东芝推出3300V/800A SiC模块
东芝推出IX800FXF2YMS4 3300V/800A SiC MOSFET模块,采用第三代技术及银烧结工艺。该产品主要面向轨道交通、UPS等高功率应用场景。
新产品发布,暂无供需或价格变动信号。
- 相关厂商
- Toshiba Electronics Europe
- 料号
- IX800FXF2YMS4
- 影响评分
- 25 / 100,低影响
东芝推出IX800FXF2YMS4 3300V/800A SiC MOSFET模块,采用第三代技术及银烧结工艺。该产品主要面向轨道交通、UPS等高功率应用场景。
新产品发布,暂无供需或价格变动信号。
微芯与Navitas推出800V DC至6V DC参考设计,采用GaNFast FETs与dsPIC33AK DSC。该设计旨在提升AI数据中心功率密度与效率,符合OCP 800V标准。
Renesas推出8x8mm双面散热650V氮化镓器件,瞄准800V AI数据中心。该封装设计旨在提升高压数据中心转换器的功率密度。
此举有助于解决AI服务器高功率转换器的散热瓶颈。
TDK推出B3272*A/G/T系列DC-link薄膜电容,最高工作温度达+135°C且无需降额。该产品专为高功率密度、高环境温度的电动汽车牵引逆变器及工业驱动器设计。
新产品发布,短期对现货价格影响中性。
Vishay推出XFD11KxxCA系列双向TVS器件,峰值脉冲电流达207.1A。该器件采用DO-218AC封装,具备低箝位电压特性,覆盖33V至85V的汽车电气架构。
目前样品及量产供货,交期12周,将增强汽车及工业领域的过压保护能力。
FSP发布Mega GM 1200W电源,定价229美元,美国缺货。该产品采用自研平台与日系电容,性能超越Gold认证。
日系电容需求增加;关注:美国市场供应紧张。
Knowles Cornell Dubilier推出105C扁平铝电解电容,面向电动汽车低剖面高密度电源设计。该电容应用于BMS及隔离DC/DC转换器。
EPC宣布EPC2370 GaN FET量产,单价2.52美元。该器件专为AI服务器800V/6V架构设计,替代25V MOSFET。
满足AI算力高密度电源需求,现货供应增加。
TSMC 计划 2026 年量产 COUPE CPO 解决方案,实现 200Gbps 操作。该技术通过 SoIC 垂直堆叠电子与光子芯片,提升能效并降低延迟。
TSMC 硅光子代工业务及 AI 互联供应链。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关,采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进,将影响未来的功率密度和供应链规划。
Bourns发布了SRP2010PA、SRP2510PA和SRP2512PA系列屏蔽功率电感。该产品采用金属合金粉末芯和屏蔽结构,专为高电流、低高度及汽车级应用设计。
新系列现已上市,主要针对汽车和DC-DC转换器市场,对现有库存价格无直接影响。
Bourns推出集成共模扼流圈的汽车BMS信号变压器及屏蔽功率电感。产品专为紧凑型DC-DC转换器设计。
新产品发布,但无即时供需或价格影响。
Stackpole扩展CSSU系列高功率金属合金电流检测电阻,新增0.5 mΩ和20 mΩ规格。该系列具备低电阻、低TCR及AEC-Q200认证,适用于电池管理、汽车电子及工业电源等高电流场景。
(中性):无短缺或价格变动,仅产品线扩充。
Vishay推出四款3000W TVS二极管系列,采用DFN6546A封装并具备湿焊边设计。新品针对汽车ADAS及工业自动化领域,提供高达+185°C的高温工作能力。
新品量产供货,满足新兴市场需求。
TDK发布面向SiC功率转换器的DC-link薄膜电容器。该产品专为紧凑型1250V DC转换器设计。此新品发布属于背景信息,对当前现货价格无直接影响。
英飞凌加入Nvidia MGX生态系统,提供800 VDC至<10 V的电源管理解决方案。该合作利用GaN和SiC技术提升AI服务器功率密度与能效。
预计将提振GaN和SiC功率器件在AI基础设施中的需求。
Vishay推出四款高电流IHXL系列电感,价格低于前代产品。新器件采用铁合金核心,降低20%损耗,支持高达209A电流,面向汽车及工业应用。
该价格下调策略对现有IHXL库存构成压力。
Hirect在CWIEME 2026推出CTC、PICC及EPICC铜导体,启用新厂量产高压组件。该产品专为电网、铁路等基础设施的变压器与电机设计。
产能扩张可能增加铜导体供应,缓解高压组件用材的短缺压力。
STMicroelectronics推出两款100W VIPerGaN高压转换器,分别支持3.5A和4.2A电流限制。该器件集成700V GaN晶体管与QFN封装,专为家电、智能照明及USB-C PD适配器等应用设计,提供高功率密度与能效。
新GaN电源管理芯片上市,利好ST及GaN产业链。
村田启动MRMS166R及MRMS168R磁阻传感器量产,平均功耗仅20nA至80nA。该产品专为可穿戴及医疗设备设计,旨在延长电池寿命。
新品量产,但市场供应增加,对现有组件价格影响中性。
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |