微芯Navitas推800V参考设计
微芯与Navitas推出800V DC至6V DC参考设计，采用GaNFast FETs与dsPIC33AK DSC。该设计旨在提升AI数据中心功率密度与效率，符合OCP 800V标准。
关注
- 相关厂商
- Microchip Technology、Navitas Semiconductor
- 料号
- dsPIC33AK256MPS306TA100NV6034
- 影响评分
- 10 / 100，低影响
微芯与Navitas推出800V DC至6V DC参考设计，采用GaNFast FETs与dsPIC33AK DSC。该设计旨在提升AI数据中心功率密度与效率，符合OCP 800V标准。
STMicroelectronics推出SLLIMM Compact系列，首款20A模块STGI15C60S体积缩小30%。该模块专为空调、热泵等家电的低中功率电机驱动设计。
新产品发布，但短期内对现货价格无直接影响。
SK海力士在AI Infra Summit 2026展示了HBF、PIM/AiMX及SALT-KV等下一代AI内存技术。该技术旨在填补HBM与SSD之间的空白，以适应推理时代的算力需求。
关注：此次展示主要聚焦技术愿景，尚未披露具体产能规划或价格影响。
FSP发布Mega GM 1200W电源，定价229美元，美国缺货。该产品采用自研平台与日系电容，性能超越Gold认证。
日系电容需求增加；关注：美国市场供应紧张。
AMD将在选定的Versal自适应SoC中引入原生UCIe 1.1接口。此举旨在通过模块化芯片组系统降低延迟、功耗及开发成本。
短期对现货价格无直接影响，长期或提升芯片组设计灵活性。
EPC宣布EPC2370 GaN FET量产，单价2.52美元。该器件专为AI服务器800V/6V架构设计，替代25V MOSFET。
满足AI算力高密度电源需求，现货供应增加。
NoMIS Power演示了首款6.5kV大尺寸SiC MOSFET，阻断电压超8kV，导通电阻90mΩ，目前处于样品阶段。该产品计划于2026年第四季度量产，并扩展至10kV及以上的高压SiC器件路线图。
高压SiC器件路线图延伸，但量产时间较晚，对当前供需无直接影响。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关，采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进，将影响未来的功率密度和供应链规划。
铠侠宣布推出基于XL-FLASH的CXL内存扩展模块XL1，计划本月向合作伙伴出样。该模块利用SCM技术降低延迟并提升可靠性，旨在弥合DRAM与SSD在性能成本间的差距。
NAND Flash技术路线，中性影响短期现货价格。
欧洲RISC-V企业Openchip发布亚2nm BER10处理器，采用GAA工艺。该芯片拥有4个64位乱序核心，兼容Linux，开发耗时2.5年。
虽展示先进工艺与RISC-V生态进展，但尚未对现货市场供需产生直接影响。
NVIDIA扩展Jetson Thor家族新增T3000 T2000模组，分别提供865TFLOPS和400TFLOPS FP4算力。T3000配备32GB LPDDR5X内存，定位主流中高端市场以衔接Orin与T5000/T4000。
新产品发布对现有Jetson产品线需求结构的潜在影响。
Saelig公司发布AIM-TTi PSA系列4代手持频谱分析仪，新增实时FFT模式与2.7GHz频段。该设备专为射频设计与现场测试设计，具备37.5µs瞬态信号捕获能力。
新品发布通常不直接影响现有库存价格，市场关注度有限。
AOS推出AOPL66801 80V MOSFET，采用DFN6x5 AmpStack封装，通过垂直堆叠和Clip设计提升功率密度并降低寄生电感。该产品主要面向电动工具及AI工厂等高密度应用，属于新产品发布，暂无明确的供需或价格影响。
Panmnesia提供PCIe 6.4-CXL 3.2融合芯片样品，支持端口路由。该芯片通过共享缓冲层和端口路由技术，解决早期CXL延迟问题，支持64节点扩展。
CXL交换机技术发展，但短期对现货价格无直接影响。
ID-Cooling在Computex 2026发布全系列电源，涵盖FP、FG、SE、DK四档产品。产品支持ATX 3.1和PCIe 5.1标准，采用日系电容及10年质保。
新机型上市提振高端电源需求，短期对现货价格影响中性。
英飞凌推出业界首款基于CoolSiC Gen2技术的750V碳化硅双向开关，目前已开始提供样品。该器件采用双裸片共漏极架构，主要面向车载充电器及AI数据中心高压电源等应用。
该产品尚处样品阶段，对当前SiC功率器件现货市场的供需与价格暂无直接影响。
村田启动MRMS166R及MRMS168R磁阻传感器量产，平均功耗仅20nA至80nA。该产品专为可穿戴及医疗设备设计，旨在延长电池寿命。
新品量产，但市场供应增加，对现有组件价格影响中性。
La Luce Cristallina在奥斯汀新厂开始生产200mm钛酸钡晶圆，年产能200-250片，并计划推出300mm产品。该材料针对6G通信、AI数据中心等高性能光子集成电路应用。
此为小众技术研发进展，对主流电子元件供应链及现货价格无直接影响。
博世推出第三代SiC芯片并向车企提供样品，旨在提升电动汽车续航与效率。此举顺应了数据中心与电动汽车对高效率功率半导体的迫切需求。
车规级SiC市场长期发展。
QCraft发布QPilot MAX城市NOA方案，算力达500+ TOPS。该方案基于World Model与VLA模型，已部署于25款车型。
虽提升AI芯片需求，但暂无供应端或价格变动数据。