GF发布7nm级FDX Fusion节点,密度翻倍
GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点,密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域,计划于2028年在德累斯顿量产。
FD-SOI相关芯片供应预期,长期产能扩张可能引发价格承压。
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GlobalFoundries宣布推出7nm级FDX Fusion节点,密度较22FDX翻倍。该工艺定位于汽车、边缘AI及工业领域,计划于2028年在德累斯顿量产。
FD-SOI相关芯片供应预期,长期产能扩张可能引发价格承压。
Toshiba推出3300V高压SiC MOSFET模块,额定电流达800A。Vishay新增50-150A 650V超结MOSFET模块,工作温度范围宽达-55至+150℃。
新功率模块发布通常预示着产能扩充或技术迭代,短期对现货价格影响中性,但利好相关产业链。
微芯与Navitas推出800V DC至6V DC参考设计,采用GaNFast FETs与dsPIC33AK DSC。该设计旨在提升AI数据中心功率密度与效率,符合OCP 800V标准。
YAGEO推出用于碳化硅和氮化镓栅极驱动的LLC变压器及多层压电致动器。此举旨在拓展其在高功率电子与精密运动控制领域的应用版图。
该新品对相关细分市场需求的结构性拉动。
CXMT宣布24Gb LPDDR5X DRAM已量产,采用四重曝光工艺将半间距缩小至11.95nm。该技术使其工艺能力达到行业最先进量产节点水平。
量产意味着供应增加,可能对现货价格形成压制。
STMicroelectronics推出SLLIMM Compact系列,首款20A模块STGI15C60S体积缩小30%。该模块专为空调、热泵等家电的低中功率电机驱动设计。
新产品发布,但短期内对现货价格无直接影响。
英特尔推出Crescent Island离散GPU,配备32个Xe核心及最高480GB LPDDR5X内存。该设计专为代理AI推理优化,通过稀疏路由和推测解码提升每瓦Token数。
新架构将提振对高带宽大容量内存(LPDDR5X)及AI加速器的需求。
三星发布全球首款LPDDR5X-PIM内存,AI推理速度提升3.01倍。作为HBM的廉价替代方案,该技术旨在解决AI芯片成本高昂问题。
LPDDR5X市场需求,潜在利空HBM份额。
EPC宣布EPC2370 GaN FET量产,单价2.52美元。该器件专为AI服务器800V/6V架构设计,替代25V MOSFET。
满足AI算力高密度电源需求,现货供应增加。
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET,阻断电压超8kV,导通电阻90mΩ,目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产,并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸,但量产时间较晚,对当前供需无直接影响。
STMicroelectronics推出STGAP3S系列栅极驱动器,具备增强电气隔离功能。该系列旨在提升电源设计可靠性。
新产品发布对当前现货价格无直接影响。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关,采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进,将影响未来的功率密度和供应链规划。
英伟达发布Vera CPU,搭载88个Armv9.2核心及1.5TB LPDDR5X内存,Meta、字节跳动等云厂商已预订。该芯片采用台积电3nm工艺,旨在作为AI节点及AI代理主机。
台积电3nm产能及LPDDR5X需求,预计将推动相关供应链订单增长。
索尼发布FX5电影摄影机,搭载Exmor RS CMOS传感器与BIONZ XR2处理器,售价32000元。该机型支持Open Gate与X-OCN 16bit RAW录制,定位高端影视制作。
索尼高端CMOS传感器及影像处理器需求,但短期现货市场影响中性。
Kioxia启动1 Tb TLC NAND闪存样品出货,采用第10代BiCS FLASH技术。该产品面向企业及数据中心AI存储,层数达332层,接口速度提升33%。
Kioxia加速布局高密度AI存储产能,强化高端NAND闪存竞争力。
英飞凌推出EiceDRIVER 2EDL90xG3,支持硅与氮化镓同板设计。该器件采用120V通用封装,旨在简化混合功率电路布局。
技术趋势利好氮化镓生态,但短期对现货价格无直接影响。
英伟达在ISC 2026发布Vera Rubin与Grace Blackwell平台,配套ALCHEMI等科学计算软件。该平台通过AI代理实现自主科研,首台系统将部署于洛斯阿拉莫斯国家实验室。
高算力需求推动高端GPU及网络芯片市场扩张。
英飞凌推出业界首款基于CoolSiC Gen2技术的750V碳化硅双向开关,目前已开始提供样品。该器件采用双裸片共漏极架构,主要面向车载充电器及AI数据中心高压电源等应用。
该产品尚处样品阶段,对当前SiC功率器件现货市场的供需与价格暂无直接影响。
Power Integrations发布两款基于1700V GaN技术的AI数据中心辅助电源参考设计。该方案针对NVIDIA Kyber平台,可将电路板面积和BOM减少约30%。
长期利好AI服务器高压GaN需求,但短期无直接价格或现货供应影响。
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |