Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块,额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块,工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代,短期对现货价格影响中性,但利好相关产业链。
- 相关厂商
- Toshiba、Vishay、Skyworks
- 料号
- Si829x3300V SiC MOSFET Module
- 影响评分
- 25 / 100,低影响
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块,额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块,工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代,短期对现货价格影响中性,但利好相关产业链。
日本胶带厂商Lintec计划投资70亿日元,于2026年量产1万张EUV光罩防尘膜。公司正与日本产业技术综合研究所合作开发碳纳米管基EUV光刻防尘膜,以提升高温下的耐久性。
传统工业巨头跨界进入EUV防尘膜领域,长期或增加供应竞争,但短期对价格影响有限。
Hirect在CWIEME 2026推出CTC、PICC及EPICC铜导体,启用新厂量产高压组件。该产品专为电网、铁路等基础设施的变压器与电机设计。
产能扩张可能增加铜导体供应,缓解高压组件用材的短缺压力。
BluGlass获得两笔405nm与450nm GaN激光二极管新订单,涵盖单模与多模型号。订单基于其专有的RPCVD技术,标志着其商业化进程的持续扩展。
该消息对公司自身业务构成利好,但对整体半导体供应链、需求或价格无直接广泛影响。
BluGlass公司获得首批405nm与420nm 250mW单模GaN激光器客户订单。这是其专有RPCVD技术实现商业化的关键一步。
该事件属公司层面进展,对当前GaN激光器整体市场供需及价格无直接影响。
BluGlass在SPIE Photonics West展会上首次推出405nm、420nm和450nm波段的GaN激光器产品组合。该公司展示了其专有的低温低氢RPCVD技术。
此为小众厂商的新品发布,未对主流激光二极管市场的供应、需求或价格产生直接影响。
英飞凌CoolSiC MOSFET及二极管获Bloom Energy氢能服务器与电解槽采用。该设计中标巩固了英飞凌在绿色能源市场的地位。
此消息验证了SiC功率器件的长期需求前景,但对当前现货市场的供应、库存或价格无直接影响。
BluGlass Ltd向客户交付了首批激光二极管原型产品。该公司利用其专有的RPCVD技术制造这些器件,用于激光二极管、LED和微LED。
已经到底了
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |