GF发布7nm级FDX Fusion节点，密度翻倍
GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点，密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域，计划于2028年在德累斯顿量产。
利空
FD-SOI相关芯片供应预期，长期产能扩张可能引发价格承压。
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GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点，密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域，计划于2028年在德累斯顿量产。
FD-SOI相关芯片供应预期，长期产能扩张可能引发价格承压。
ST推出L4983 PFC控制器，针对kW级电源设计，评估板峰值效率达97.4%。该芯片集成多种保护与待机模式，旨在提升工业及服务器电源能效。
新产品发布，对当前现货价格及供应链无直接影响。
NVIDIA据称将RTX 5070的芯片从GB205切换至更大的GB203。GB203面积达378mm²，需禁用43%核心以匹配12GB GDDR7规格。
此举旨在良率管理，预计性能与价格均无变化。
三星发布全球首款LPDDR5X-PIM内存，AI推理速度提升3.01倍。作为HBM的廉价替代方案，该技术旨在解决AI芯片成本高昂问题。
LPDDR5X市场需求，潜在利空HBM份额。
EPC宣布EPC2370 GaN FET量产，单价2.52美元。该器件专为AI服务器800V/6V架构设计，替代25V MOSFET。
满足AI算力高密度电源需求，现货供应增加。
Aratas America LLC推出G3VH高压SiC MOSFET继电器，支持1800V和3300V负载电压。该继电器利用SiC技术实现高电压耐受能力和低导通电阻，适用于半导体测试设备等场景。
信号。
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET，阻断电压超8kV，导通电阻90mΩ，目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产，并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸，但量产时间较晚，对当前供需无直接影响。
Power Integrations宣布其PowiGaN技术电压等级提升至2200V，预计2028年底量产。该技术打破了此前1700V的电压上限，将应用于数据中心和电动汽车等高功率场景。
高压GaN市场前景明确，将推动相关产品未来价格上涨。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关，采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进，将影响未来的功率密度和供应链规划。
英伟达与博通开始CPO交换机出货，但光引擎良率与硅光产能承压。
硅光与光引擎板块，短期供应紧张风险上升。
Rambus推出集成TDM的PCIe 7 Switch IP以解决下一代AI网络SoC的通信挑战。该产品将数据速率提升至128GT/s，旨在满足AI基础设施日益增长的带宽需求。
该技术里程碑对AI互联芯片未来需求的潜在拉动。
UMC与SILITH宣布完成首批硅光子IC晶圆量产交付。该合作结合了SILITH的1.6T平台与UMC的12英寸产线，服务于AI数据中心光互连。
产能扩张与量产准备就绪，暂无供需缺口信号。
EIZO推出基于NVIDIA RTX PRO Blackwell架构的Condor XR2S 6U VPX系列，单卡集成双GPU。该系列支持PCIe Gen 5及GDDR7内存，专为边缘计算和AI推理设计。
新卡发布验证了Blackwell嵌入式GPU的市场需求，利好相关芯片供应。
Panmnesia提供PCIe 6.4-CXL 3.2融合芯片样品，支持端口路由。该芯片通过共享缓冲层和端口路由技术，解决早期CXL延迟问题，支持64节点扩展。
CXL交换机技术发展，但短期对现货价格无直接影响。
Marvell于Q2开始送样3nm工艺的Teralynx T100交换芯片，带宽达102.4Tbps。该芯片专为AI工作负载设计，支持512端口高基数架构及ESUN和UEC协议，旨在降低延迟并提升集群效率。
AI网络交换机需求，验证了高端算力基础设施的持续扩容趋势。
宏碁在Computex 2026发布Helios 18 AI游戏本，搭载RTX 5090显卡及Core Ultra 9处理器。该设备采用Arrow Lake Refresh架构及Mini LED屏幕，确认了对高端GPU和LPDDR5X的需求。
高端GPU及LPDDR5X需求确认，支撑相关芯片价格。
Qorvo宣布推出用于国防和航空航天应用的SOI射频开关及数字步进衰减器，旨在简化设计并降低BOM复杂度。该产品组合通过消除负电压轨需求，实现了比传统GaAs方案更优的性能。
此举有望提升Qorvo未来营收并抢占传统射频控制市场份额。
英飞凌推出业界首款基于CoolSiC Gen2技术的750V碳化硅双向开关，目前已开始提供样品。该器件采用双裸片共漏极架构，主要面向车载充电器及AI数据中心高压电源等应用。
该产品尚处样品阶段，对当前SiC功率器件现货市场的供需与价格暂无直接影响。
英伟达宣布基于光电一体封装(CPO)技术的Spectrum-X硅光交换机全面量产。该技术能效提升5倍，由台积电、SPIL、TFC和Foxconn协同完成芯片制造、封装与系统组装。
CPO量产将重塑数据中心光互连供应链，传统光模块需求面临长期替代风险，利好先进封装及硅光代工产能。
英飞凌推出IGK048B041S和IGK120B041S两款CoolGaN BDS开关，PCB面积减82%。新器件针对便携式电源系统，具备更低导通电阻和漏电流。
推动英飞凌GaN产品线扩展及300mm晶圆制造产能落地。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |