金泽大学实现钻石蚀刻原子层控制
金泽大学宣布实现钻石蚀刻深度的原子层级控制。该研究聚焦于精密材料加工技术。
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属于长期技术储备，对当前现货市场无直接影响。
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金泽大学宣布实现钻石蚀刻深度的原子层级控制。该研究聚焦于精密材料加工技术。
属于长期技术储备，对当前现货市场无直接影响。
ChipAgents利用AI代理缩短时序收敛反馈循环，提升工程效率。该方案不替代合成与STA工具，而是通过快速反馈优化现有设计流程。
EDA工具链智能化趋势，短期对现货价格无直接影响。
AMD在Linux驱动中添加GDDR7支持，为RDNA 5显卡做准备。GDDR7速度可达36-48 Gb/s，远超当前GDDR6的20 Gb/s，旨在提升带宽和能效。
GDDR7长期需求，但当前现货市场影响中性，需关注后续产能规划。
中科大与Origin Quantum团队在“悟空”超导量子计算机上实现QRAM相干量子路由系统，单路由器传输效率达98%。该技术利用超导量子比特辅助能级，将复杂控制操作转化为浅层深度电路，显著降低电路深度和错误率。
技术突破有助于量子计算架构扩展，但短期内对现有半导体现货价格及供需无直接冲击。
北京大学研究人员发布BEOL互连堆栈热导率建模框架。先进节点需结构感知建模。
无现货价格影响。
乔治亚理工研究显示，采用铁电调谐技术可解决LLM训练中光互连的调谐停滞问题，实现2.7倍加速。该研究针对混合专家模型训练中的通信瓶颈进行了跨层分析，提出基于铁电材料的缓解方案。
关注：此技术突破有望缓解算力基础设施瓶颈，长期利好铁电材料及先进光互连产业链。
HBM4将接口翻倍至2048，带宽目标2.8TB/s。文章对比HBM与DDR5，指出AI算力受限于内存墙，HBM通过堆叠提升性能。
HBM技术迭代加速，但制造成本和散热挑战增加。
Siemens EDA在DAC 2026更新Questa One，引入AI驱动的验证和更快的引擎。该工具旨在提高SoC和3D IC设计的生产力，并集成Tessent DFT以缩短仿真时间。
（中性）：该更新提高了设计效率，但尚未改变芯片的现货价格或供应基本面。
台积电与阳明交大团队开发出0.42纳米氧化铝界面，用于单层二硫化钼晶体管。该技术解决了二维半导体栅极介电层成核难题，实现了强电场控制与低漏电。
该技术属于基础研发突破，目前对现货价格及供需无直接影响。
Defacto在SoC Compiler平台引入AI层，支持自动生成连接与版本对比。该功能已运行一年，旨在提升设计团队效率。
属于技术趋势，短期对供需及价格无直接影响。
英伟达扩展Agent工具包，新增PhysicsNeMo物理AI层与CUDA-X数值计算库。该工具旨在构建自主工程系统，连接推理模型与物理仿真及EDA工具。
关注EDA软件与AI算力需求趋势。
iQ Sense开发出基于光子集成电路的动物健康连续体内生化监测平台。该技术通过异构集成、无电池设计和AI实现，旨在将实验室分析能力缩小至毫米级芯片。
该技术利用成熟技术趋势，但尚未对现有供应链产生直接价格影响。
Blaize推出Graph Streaming Processor (GSP)架构，旨在减少AI推理中的数据移动。该公司主张通过混合AI策略，利用硬件调度器优化数据流，而非单纯堆砌算力。
目前仅处于技术概念阶段，对短期现货价格无直接影响，属于AI芯片架构创新趋势。
NVM Express联盟更新11项NVMe规范，新增PCIe导出NVM子系统迁移功能。该功能旨在简化虚拟机迁移并支持后量子密码学，提升存储虚拟化能力。
技术规范升级利好NVMe SSD产业链长期发展，但短期无供需影响。
TSMC面板级封装CoPoS与Intel EMIB技术对比，前者旨在提升AI加速器面积利用率，后者通过局部硅桥降低互连成本。CoPoS可支持更大尺寸的AI加速器，但电气性能与良率数据尚不明确；EMIB已量产多年。
两者在电气性能与制造工艺上存在不同权衡，影响未来高带宽内存封装方案选择。
BEOL集成磁技术通过在CMOS晶圆上沉积磁薄膜和导电绕组，将无源元件嵌入半导体制造工艺。该技术利用标准金属互连步骤和低温沉积工艺，制造平面螺旋或环形微型电感器，减少寄生电阻和电感。
第3部分详解CXL内存扩展器验证流程，涵盖系统RAM与设备DAX集成模式及调试工具使用。文章回顾了引导路径以区分传输缺陷与配置错误。
CXL内存扩展器技术验证进展。
SK海力士通过美国子公司招聘3D堆叠DRAM-on-Logic工程师，并与客户合作开发。该技术旨在解决移动AI的高带宽与低功耗瓶颈，SK海力士正与台积电推进HBM4及下一代架构研发。
（技术路线图更新，短期供需无直接影响）。
SK海力士开发CTI技术，将176层3D NAND干扰减少30%，保持力提升45%，单元尺寸缩小10%。为解决高堆叠3D NAND垂直干扰问题，公司转向缩小单元尺寸以增加容量。
技术突破为AI内存扩展铺平了道路，但尚未对现货价格产生直接影响。
SK海力士通过CTI创新技术推动176层3D NAND加速量产。该技术基于IEDM展示的先进架构，旨在提升存储密度。
该技术后续良率表现及量产时间表。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |