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英飞凌发布600V CoolGaN GIT HEMT完整产品组合
英飞凌宣布将完整的600V CoolGaN GIT HEMT产品组合推向更广泛的市场，其HD-GIT技术已实现内部制造集成。此举旨在扩大其在氮化镓功率半导体市场的产品覆盖。中性：此次为标准产品线扩展，未提及产能、短缺或具体订单变化，对现货交易价格无直接方向性影响。
GaN HEMT600V Power Transistors
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来源：Semiconductor Today · 2023/5/5 · 查看原始来源
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