SK海力士HBM4E样品出货,速率16Gbps
SK海力士向主要客户交付12层HBM4E样品,单引脚速率达16Gbps,能效提升超20%。该产品采用先进MR-MUF工艺,热阻降低17%,确保了高带宽环境下的结构稳定性。
利多
样品交付确认了HBM4E量产进度,强化了SK海力士在AI存储领域的供应链主导地位。
- 相关厂商
- SK hynix
- 影响评分
- 90 / 100,高影响
SK海力士向主要客户交付12层HBM4E样品,单引脚速率达16Gbps,能效提升超20%。该产品采用先进MR-MUF工艺,热阻降低17%,确保了高带宽环境下的结构稳定性。
样品交付确认了HBM4E量产进度,强化了SK海力士在AI存储领域的供应链主导地位。
SK海力士推出iHBM散热方案,将HBM热阻降低30%。该方案通过在D2D PHY区域集成ICE散热元件,解决高功率密度下的散热瓶颈,并利用MR-MUF技术实现量产。
HBM需求及价格,提升AI芯片在高高温高压环境下的稳定性。
SK海力士推出集成散热元件的iHBM方案,将HBM5热阻降低30%。该技术通过在HBM与GPU间直接集成ICE,利用WLP和MR-MUF工艺解决高堆叠散热难题。
此举有望提升HBM5在AI数据中心的应用稳定性,强化SK海力士在高性能计算芯片领域的竞争优势。
已经到底了