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三星研发900层3D NAND技术

三星成功研发出900层3D NAND芯片,通过堆叠两个450层串组成。尽管竞争对手目前处于192至321层水平,三星计划今年量产400层技术。利空: 这一技术突破将迫使竞争对手加速追赶,并预示未来存储成本下降和产能提升。

NAND Flash
3D NANDSamsungR&D

2026/5/28

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