ST推出L4983 PFC控制器，峰值效率97.4%
ST推出L4983 PFC控制器，针对kW级电源设计，评估板峰值效率达97.4%。该芯片集成多种保护与待机模式，旨在提升工业及服务器电源能效。
中性
新产品发布，对当前现货价格及供应链无直接影响。
- 相关厂商
- STMicroelectronics
- 料号
- L4983L4983AEVL4983-350W
- 影响评分
- 20 / 100，低影响
ST推出L4983 PFC控制器，针对kW级电源设计，评估板峰值效率达97.4%。该芯片集成多种保护与待机模式，旨在提升工业及服务器电源能效。
新产品发布，对当前现货价格及供应链无直接影响。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关，采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进，将影响未来的功率密度和供应链规划。
QRT向一家欧洲国防承包商售出其自研射频高温工作寿命测试系统Q-RoLA，实现测试设备首次海外销售。此举标志其从测试服务商向设备供应商的战略转型，旨在切入高壁垒的国防市场。
此为单一公司的业务拓展，对半导体元件供需及价格无直接即时影响。
剑桥GaN器件公司(CGD)发布其Combo ICeGaN技术，将GaN HEMT IC与IGBT并联集成于同一模块，瞄准价值超100亿美元的100kW以上电动汽车动力总成市场。该方案旨在作为碳化硅(SiC)模块的高性价比替代品。
此为技术产品发布，对现有电子元件的供应、需求及价格无直接影响。
ROHM推出GNP2070TD-Z型号650V GaN HEMT，采用TOLL封装并由中国山东ATX半导体代工。该产品面向工业设备和汽车系统等高功率应用场景。
此次新品发布属于常规市场行为，未提及产能、短缺或价格变动，对当前交易无直接方向性影响。
Guerrilla RF正式发布首批GaN-on-SiC HEMT功率放大器裸片GRF0020D和GRF0030D。此举标志着该公司产品线向高性能射频领域扩展。
此次新品发布属于技术迭代，对当前射频元件市场供需及价格无直接影响。
Marktech Optoelectronics推出用于235nm和255nm波长检测的深紫外碳化硅光电二极管。该产品针对紫外监测等利基应用市场，具备可见光盲特性。
此为常规新品发布，未提及产能、价格或供应链变动，对交易无直接方向性影响。
Marktech Optoelectronics推出235nm和255nm双芯片UVC LED，其功率输出为传统单芯片产品的两倍。该产品旨在满足各行业对更高效深紫外光源在净化和仪器应用中的需求。
此次新品发布可能提升特定UVC LED细分市场的需求，但对整体半导体供应链及现货价格无直接、即时影响。
VisIC在PCIM欧洲展推出新款650V/6mΩ和650V/5mΩ GaN HEMT功率器件及大电流功率模块。新品主要面向电动汽车、AI数据中心及可再生能源应用。
此次为常规新品发布，未提及产能、供应或价格变动，对现有元件交易无直接冲击。
Marktech Optoelectronics推出集成InGaAs光电二极管与多LED发射器的新型多芯片封装。此举旨在为近红外/短波红外传感应用提供更紧凑的解决方案。
此为特定技术产品发布，对通用元器件现货市场的供需及价格无直接交易影响。
IQE公司宣布扩大高速光连接外延片产品组合，以满足AI与数据中心需求增长。此举旨在应对AI、云服务及数据密集型工作负载对光互连的长期需求。
此为技术路线与产能布局新闻，未提供具体产能数字或时间表，对当前现货市场交易无直接影响。
法国Riber公司获美国厂商认证其MBE 8000量产平台。该设备专用于先进外延片制造，标志着量产能力就绪。
产能扩张信号，利好设备商及高端外延片供应链。
Nexperia推出采用紧凑型CCPAK封装的GaN FET器件，面向工业和可再生能源应用。这是该公司对其现有GaN HEMT技术推出的新表面贴装封装选项。
此次产品发布为常规市场行为，未对GaN元器件的整体供应、需求或交易价格产生直接影响。
Marktech Optoelectronics推出Silanna UV制造的235nm与255nm UVC LED新品，提供平顶与穹顶透镜等多种封装。此举属于深紫外LED领域常规的技术迭代，面向消杀与传感等应用市场。
此次新品发布属于常规产品更新，未提及产能、短缺或价格变动，对主流电子元件交易无直接影响。
Gallium Semiconductor推出GTH2e-2425300P，一款用于ISM频段的2.4-2.5GHz 300W GaN-on-SiC分立晶体管。该产品针对工业与医疗市场，属于公司常规产品线更新。
此次新品发布为市场正常迭代，未提及产能、供应或成本变化，对现有射频元件交易无直接影响。
意法半导体已开始对其增强型PowerGaN HEMT器件进行批量生产。此举旨在满足充电器、工业电源和汽车电气化等领域对高效功率转换日益增长的需求。
新产品上市增加了GaN元件供应，但对现有市场供需格局及现货价格暂无直接冲击。
剑桥GaN器件公司推出应用接口板，旨在帮助工程师在其现有设计中评估ICeGaN HEMT。此举为市场推广行为，意在争夺硅基MOSFET及其他GaN竞品的市场份额。
此为常规产品推广，未直接引发供应链变动或价格影响。
无晶圆厂公司剑桥氮化镓器件推出第二代650V ICeGaN HEMT系列。这是该公司对其现有氮化镓功率晶体管产品线的常规迭代更新。
此次新品发布未涉及产能、短缺或价格变动，对当前交易供需格局无直接影响。
英飞凌宣布将完整的600V CoolGaN GIT HEMT产品组合推向更广泛的市场，其HD-GIT技术已实现内部制造集成。此举旨在扩大其在氮化镓功率半导体市场的产品覆盖。
此次为标准产品线扩展，未提及产能、短缺或具体订单变化，对现货交易价格无直接方向性影响。
剑桥GaN器件公司在PCIM欧洲展发布新一代ICeGaN HEMT系列，强调易用性与耐用性。此举标志该公司正从初创阶段向规模化阶段过渡。
此为常规新品发布与技术展示，未提供影响GaN功率器件供需或价格的直接数据与事件。