毫米波频段向30GHz以上迁移
行业正向30GHz以上的毫米波频段及波导技术转移以克服信号损耗。传统互连技术在高频下失效,工程师需重新设计信号路径。
关注
GaN 与 GaAs 在射频领域的替代趋势。
- 相关厂商
- Filtronic
- 影响评分
- 10 / 100,低影响
行业正向30GHz以上的毫米波频段及波导技术转移以克服信号损耗。传统互连技术在高频下失效,工程师需重新设计信号路径。
GaN 与 GaAs 在射频领域的替代趋势。
Altman支持的初创公司Volantis计划利用光子中介层将AI加速器内存带宽提升至240 TB/s,容量达10 TB。该技术通过光波导替代电气互连,突破传统GPU受限于芯片边缘的容量瓶颈。
技术概念,短期无供需影响。
LayTec AG向美国Sandia国家实验室交付定制版EpiX映射站。该设备结合白光反射与光致发光技术,用于非接触式晶圆光学表征。
LayTec短期订单,但对半导体设备大盘无实质供需影响。
NEC公司开发出用于5G基站射频单元的高效紧凑型sub-6GHz功率放大器模块。此举旨在提升5G基站设备的性能并缩小其尺寸。
此为技术研发进展,对现有组件供应链、需求及价格无直接影响。
英飞凌宣布其GS-065-060-5-B-A氮化镓功率晶体管将用于Worksport便携式电站的转换器,以提升能效和功率密度。英飞凌还将为Worksport提供电路与布局优化支持,以进一步减小尺寸。
此为特定客户的设计导入案例,面向小众应用,未对氮化镓元件的整体供需或交易价格产生可预见的影响。
比利时研究机构Imec在IEDM 2023上展示了基于200mm硅衬底的AlN/GaN MISHEMT,在28GHz下实现高输出功率与能效。该技术旨在为5G-Advanced基站和移动设备应用提供更具成本效益的GaN解决方案。
此为远期研发进展,对当前GaN射频元件供应链、库存及价格无直接影响。
已经到底了