三星2024年量产钼字线，美光2025年跟进，SK海力士2026年底推出375层产品，预计2027年钼沉积设备市场超10亿美元。因钨在300层以上堆叠中触及物理极限，钼成为3D NAND制造必选项。
前道设备商，如Lam Research和TEL。
imec、ASML与TSMC在300mm晶圆上成功集成互补2D晶体管，实现50nm节距。该成果利用EUV光刻技术打印28nm栅极，94%器件正常工作，是2D材料集成的重要里程碑。
该技术突破属于长期研发进展，对当前现货市场供需及价格无直接影响。
亚利桑那州立大学与佐治亚理工学院研究人员分析了单晶集成IWO eDRAM的Rowhammer漏洞。IWO eDRAM是面向M3D集成的下一代内存技术。
该研究为下一代eDRAM的可靠性评估提供了重要技术参考。
伯明翰大学研究人员开发出室温振动法，将2D材料生产速率提升10倍。该方法利用水与单宁酸替代有毒溶剂，旨在解决石墨烯等材料制造瓶颈。
目前为实验室阶段，长期有望改善供应链可持续性，但短期对现货价格无直接影响。
中国国防科技大学与中科院金属所团队利用液态金/钨双金属薄膜CVD法，实现了亚毫米级单层WSi₂N₄薄膜的晶圆级生长，生长速率较文献提升约1000倍。针对后摩尔时代传统硅基芯片面临的短沟道效应与功耗墙挑战，该技术有望解决现有2D材料中高性能p型材料稀缺的瓶颈。
该技术为下一代芯片材料提供了关键支持，但需长期产业化验证。
CEA-Leti与弗劳恩霍夫IPMS在FAMES试验线内首次完成铁电存储器晶圆交换，验证了污染控制协议。此举旨在建立欧洲共享的先进嵌入式非易失性存储器材料测试平台。
此为长期研发里程碑，对当前元器件供应、价格及交易决策无直接影响。
英特尔18A工艺代号为Panther Lake的芯片采用全HP单元，逻辑最小间距76nm。文章详细分析了GAA间距、Power Via技术限制以及MEOL/BEOL金属层使用钨而非钼的情况。
目前良率仍在爬坡，全HP单元设计对制造工艺提出挑战，短期内对现货价格无直接影响。
比利时研究机构imec在IEDM 2025上展示了基于单层WSe2的p型FET，实现了690µA/µm的创纪录驱动电流，并改进了源漏接触和栅极集成等制造兼容模块。该成果旨在探索二维材料以延续逻辑工艺路线图，属于长期技术研发。
此为远期技术里程碑，对当前半导体元件供应、价格及交易决策无直接影响。
已经到底了
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |