锡基钙钛矿LED寿命突破900小时
厦门大学与复旦大学团队在《科学》发表论文，制备出EQE超20%、T50寿命超900小时的锡基钙钛矿LED。该研究通过晶格掺杂与表面钝化解决了二价锡离子氧化导致的稳定性难题。
中性
技术突破，但尚未量产，对现货市场无直接影响。
- 相关厂商
- Xiamen University、Fudan University
- 影响评分
- 10 / 100，低影响
厦门大学与复旦大学团队在《科学》发表论文，制备出EQE超20%、T50寿命超900小时的锡基钙钛矿LED。该研究通过晶格掺杂与表面钝化解决了二价锡离子氧化导致的稳定性难题。
技术突破，但尚未量产，对现货市场无直接影响。
北京大学团队开发出首个全碳纳米管CFET数字逻辑电路，峰值电压增益达164。该成果采用无掺杂CMOS技术解决了驱动能力失配问题，展示了高稳定性与低功耗特性。
标志着碳纳米管作为后硅时代通道材料的重大技术进展，但短期内无商业量产影响。
三星成功研发出900层3D NAND芯片，通过堆叠两个450层串组成。尽管竞争对手目前处于192至321层水平，三星计划今年量产400层技术。
这一技术突破将迫使竞争对手加速追赶，并预示未来存储成本下降和产能提升。
韩华半导体正在开发W2W混合键合设备以支持前端及先进封装工艺。该设备旨在服务逻辑芯片市场，并计划对标行业龙头EV Group的精度水平。此举标志着韩华在先进封装领域的技术布局，需关注后续量产时间表对供应链格局的影响。
三星支持的垂直Die研发项目目标HBM I/O密度提升10倍及带宽增长4倍。该项目由KAIST教授主导，通过直立芯片架构突破TSV限制，论文将于2026年6月IEEE会议发表。
影响，属于长期技术趋势，无即时供需变化。
JEDEC成员正讨论将下一代HBM封装厚度标准放宽至825-900μm，高于当前HBM4的775μm标准。此举源于20层堆叠的减薄技术挑战以及TSMC SoIC封装带来的厚度增加。
此为远期技术规格讨论，对当前元件供应、价格及生产无直接影响。
PyroGenesis宣布其等离子火炬技术在主要电池回收商处完成初步测试，确认了其在材料回收工艺中的可行性。客户目标是在2026年第二季度前完成后续测试，并可能采购1MW或5MW等离子系统。
此为不具约束力的研发里程碑，对电子元件供应链、需求及价格无直接影响。
据KnowMade报告，2024年第四季度碳化硅专利活动强劲增长，新增专利族超900个，新授权专利达400个。这反映了主要厂商在宽禁带半导体领域持续的高研发投入和竞争。
专利数据属于长期技术风向标，对碳化硅元件的短期交易价格无直接影响。
已经到底了
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |