Ainekko宣布CORE-ET加入OpenHW开源项目
Ainekko宣布其CORE-ET硅平台（ETSP）加入OpenHW基金会开源项目。该平台基于64位RISC-V架构和MRAM内存，专为边缘AI推理设计。此举旨在推动开源AI硬件生态发展，对短期现货价格无直接影响。
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Ainekko宣布其CORE-ET硅平台（ETSP）加入OpenHW基金会开源项目。该平台基于64位RISC-V架构和MRAM内存，专为边缘AI推理设计。此举旨在推动开源AI硬件生态发展，对短期现货价格无直接影响。
大阪大学实现了磁气トンネル接合(MTJ)制造过程在1.7秒内完成。该技术突破旨在提升MRAM的制造效率。
长期技术趋势，无即时供应冲击。
台积电公布A14、A13及2nm家族路线图，A14预计2028年量产。Mii强调通过纳米片技术及NanoFlex Pro提升性能与能效。
技术路线图更新，暂无短期供需影响。
研究团队在反铁磁材料中实现超过1000%的隧穿磁阻效应，为MRAM核心性能指标。该技术突破指向未来超高速、高密度磁性随机存储器的开发路径。
/利多/关注: 中性，此为远期研发里程碑，对当前存储器供应链、现货价格及采购决策无直接影响。
SNIA成立MRAM联盟SIG，旨在联合晶圆厂、芯片制造商和系统公司，加速MRAM在汽车、边缘AI等领域的应用。该举措标志着行业焦点从技术开发转向生态系统协同与标准制定。
此为长期技术推广与标准活动，对现有内存组件的短期供需及价格无直接影响。
SNIA成立MRAM联盟特别兴趣小组，旨在联合代工厂、芯片制造商及系统公司推动生态协作。此举标志着MRAM技术焦点从研发转向规模化应用。
此为长期行业协作框架，对当前MRAM组件价格及供应无直接影响。
CEA-Leti与弗劳恩霍夫IPMS在FAMES试验线内首次完成铁电存储器晶圆交换，验证了污染控制协议。此举旨在建立欧洲共享的先进嵌入式非易失性存储器材料测试平台。
此为长期研发里程碑，对当前元器件供应、价格及交易决策无直接影响。
三星电子与SK海力士正推进PIM、CXL、MRAM及ReRAM等下一代内存技术研发，以解决AI数据瓶颈。此为技术趋势报告，未涉及具体产能、良率或价格变动。
相关技术处于研发阶段，对当前现货市场供需及价格无直接影响。
IEDM 2025论文展示了针对汽车应用的8nm 128Mb嵌入式STT-MRAM开发，实现了低于ppm级别的可靠性。该技术攻克了在-40°C至150°C宽温域下，因工艺微缩导致的短路缺陷和读取裕度退化等挑战。
此为远期研发里程碑，对当前现货交易、供需及价格无直接影响。
已经到底了
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |