ASML坚持LPP路线，EUV光源功率目标1000W
ASML坚持使用激光产生等离子体(LPP)技术，计划将EUV光源功率提升至1000W。尽管马斯克支持的FEL技术被看好，但ASML认为现有激光技术已足够。
利多
EUV光刻机长期产能规划，短期现货价格影响中性。
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ASML坚持使用激光产生等离子体(LPP)技术，计划将EUV光源功率提升至1000W。尽管马斯克支持的FEL技术被看好，但ASML认为现有激光技术已足够。
EUV光刻机长期产能规划，短期现货价格影响中性。
Intel与ASML宣布High NA EUV光刻机量产100万片晶圆，主要应用于Intel 18A工艺。剩余35万片由台积电、三星等用于测试，双方正合作开发6x12英寸光罩以解决视场减半问题。
High NA EUV产能扩张及未来AI芯片制造的技术突破。
DNP参与投资日本芯片制造商Rapidus，旨在为2027年量产的2nm芯片建立高良率、短交期的EUV光罩早期生产体系。此举是日本重振先进半导体制造长期战略的一部分。
/利多/关注: 中性。此为远期研发里程碑，对2027年前现货市场供需及价格无直接影响。
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