NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：8/100
imec发布GaN与InP射频器件3D热建模新框架
比利时研究机构imec在IEDM 2022上首次推出用于预测GaN HEMT和InP HBT器件3D热传输的蒙特卡洛建模框架。该技术旨在优化面向5G/6G通信的射频器件设计，属于长期研发进展。中性：此为纯技术研究突破，对当前相关电子元件的供应、库存及现货价格无直接影响。
GaN HEMTInP HBT
R&D5G6Gmodeling
来源：Semiconductor Today · 2022/12/6 · 查看原始来源
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