反铁磁材料TMR效应突破1000%，MRAM研发获进展

研究团队在反铁磁材料中实现超过1000%的隧穿磁阻效应，为MRAM核心性能指标。该技术突破指向未来超高速、高密度磁性随机存储器的开发路径。利空/利多/关注: 中性，此为远期研发里程碑，对当前存储器供应链、现货价格及采购决策无直接影响。

来源：EE Times Japan · 2026/4/21 · 查看原始来源