NuAxi半导体贸易情报
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佐治亚理工分析IWO eDRAM漏洞
亚利桑那州立大学与佐治亚理工学院研究人员分析了单晶集成IWO eDRAM的Rowhammer漏洞。IWO eDRAM是面向M3D集成的下一代内存技术。关注：该研究为下一代eDRAM的可靠性评估提供了重要技术参考。
IWO eDRAMMonolithic 3D eDRAM
R&DeDRAMMonolithic 3DVulnerabilityIWO
来源：Semiconductor Engineering · 2026/6/5 · 查看原始来源
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