TSMC 2026量产CPO方案，支持200Gbps传输
TSMC 计划 2026 年量产 COUPE CPO 解决方案，实现 200Gbps 操作。该技术通过 SoIC 垂直堆叠电子与光子芯片，提升能效并降低延迟。
利多
TSMC 硅光子代工业务及 AI 互联供应链。
- 相关厂商
- TSMC
- 影响评分
- 5 / 100，低影响
TSMC 计划 2026 年量产 COUPE CPO 解决方案，实现 200Gbps 操作。该技术通过 SoIC 垂直堆叠电子与光子芯片，提升能效并降低延迟。
TSMC 硅光子代工业务及 AI 互联供应链。
台积电宣布5.5倍光罩CoWoS量产，良率稳定在99%。该技术可整合12组HBM4，封装面积达4700mm2。
高良率确认供应能力增强，缓解先进封装供应压力。
SK海力士推出集成散热元件的iHBM方案，将HBM5热阻降低30%。该技术通过在HBM与GPU间直接集成ICE，利用WLP和MR-MUF工艺解决高堆叠散热难题。
此举有望提升HBM5在AI数据中心的应用稳定性，强化SK海力士在高性能计算芯片领域的竞争优势。
凯格精机推出1.6T光模块自动化组装产品线，并在海外实现批量交付。公司突破60μm植球技术瓶颈，前瞻布局3D钢网印刷等关键技术以适应CoWoS/CoWoS封装演进。
该动作精准卡位光模块赛道，有望受益于高速光模块产能扩张带来的设备需求增长。
Micron计划开发垂直堆叠GDDR，预计2027年推出原型。此举旨在为AI推理市场提供比HBM更便宜且封装更简单的替代方案。
若技术突破，将重塑AI推理芯片的存储成本结构。
华为在深圳合作伙伴大会上发布基于Ascend 950PR芯片的Atlas 350加速器，配备1.56 PFLOPS FP4算力和高达112GB的HiBL 1.0 HBM内存。该设备专为AI推理预填充阶段设计，宣称性能是Nvidia H20的2.8倍。
华为自研HiBL 1.0 HBM需求预期上升，且在先进封装领域取得突破。
英伟达下代GPU架构费曼预计2028年推出，将采用台积电1.6nm A16工艺，功耗超1000W，并可能采用英特尔EMIB-T封装以降低成本。该架构面向高性能计算，将全面转向液冷散热。
此为远期技术路线图，对当前供应链及现货价格无直接影响。
Rebellions发布首款采用三星I-CubeS封装的四芯片AI加速器Rebel 100，基于SF4X工艺与UCIe-A互联。该方案通过四颗320mm² NPU芯片与HBM3E堆栈互联，旨在平衡性能与良率。
三星先进封装与HBM3E需求，关注新玩家对现有AI芯片市场的竞争压力。
英伟达发布Rubin CPX专用加速器，配备20 PFLOPS FP4算力与128GB GDDR7显存，专为推理预填充阶段优化。此举旨在通过解耦架构降低推理总成本，进一步拉大与AMD等竞争对手的硬件代差。
长期可能改变HBM与GDDR7在AI推理市场的需求结构，但短期对现货价格无直接影响。
已经到底了
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |