Aixtron 2026年第三季度初步业绩显示订单量、营业利润(EBIT)及EBIT利润率显著超出当前市场预期
沉积设备制造商Aixtron SE（位于德国亚琛附近的Herzogenrath）表示，其2026年第三季度初步业绩显示，订单量、营业利润（EBIT）及EBIT利润率均显著超出当前市场预期。原文未说明原因。
- 相关厂商
- Aixtron SE
- 影响评分
- 55 / 100，中等影响
沉积设备制造商Aixtron SE（位于德国亚琛附近的Herzogenrath）表示，其2026年第三季度初步业绩显示，订单量、营业利润（EBIT）及EBIT利润率均显著超出当前市场预期。原文未说明原因。
长鑫科技于10月19日召开2026年第二次临时股东会，针对与会股东关心的产能落地与市场供需走势等问题回应称，公司目前在合肥、北京两地的晶圆厂持续保持高产能利用率运转，订单饱满，并称有能力通过多元化的产品矩阵和持续优化的成本结构，从容应对市场变化。原文未说明具体产能数字或订单量。
据西门子于2026年10月14日宣布，其与英伟达推进合作，将英伟达cuLitho库与西门子Calibre制造软件集成，旨在使复杂的光掩模优化在全芯片规模上切实可行。据西门子称，该集成可使全芯片光学校近校正（OPC）工作负载速度提升至多12倍；西门子另引用针对选定工作负载至少10倍至17倍的仿真加速。这些测量针对特定计算任务，并不等同于整个芯片制造流程的等效加速，也不保证对每个客户配置都有相同改进。开发动因是工程师设计的图形不会自动精确印到硅片上：在极小尺寸下，衍射等物理效应会扭曲投影图像，而计算光刻可预测这些效应并调整光掩模几何形状。西门子将转向高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）视为一大挑战。西门子还表示，加速可将漫长的周转时间从数周缩短至数天，并可能降低能耗和计算基础设施占用；其意义取决于在扩大有用优化规模的同时保持精度。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
高盛分析师Gabriela Borges和Maura Hager周一将CoreWeave评级从"中性"上调至"买入"，目标价106美元，较最新收盘价61.39美元约73%上行空间；此前该股自8月11日二季度财报发布后已累计下跌43%，过去五个交易日下挫24%，收于61.39美元。高盛给出的理由是市场过度担忧融资成本、低估算力收费潜力：CoreWeave主要融资工具是以GPU和客户合同为抵押的资产支持延迟提款定期贷款（DDTL），高盛估算当前加权平均债务成本约800至900个基点，新增融资选取1000个基点的保守基准；每兆瓦年度经常性收入目前约1000万美元，未来24个月内有望升至1300万美元，短期合同签约价格已达每兆瓦4000万美元，CoreWeave今年7月提价25%、10月再提价10%。高盛预计资本支出2028年趋于平稳、自由现金流2030年转正；其2028年收入预测高于市场均值11%、EBIT高于均值24%，并将2028年每股收益预测上调至3.36美元（此前为亏损1.15美元），同时将2026年每股收益预测下调至亏损3.80美元（此前为亏损3.64美元）。高盛同时提示供给追上需求后定价可能崩塌等风险，并披露其正担任CoreWeave一项待定承销业务的承销商、持股逾1%、过去12个月已获投行报酬。
费城半导体指数在上周下跌11.41%，连续8个交易日下跌，创2006年5月以来最长连跌纪录。费半跌的核心原因是油价影响了后面美联储的加息路径，这会影响估值；费城半导体指数具有高估值、高杠杆、高拥挤的特点。
据TrendForce与Counterpoint Research的最新研究，中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）计划在未来一年内新增超过10万片晶圆的月产能，使总月产能从目前约32万片提升至42万片以上；到2028年底，其月产能有望进一步跃升至60万片，较当前水平增长87.5%。长鑫存储还计划在2027年将DRAM产能提升31%，2028年进一步提升87.5%，扩张的重要推动力之一是北京新规划建设的生产设施，此前消息显示该项目正在寻求政府层面的支持以加快建设进程。在三星电子、SK海力士和美光等厂商将大量资源投入HBM的背景下，长鑫存储目前重点放在标准DRAM产品领域，新增产能预计主要流向面向消费电子的通用DRAM市场，以缓解PC、智能手机等设备制造商面临的供应紧张和采购成本上升。另有传闻称苹果正寻求采购长鑫存储的内存产品以满足中国市场相关设备需求，且在价格谈判中长鑫存储曾拒绝苹果的降价要求，给出与三星等国际厂商相当甚至更高的报价。上述扩产为计划内容，能否按计划完成尚不确定；分析人士指出若按计划完成扩产，长鑫存储或将在缓解消费电子存储供应压力方面发挥关键作用。
CoreWeave的无担保债券取代英伟达成为衡量AI交易的晴雨表。本周，其2032年到期债券收益率一度突破16%，五年期信用违约互换（CDS）利差飙升至1117基点，隐含五年违约概率约63%；高盛称CoreWeave已成为市场的贝塔晴雨表，信贷压力蔓延至整个数据中心生态系统。原文将核心原因归于新兴云计算公司对债务融资的高度依赖及资金缺口风险。权益市场受直接冲击：摩根士丹利AI科技受益股篮子（MSXXAIB）本周下挫16.5%，创2023年成立以来最大单周跌幅，同期标普500仅跌约2%；高盛新兴云计算股篮子（GSXUNEOC）单周重挫24.8%，自6月以来累计下跌44%。信用分化明显：AI相关高收益信用利差在10月13日至14日两日间扩大25个基点（非AI类仅2个基点）；Oracle长端债券利差扩大约43个基点至+320，其CDS扩大30至40个基点，并于上周六创下300个基点的历史新高；高收益数据中心项目融资债券样本均价从6月的101.5美分跌至10月的94.7美分；CCC级利差本周突破1000基点（摩根士丹利测算1045基点，高盛报1062基点）。融资面：今年美元投资级及高收益项目融资发行规模已突破1060亿美元，接近2025年370亿美元的三倍；CoreWeave资本支出规模达470亿美元，仍面临约350亿美元融资缺口。瑞银桌面交易员独立得出相同结论，市场焦点正从算力需求转向AI基础设施扩张的融资可持续性。
据原文，2025年第二季度起，三星、SK海力士、美光和长鑫先后表态将逐步停接DDR4订单、直至全面停产（停产为表态/计划性质，尚非已完成的全面停产）；到年中，消费级DDR4合约价已出现单月涨幅超60%的行情。2025年11月DDR4单颗现货价约12美元，到今年10月冲至46.321美元，11个月涨286%。原文给出的原因是：最先进的晶圆产能被集中调往AI加速卡刚需的HBM和新一代DDR5，头部厂商超80%的先进产能压在这两类产品上；HBM在DRAM晶圆投片中的占比预计从2025年的个位数升至2026年的约22%、2027年约30%。DRAM合约价2026年一季度环比上涨93%至98%，二季度再涨58%至63%，摩根士丹利预测三、四季度还要分别涨50%和10%以上（预测）。长鑫2025年营收617.99亿元、同比增155.6%；今年上半年营收1503.10亿元、同比增873.64%，归母净利润776.05亿元（上年同期亏损23.32亿元）；前三季度业绩预告预计营收2650亿至2700亿元、归母净利润1310亿至1325亿元（上年同期亏损52.8亿元），二季度DRAM收入环比增99%主要来自移动端LPDDR4X/5X。产能方面，现有月产能机构口径不一，方向为2026年底超30万片、2028年前后接近50万片、长期规划指向60万片以上；上海新厂已启动设备招标，具备月产超10万片潜力。技术方面，长鑫科技总裁曹堪宇于10月10日公布首款4F²产品为服务器DDR5 RDIMM，预计年底前推出；4F²单元面积减约三分之一，同面积存储密度可提升30%至50%；三星已做出4F²工程芯片但量产目标在2028年前后，SK海力士预计更晚。
摩根士丹利首席股票策略师Michael Wilson在最新客户报告中认为，美股持续数月的内部调整正接近尾声，投资者应准备增加风险敞口。其依据是：质量因子综合指数升至52周新高（自8月中旬以来累计上涨约6%），同期等权重标普500指数自8月14日高点以来累计下跌近4%；高质量与低质量股票盈利修正广度差距扩大至约10%，为2010年以来第二高水平；周期性板块（金融、工业、非必需消费品等）估值已大幅压缩。Wilson将周期转换起点追溯至2025年4月的"解放日"，并指出其在6月识别出低质量早周期领涨股（半导体、非必需消费品、金融）盈利修正广度的变化率见顶，叠加美联储新主席上任带来的更鹰派政策取向，确认中周期过渡到来。摩根士丹利经济学家预计美联储将在10月维持利率不变。盈利方面，Bloomberg Intelligence估算标普500成分股第三季度盈利预计同比增长约24.6%，摩根士丹利数据显示第三季度EPS预期同比增长27%，2026年和2027年EPS增速预期分别为33%和16%；Wilson估算2027年超大规模云计算商及新兴云服务商的AI资本开支总额将达1.58万亿美元，其中约65%将流入标普500公司，AI相关公司2027年盈利增速预计达25%，而非AI公司仅为4%。Wilson建议优先布局高质量股票，并点名资本品板块及摩根士丹利筛选出的"高质量+盈利修正向上"股票池（含信息技术领域的苹果、博通、美光等），该筛选条件为市值前1000、质量综合评分前四分位、近期NTM EPS上调且获摩根士丹利增持评级。
据 IT之家 10 月 19 日消息，荣耀 X80 Pro Max 手机现已在官网渠道调价，涨价 500 元，起售价从 1999 元变为 2499 元；官网目前提供 180 元优惠券，实际到手价约为 2319 元起。分配置新旧价格对比如下：8GB+128GB 现价 2499 元（原价 1999 元）；8GB+256GB 现价 2699 元（原价 2199 元）；8GB+512GB 现价 2999 元（原价 2499 元）；12GB+256GB 现价 3099 元；12GB+512GB 现价 3299 元（原价 2799 元）。该机搭载第五代骁龙 6 移动平台，内置 11000mAh 荣耀最大电池，支持 90W 有线快充及 27W 反向充电。原文未说明涨价原因。
海光信息2026年第三季度营收58.56亿元，同比增长45.46%；净利润10.48亿元，同比增长37.90%。公司将业绩增长归因于人工智能产业快速发展，以及国产化进程由政策驱动全面转向市场驱动，国内高端芯片需求持续攀升。海光信息于2026年10月20日发布三季报。
消息称三星 Galaxy S27 系列手机可能回归 1 月至 2 月的发布节奏（消息时间为 10 月 19 日），Pro/Ultra 机型有望升级至 LPDDR6 内存和 UFS 5 闪存；但由于内存市场行情升温超出三星预期，三星正在重新评估是否暂缓 Pro/Ultra 的内存与闪存升级。UFS 5 理论性能较 UFS 4.1 提升一倍，读取最高 10.8GB/s，写入最高 9.8GB/s，能效提升约 40%；LPDDR6 数据传输速率每引脚 10.6‑14.4Gbps，高于 LPDDR5X 的 8.5Gbps。
10月19日消息，消息人士@金猪升级包 稍早前曝光了AMD尚未推出的锐龙AI 7 HX 455处理器。从规格来看，该型号应该基于"Gorgon Point 1"芯片，保留了完整的16核心GPU，但CPU从完整的12核心24线程降至8核心16线程，此外配备24MB L3高速缓存。消息人士表示，锐龙AI 7 HX 455的兄弟型号是掌机端的锐龙Z2 Extreme，后者的CPU架构是"3x Zen 5, 5x Zen 5c"。该产品尚未正式推出，信息来自爆料，原文未说明原因及发布时间。
韩国爆料者Lanzuk近日称，三星Galaxy S27系列的主要硬件规划已接近敲定，发布时间可能落在明年1月、最迟不超过2月，但该消息未经三星确认，目前没有正式发布日期或发布会安排。作为对照，S24系列于1月中旬发布，S25系列于1月下旬亮相，S26系列延至今年2月下旬发布、3月开售。内存配置仍是规划中的变数：此前爆料称标准版S27和S27+可能继续使用LPDDR5X内存及UFS 4.x闪存，S27 Pro和S27 Ultra原计划升级至LPDDR6和UFS 5.0；最新说法称，随着内存成本高涨，三星也在考虑是否取消Pro和Ultra的升级以控制整机成本，若调整发生，高端机型最终配置和售价都可能受影响，目前两套方案都只是传闻。背景信息：LPDDR6标准已于2025年由JEDEC发布，数据速率为每引脚约10.6至14.4Gbps，高于LPDDR5X常见的8.5Gbps；三星今年公布的UFS 5.0方案标称顺序读取最高10.8GB/s、写入最高9.5GB/s，较UFS 4.1速度提升超过一倍、能效提高逾40%，并计划于今年第四季度开始量产，尚未确认哪些手机率先采用。另有传闻称S27 Ultra在高通下一代旗舰芯片前期测试中遇到发热问题，三星可能考虑重新采用Exynos 2700，但高通已否认相关芯片存在过热问题，处理器平台尚未定案。
10月19日，国务院新闻办公室举行新闻发布会介绍加快推进科技兴商有关情况。会上介绍，今年上半年我国人形机器人整机产品突破400款，产量超4万台，预计全年将突破10万台。工信部推动以人形机器人为代表的具身智能产业实现规模体量、创新能力、产业应用三个"加速"，并实施人形机器人与具身智能实景实训专项行动，推动相关产品在仓储物流、餐饮零售、家庭服务等300多个重点场景加快验证和部署。另据IDC报告，工业、物流等应用探索持续加速，头部厂商不断扩充生产能力，中国市场开始出现面向个人消费者的小型人形机器人。
快科技10月19日消息，微软13英寸Surface Laptop与12英寸Surface Pro近日在电商平台及官方商城开启预售，两款新品均换装高通骁龙X2 Plus平台，预售定金100元。骁龙X2 Plus采用第三代Qualcomm Oryon CPU与台积电3nm工艺，集成Hexagon NPU，AI算力达80 TOPS，显卡部分为高通Adreno；两款Surface均延续无风扇设计，微软公布的数据显示电池续航提升18%，图形速度提升超过60%，设备内AI性能提升95%。价格方面，12英寸Surface Pro电商渠道仅有16GB+512GB一个配置，售价8488元；13英寸Surface Laptop提供16GB+256GB（9788元）和16GB+512GB（10588元）两个配置；24GB+512GB大内存版本仅在微软官方商城自营销售，12英寸Surface Pro售价11588元、13英寸Surface Laptop售价12188元，与电商渠道同容量版本存在1300元至1600元价差。此外，产品页与规格表在处理器标注上存在并列口径：13英寸Surface Laptop规格表写的是骁龙X Plus（6核心），而12英寸Surface Pro才标注骁龙X2 Plus（6核心），官方未给出统一说明。
中国人民银行行长潘功胜在2026金融街论坛年会开幕式上发表演讲，宣布央行即将推动出台的一系列政策措施，文中内容均为拟议或计划状态：一是将会同金融监管总局、中国证监会设立应对非银机构大额赎回的流动性支持工具，该工具旨在建立债券市场稳定机制，构成宏观审慎管理新工具，拟在资管机构面临群体性流动性风险、债券市场出现赎回—抛售负向循环的特定情景时启用，操作须满足宏观审慎要求并提供高等级抵押品，适用机构包括银行理财子公司、公募基金管理人及对应的银行母行、证券母公司等，具体操作要素将在公开市场业务公告中明确；二是扩大常备借贷便利（SLF）适用机构范围，在现有面向城商行和农村金融机构、期限为隔夜、7天和1个月的基础上，纳入境内外资法人银行并明确全国性银行适用同样安排，实现境内存款类金融机构全覆盖；三是推动银行间与交易所债券市场互联互通落地，当前已具备落地条件，基础设施运营主体和市场参与者测试后即可开通；四是试点允许8家中资和外资人民币境外清算行在境内银行间外汇市场开展自营交易，并将根据试点情况进一步加大开放力度；五是会同科技部等10个部门出台金融支持北京（京津冀）、上海（长三角）、粤港澳大湾区国际科技创新中心的指导意见。利率改革方面，央行将退出存贷款基准利率——该基准自2015年10月以来长期未做调整，在存贷款定价中实际已不再发挥作用——用市场化利率指标替代相关计息依据；同时将研究择机把公开市场主要操作品种期限由7天切换为隔夜，使公开市场隔夜回购利率成为主要政策利率，目前银行间隔夜回购利率（DR001）实际上已成为央行货币政策调控的目标利率。此外还提及今年6月设立的境外央行回购工具拟纳入外资人民币清算行，以及数字人民币业务运营机构已从10家拓展至30家。
10 月 19 日消息，SK 海力士今日宣布与商业银行共同出资 2 万亿韩元（约合 99.86 亿元人民币），扶持韩国半导体材料、零部件和设备供应商，旨在提升韩国本土半导体产业。参与机构包括 KB 国民银行、新韩银行、友利银行和韩亚银行，以及多家主要半导体材料、零部件及设备供应商；SK 海力士和参与银行将共同提供资金，K-SURE（韩国贸易保险公社）负责提供担保。此外，该项目部分资金将用于建设 Trinity Fab，以支持与半导体大规模量产相关的技术研发，该项目投资额为 8,700 亿韩元（约合 43.44 亿元人民币），目标是增强韩国本土材料、零部件及设备供应商的技术自主能力，并加快相关技术和产品的国产化进程。
据市场消息，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技为其生产NVHBM（英伟达的定制HBM技术，HBM即高带宽内存），其中基底裸片（BaseDie）采用台积电3nm制程，核心裸片（CoreDie）则采用第六代DRAM（动态随机存取存储器）技术，消息称三星电子已决定接受英伟达的技术要求。该消息的真实性尚属传闻层面：10月19日，三星电子回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。原文未说明原因。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |