8nm汽车级eMRAM研发实现低于ppm级可靠性

IEDM 2025论文展示了针对汽车应用的8nm 128Mb嵌入式STT-MRAM开发，实现了低于ppm级别的可靠性。该技术攻克了在-40°C至150°C宽温域下，因工艺微缩导致的短路缺陷和读取裕度退化等挑战。中性：此为远期研发里程碑，对当前现货交易、供需及价格无直接影响。

来源：SemiWiki · 2026/3/1 · 查看原始来源