的产能变化。
据Wccftech在2026年OCP全球峰会上报道，英特尔正在扩展其硅光子学能力，原因是对AI和高性能计算（HPC）领域高带宽光互连的需求增长；英特尔宣称自己是唯一能够大规模向业界供应300mm磷化铟（InP）硅光子学的高产量代工厂，该技术旨在支持下一代近封装光学（NPO）和共封装光学（CPO）。原文指出，传统InP衬底通常限于150mm（6英寸）晶圆，3英寸和4英寸规格仍广泛使用，InP晶体脆性大、生长缓慢并存在缺陷控制挑战，限制每片晶圆的激光芯片产出并拖慢扩产；英特尔将基于InP的激光技术集成到其300mm硅光子学制造平台，旨在提高生产效率和可扩展性。TrendForce称，NVIDIA已开始向部分合作伙伴出货其Spectrum-X CPO交换机（与TSMC联合开发，采用COUPE技术），Broadcom继续有限出货其51.2 Tb/s Bailly CPO交换机，并在OCP 2026展示第三代Tomahawk 6-Davisson CPO交换机（102.4 Tb/s交换容量、每通道200 Gbps）；TSMC计划于2026年开始生产其COUPE-on-substrate方案，目标相比板级可插拔光学实现两倍能效和十倍延迟降低。据ijiwei，中际旭创已建立专用CPO产线并开始小批量生产800G CPO光模块，部分客户已下单，出货可能于2027年开始、2028年有望更广泛采用；2026年9月，华为发布了基于NPO的昇腾960超节点，用于大规模AI训练和推理。TrendForce指出，测试仍是CPO量产关键瓶颈：光对准时间已降至秒级或更短，但单个光子集成电路（PIC）的完整测试仍可能超过100秒，瓶颈转向测试速度和成本；TrendForce预计2027年是整合CPO测试系统的关键年份，2028年是评估大规模量产准备的关键时期。
SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
摩根大通2026年10月19日发布的韩国股票策略报告指出，韩国综合指数（KOSPI）上周5个交易日累计下跌超15%，为年内第三次触及该阈值，前两次分别发生在3月和7月。该行认为此轮急跌的关键变化是：自8月底以来充当市场最主要边际买家的企业回购正在退场，其中三星电子回购计划已完成，SK海力士回购接近尾声；本轮下跌最初伴随企业回购放缓启动，随后因全球AI情绪波动加速，并在KOSPI跌破200日均线后触发技术性抛售。当前市场呈"卖方主导、买方观望"格局：外资持续卖出AI相关股票，趋势跟随型投资者压缩对韩敞口，散户情绪脆弱构成潜在抛压，杠杆ETF在下跌日放大卖压，长线机构表示需等待波动率回落后才入场。剔除存储板块（剔除三星电子、SK海力士、SK Square、SK Inc及三星物产）后KOSPI前瞻市盈率仅8.4倍，处于历史第11百分位，14日RSI降至光复节以来最低；该板块剔除后EPS预估仍持续上修，工业、金融和医疗领先。摩根大通维持自9月中旬以来的战术谨慎立场至10月底，理由包括加息周期启动、长端利率偏上、日元走强、油价偏高及美国中期选举前季节性疲软；同时维持6至12个月结构性看多。近期催化剂包括存储公司三季报及股东回报方案更新（验证窗口2026年10月31日前）、VKOSPI回落等，完整验证窗口定于2026年11月15日；若外资净卖出扩散至非存储板块或剔除存储后EPS转为下修，看多立场需重新评估。
据西门子于2026年10月14日宣布，其与英伟达推进合作，将英伟达cuLitho库与西门子Calibre制造软件集成，旨在使复杂的光掩模优化在全芯片规模上切实可行。据西门子称，该集成可使全芯片光学校近校正（OPC）工作负载速度提升至多12倍；西门子另引用针对选定工作负载至少10倍至17倍的仿真加速。这些测量针对特定计算任务，并不等同于整个芯片制造流程的等效加速，也不保证对每个客户配置都有相同改进。开发动因是工程师设计的图形不会自动精确印到硅片上：在极小尺寸下，衍射等物理效应会扭曲投影图像，而计算光刻可预测这些效应并调整光掩模几何形状。西门子将转向高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）视为一大挑战。西门子还表示，加速可将漫长的周转时间从数周缩短至数天，并可能降低能耗和计算基础设施占用；其意义取决于在扩大有用优化规模的同时保持精度。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
高盛分析师Gabriela Borges和Maura Hager周一将CoreWeave评级从"中性"上调至"买入"，目标价106美元，较最新收盘价61.39美元约73%上行空间；此前该股自8月11日二季度财报发布后已累计下跌43%，过去五个交易日下挫24%，收于61.39美元。高盛给出的理由是市场过度担忧融资成本、低估算力收费潜力：CoreWeave主要融资工具是以GPU和客户合同为抵押的资产支持延迟提款定期贷款（DDTL），高盛估算当前加权平均债务成本约800至900个基点，新增融资选取1000个基点的保守基准；每兆瓦年度经常性收入目前约1000万美元，未来24个月内有望升至1300万美元，短期合同签约价格已达每兆瓦4000万美元，CoreWeave今年7月提价25%、10月再提价10%。高盛预计资本支出2028年趋于平稳、自由现金流2030年转正；其2028年收入预测高于市场均值11%、EBIT高于均值24%，并将2028年每股收益预测上调至3.36美元（此前为亏损1.15美元），同时将2026年每股收益预测下调至亏损3.80美元（此前为亏损3.64美元）。高盛同时提示供给追上需求后定价可能崩塌等风险，并披露其正担任CoreWeave一项待定承销业务的承销商、持股逾1%、过去12个月已获投行报酬。
据原文，2025年第二季度起，三星、SK海力士、美光和长鑫先后表态将逐步停接DDR4订单、直至全面停产（停产为表态/计划性质，尚非已完成的全面停产）；到年中，消费级DDR4合约价已出现单月涨幅超60%的行情。2025年11月DDR4单颗现货价约12美元，到今年10月冲至46.321美元，11个月涨286%。原文给出的原因是：最先进的晶圆产能被集中调往AI加速卡刚需的HBM和新一代DDR5，头部厂商超80%的先进产能压在这两类产品上；HBM在DRAM晶圆投片中的占比预计从2025年的个位数升至2026年的约22%、2027年约30%。DRAM合约价2026年一季度环比上涨93%至98%，二季度再涨58%至63%，摩根士丹利预测三、四季度还要分别涨50%和10%以上（预测）。长鑫2025年营收617.99亿元、同比增155.6%；今年上半年营收1503.10亿元、同比增873.64%，归母净利润776.05亿元（上年同期亏损23.32亿元）；前三季度业绩预告预计营收2650亿至2700亿元、归母净利润1310亿至1325亿元（上年同期亏损52.8亿元），二季度DRAM收入环比增99%主要来自移动端LPDDR4X/5X。产能方面，现有月产能机构口径不一，方向为2026年底超30万片、2028年前后接近50万片、长期规划指向60万片以上；上海新厂已启动设备招标，具备月产超10万片潜力。技术方面，长鑫科技总裁曹堪宇于10月10日公布首款4F²产品为服务器DDR5 RDIMM，预计年底前推出；4F²单元面积减约三分之一，同面积存储密度可提升30%至50%；三星已做出4F²工程芯片但量产目标在2028年前后，SK海力士预计更晚。
据公开报道，闻泰科技旗下安世中国通过与中国战略合作伙伴达成合作，已实现MOSFET、逻辑IC等产品在12英寸晶圆平台升级；在晶体管与保护器件方面，部分产品已成功实现12英寸晶圆工艺平台的研发和量产，为全球首家掌握该项核心技术与生产能力的企业，12英寸单片有效芯片产出较8英寸提升约2.2至2.4倍，车规器件交付周期由12至16周压缩至4至6周。文章并援引中国汽车工业协会数据称，传统燃油车单车所需芯片约600至700颗，电动车约1600颗，智能汽车提升至3000颗左右，新能源汽车功率半导体单车价值量约为传统燃油车的2至3倍；在功率半导体行业整体供需偏紧、价格上行的背景下，本土晶圆直供与东莞封测构成的供应链闭环使MOSFET、逻辑IC等产品的本土交付确定性显著增强。原文未说明原因。
TrendForce集邦咨询表示，2026年第四季DRAM原厂持续将先进制程投入生产Server（服务器）应用的高性能产品，整体维持供不应求格局，但合约价涨势放缓，预计Conventional DRAM（一般型DRAM）合约价将季增10%-15%；NAND Flash整体合约价格预计季增15%-20%。群智咨询指出，第三季度进入DRAM厂商与终端厂商博弈时期，AI算力端需求虽有支撑，但消费终端采购需求受到抑制，市场博弈加剧，整体价格涨幅将大幅收敛。10月16日，长鑫科技发布2026年前三季度业绩预告：预计收入2650亿元至2700亿元，同比增加2329.16亿元至2379.16亿元；归母净利润1310亿元至1325亿元，同比增加1362.8亿元至1377.8亿元。2026年上半年收入1503.1亿元（同比增长873.64%）、净利润776.05亿元，由此计算第三季度收入约1146.9亿至1196.9亿元（环比增长约15.25%至20.3%）、净利润约533.95亿至548.95亿元（环比增长约1%至3.9%），相比2026年第一季度、第二季度净利润环比增速246.09%、113.4%明显放缓；江波龙也预告DRAM和NAND Flash价格涨幅受前期较高价格基数影响明显收窄。同日，长鑫科技公告称，董事长朱一明提议公司使用自有或自筹资金以集中竞价交易方式回购公司A股股份，回购总额不低于10亿元、不超过20亿元。产能方面，长鑫科技在合肥运营两座12英寸DRAM晶圆厂、在北京运营一座12英寸晶圆厂，单座工厂月晶圆产能可达10万片，并持续建设合肥肥西测试基地新产线、新建上海DRAM及HBM产线；北京晶圆厂运营主体长鑫集电（北京）存储技术有限公司近日注册资本由约508.5亿增至约601.8亿，增幅约18%。2026年7月长鑫科技上市，募资净额663.1亿元投向技改升级项目（非新建产能）；2026年上半年固定资产账面价值1815.63亿元，占期末资产总额38.79%，计提折旧145.10亿元，同比增加27.85%。文章分析称，若DRAM价格涨幅继续放缓，公司产能扩充收益率和业绩增速可能承压。
英特尔首席执行官陈立武近日在接受《日经亚洲》采访时，被问及中国能否在未来5至10年内赶上美国的芯片能力，他回应称“现在我认为，差距并没有那么大”；他未说明所指的芯片类型、制造节点、良率或成本，也未给出量化指标，原文亦说明该表态不能解读为中国已在先进制程上追平美国。他表示美中企业各有优势与短板，并提到地缘政治限制带来的敏感问题，但未将其归结为某一项政策或技术突破。报道背景包括：ASML此前确认其EUV系统销售已受限制，荷兰政府对部分先进浸没式DUV设备实施出口许可制度；上海朗道科技展示了FlintNano LPP-OXXO低功率激光诱导等离子体EUV光源原型，公司公布的参数为驱动激光功率1000瓦、工作频率1至20千赫兹、转换效率超过2%、EUV输出功率超过15瓦、可连续运行100小时以上、国产化率约90%，但这些为企业公布指标，未经独立验证，朗道称商业化仍需数年。同场采访中陈立武称英特尔重组已完成约八成，重建有竞争力的晶圆代工业务还需要多年，并以台积电用了10至20年成为全球领先代工企业为例。
据行业消息人士10月19日消息，三星显示正在开发一款不使用精细金属掩膜版（FMM）的7英寸级OLED原型，并准备采用其自主的Micro Patterned OLED（MPO）技术制作工程样品（ES）。该项目自3月启动，并非针对特定客户，而是基于假设的客户需求按接近量产标准开发；初步目标为2026年底，若样品准备情况不足，开发可能延至2027年第一季度。MPO开发在2026年初之前实际处于搁置状态：2025年9月，三星显示在其忠清南道牙山A2产线安装了应用材料旗下AKT的5.5代四分之一尺寸垂直沉积设备以评估无FMM技术，但该技术据称与公司现有中小尺寸及大尺寸OLED面板开发路线图不符，商业化方向也不明确。在3月获得并分析了一块采用Visionox无FMM ViP技术的智能手表OLED面板后，开发获得动力——分析结果显示其器件特性与FMM技术相当，与此前认为ViP良率和器件性能明显较低的判断不同；行业消息人士称Visionox仍在努力确保足够良率，但三星显示内部认为良率提升是其强项并可实现大幅进步。MPO通过微观隔离结构和光刻形成RGB像素而不使用FMM，且据称在制造后移除隔离结构，与保留隔离结构的ViP和LG Display的FliPP不同；业界观察人士认为这些工艺顺序与最终结构差异或可避开涵盖Visionox ViP、LG Display FliPP及应用材料无FMM技术的专利。该工艺被认为尤其适合高分辨率OLED显示：更易实现更紧的像素间距、减少有机层损伤和精细工艺控制复杂度、降低材料消耗和制造步骤数，省去蚀刻步骤也有望简化制造并降低成本。消息人士称MPO的开发方向比中大型面板更适合高分辨率OLED显示，一旦7英寸级样品可用，即可评估MPO技术优势在实际产品尺寸上的实现程度。
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
SK hynix于10月19日宣布，将与商业银行共同出资2万亿韩元，支持韩国半导体材料、零部件和设备供应商。SK hynix CEO郭鲁正出席了在京畿道龙仁集群展示中心举行的出口供应链强化保证协议签署仪式，出席者还包括产业通商资源部长官金正宽、韩国贸易保险公社(K-SURE)、四大商业银行(KB国民银行、新韩银行、友利银行、韩亚银行)的代表以及主要供应商。协议旨在扩大国内供应商的借款额度、提供优惠利率并降低贷款相关保证费用；SK hynix和参与银行出资，K-SURE提供保证。入选供应商已收到首批保证证书，受益方名单未披露。据SK hynix称，供应商因缺乏在实际半导体制造环境中测试的机会，难以将新开发的技术和产品商业化。与会者还参观了龙仁半导体集群首座晶圆厂工地及Trinity Fab设施；Trinity Fab是由中央政府、地方当局和SK hynix在首座龙仁晶圆厂内联合开发的先进半导体设施，项目价值8700亿韩元，旨在强化国内材料、零部件和设备供应商的技术独立性并加速本地化。