台积电攻克0.42纳米氧化铝界面技术
台积电与阳明交大团队开发出0.42纳米氧化铝界面,用于单层二硫化钼晶体管。该技术解决了二维半导体栅极介电层成核难题,实现了强电场控制与低漏电。
该技术属于基础研发突破,目前对现货价格及供需无直接影响。
- 相关厂商
- TSMC、National Yang Ming Chiao Tung University
- 影响评分
- 10 / 100,低影响
台积电与阳明交大团队开发出0.42纳米氧化铝界面,用于单层二硫化钼晶体管。该技术解决了二维半导体栅极介电层成核难题,实现了强电场控制与低漏电。
该技术属于基础研发突破,目前对现货价格及供需无直接影响。
Silai半导体已完成第三批12英寸SiC激光剥离量产系统的交付,批量交付周期为28天。该技术旨在将单片加工成本降低50%,并将晶圆产出提升30%。
此为背景技术进展,对SiC晶圆长期供应、成本及潜在下游元件价格有积极但间接且非即时的影响。
日本OXIDE公司与芬兰Vexlum公司达成战略合作,共同开发用于量子计算和半导体制造的高功率深紫外激光系统。该合作旨在解决行业扩展中的技术瓶颈。
此为长期研发合作,对当前电子元件供应链、价格及采购决策无直接影响。
Photon Bridge推进异构光子学平台以减少光纤数量并提升能效,Space Forge研究轨道商业生产半导体晶种晶体。
/中性:属于技术趋势与研发里程碑,对现货价格及供应无直接冲击。
Nitride Global与USLLC获得NASA SBIR资助,研发太空制造氮化铝单晶的反应器。该项目旨在验证太空制造关键半导体材料的可行性。
此为长期研发里程碑,对当前地面半导体供应链、库存及价格无直接影响。
Space Forge与United Semiconductors签署谅解备忘录,合作开发太空制造材料的供应链。该合作旨在利用微重力环境生产更高质量的III-V族半导体晶体。
此为长期研发项目,对当前半导体供应、价格及交易决策无直接影响。
Crystal IS(Asahi Kasei子公司)量产首颗4英寸AlN衬底。此举展示了其生长AlN单晶的工艺可扩展性。
该事件为技术里程碑,暂无明确的供需影响。
CVD Equipment公司获得九台用于生产碳化硅晶体的物理气相传输系统订单。该订单表明客户正在为未来的SiC衬底产能进行投资。
此为远期产能的资本设备订单,对当前元器件供应、价格及库存无直接影响。
已经到底了
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |