意法半导体与CEA-Leti展示3D射频前端集成技术
CEA-Leti与意法半导体在IEDM 2025展示了用于射频前端的3D顺序集成技术。该研究旨在单芯片上集成锗硅异质结晶体管、射频SOI开关与高质量无源器件,以提升下一代通信系统性能。
中性
此为远期研发进展,对当前元件供应、价格及产能无直接影响。
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- STMicroelectronics
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CEA-Leti与意法半导体在IEDM 2025展示了用于射频前端的3D顺序集成技术。该研究旨在单芯片上集成锗硅异质结晶体管、射频SOI开关与高质量无源器件,以提升下一代通信系统性能。
此为远期研发进展,对当前元件供应、价格及产能无直接影响。
比利时研究机构imec在IEDM 2022上首次推出用于预测GaN HEMT和InP HBT器件3D热传输的蒙特卡洛建模框架。该技术旨在优化面向5G/6G通信的射频器件设计,属于长期研发进展。
此为纯技术研究突破,对当前相关电子元件的供应、库存及现货价格无直接影响。
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