PSMCDRAM代工价7月上调45%，Q2营收增27%
PSMC Q2营收环比增27%至172.9亿新台币，DRAM代工价格7月上调45%。受益于AI算力需求激增及存储价格飙升，公司毛利率扩张至28%。
利多
硅电容获Intel认证，2027年12吋产能目标破1万片，且与美光合作HBM及先进制程量产在即。
- 相关厂商
- Power Semiconductor Manufacturing Corp、Intel、TSMC、Micron、NVIDIA
- 影响评分
- 98 / 100，高影响
PSMC Q2营收环比增27%至172.9亿新台币，DRAM代工价格7月上调45%。受益于AI算力需求激增及存储价格飙升，公司毛利率扩张至28%。
硅电容获Intel认证，2027年12吋产能目标破1万片，且与美光合作HBM及先进制程量产在即。
日月光将先进封装报价上调超过20%，涵盖CoWoS和FoCoS技术。此次涨价由原材料成本上升和AI驱动的长期投资需求推动，主要影响美国客户。
信号，表明由于AI需求激增，OSAT行业面临持续的供应紧张和价格上涨压力。
韩国海关数据显示，3月CCL进口均价达2.07万美元/吨，同比大涨74.5%。Kingboard、Resonac及三菱瓦斯化学等厂商已实施多轮涨价，部分产品涨幅超30%。
AI需求激增导致供需失衡，推动CCL价格持续上行。
2英寸光通信级磷化铟衬底急单现货价突破3000美元，6英寸高端衬底涨幅超250%。AI爆发拉动800G/1.6T光模块需求，而全球产能仅占需求30%，缺口超70%。
磷化铟衬底及光芯片企业。
联电计划于2026年下半年调整晶圆价格，此前报道称涨幅约10%或于7月生效，主因需求强劲及成本上升。台积电与三星正削减8英寸产能，导致供应趋紧，世界先进已于4月提价约10%。
成熟制程代工服务面临直接涨价压力，多家供应商确认提价表明供应紧张将持续。
三星电子自2026年初起将HBM4逻辑芯片价格上调40-50%，其4nm产线已满载。涨价由AI需求激增驱动，台积电亦宣布2026年对5/4nm及以下节点全面提价。
两大晶圆厂对先进制程的直接大幅提价，确认了供应紧张和强劲的定价权，相关芯片采购成本将显著上升。
卡塔尔Ras Laffan工厂停产导致全球氦气供应减少27-30%，现货价格周内飙升40-100%。三星电子和SK海力士已与林德和空气产品公司签订价格更高的长期协议以稳定供应。
氦气供应冲击导致关键原材料成本急剧上升，直接影响内存和先进逻辑芯片制造成本。
Raspberry Pi宣布对多款产品涨价，16GB Pi 5涨幅达100美元至305美元。受内存价格飙升影响，该公司在四个月内三次上调价格，但旧款机型因持有LPDDR2库存未受影响。
DRAM需求，且表明上游存储成本压力正传导至终端消费级芯片市场。
三星电机已上调其ABF载板价格，主因AI服务器与高性能计算需求激增。此举反映了结构性供不应求及原材料成本上涨。
制造商直接提价，对ABF载板现货成本构成直接上行压力，并预示下游先进封装可能面临供应紧张。
MGC跟随Resonac将覆铜板价格上调30%，主因英伟达与苹果需求加剧了IC基板用高端玻璃纤维布的短缺。材料短缺迫使供应商向下游传导成本，挤压自身利润。
关键基板材料的直接、量化涨价，预示下游元件成本将持续承压。
三菱瓦斯化学宣布自4月1日起，对CCL、预浸料及CRS产品提价30%，主因原材料、人力及物流成本飙升。此前，日本材料巨头Resonac已于3月1日对同类产品提价30%。
高端封装基板核心材料价格明确大幅上调，将直接推升下游采购成本。
三菱瓦斯化学宣布自4月1日起，其CCL、预浸料及CRS产品价格上调30%。涨价主因是原材料价格飙升及劳动力、运输成本持续上涨，公司电子材料部门盈利能力显著恶化。
全球高端封装基板材料龙头直接提价30%，叠加力森诺科同类涨价，将显著推高下游采购成本。
中国市场G.652.D单模光纤1月均价超40元/芯公里，创七年新高，部分报价达50元。英诺赛科氮化镓功率芯片完成谷歌AI硬件平台设计导入，切入数据中心电源供应链。
光纤价格飙升与氮化镓设计导入反映光通信与AI服务器电源需求强劲，支撑相关组件价格预期。
据DigiTimes报告，玻璃纤维制造商计划启动第二轮涨价，月涨幅为10%至15%。若按计划执行，年底价格可能翻倍。
此直接且激进的定价行动将推高PCB及基板成本，对下游电子元件价格构成上涨压力。
中国制造商大幅提升产能，导致2024年主流6英寸碳化硅衬底价格崩盘，8英寸价格亦大幅下跌。此前碳化硅衬底市场曾因短缺而维持高价。
产能急剧扩张造成明确供应过剩，对碳化硅衬底各尺寸产品价格构成下行压力。
已经到底了