SK海力士推进176层3D NAND量产
SK海力士开发CTI技术,将176层3D NAND干扰减少30%,保持力提升45%,单元尺寸缩小10%。为解决高堆叠3D NAND垂直干扰问题,公司转向缩小单元尺寸以增加容量。
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技术突破为AI内存扩展铺平了道路,但尚未对现货价格产生直接影响。
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