广东拟攻关6G光通信卫星通信技术
广东省发布“十五五”规划征求意见稿,重点攻关6G、光通信、卫星通信及量子通信等前沿技术。规划提出依托鹏城实验室等力量,推进数字基带芯片、射频前端芯片及6G模组等核心器件研发产业化。
政策扶持将加速相关芯片及模组研发与产能建设,利好6G、光通信及量子通信产业链。
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- 基础电信企业、鹏城国家实验室、龙头企业
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广东省发布“十五五”规划征求意见稿,重点攻关6G、光通信、卫星通信及量子通信等前沿技术。规划提出依托鹏城实验室等力量,推进数字基带芯片、射频前端芯片及6G模组等核心器件研发产业化。
政策扶持将加速相关芯片及模组研发与产能建设,利好6G、光通信及量子通信产业链。
Wolfspeed起诉Navitas侵犯GaN和SiC专利,寻求美国法院下达永久禁令。Wolfspeed拥有深厚专利壁垒,而Navitas采用轻资产模式在快充和汽车SiC市场扩张,双方在功率半导体领域竞争加剧。
若禁令生效,Navitas在美国市场的产品供应将面临重大风险。
美国ITC确认英诺赛科侵犯英飞凌专利,正式禁止GaN产品进口及销售。此前德国法院已多次判决英诺赛科败诉,此次禁令进一步收紧其全球供应。
英飞凌GaN业务,利空英诺赛科美国市场出货。
慕尼黑地方法院7月3日裁定英诺赛科侵犯英飞凌GaN专利,禁止其在德国销售。这是英飞凌赢得的第四起相关裁决,加剧了上海GaN市场的竞争。
禁令限制了供应,预计将推高GaN价格。
慕尼黑地方法院裁定英飞凌胜诉,禁止英诺赛科在德国制造及销售侵权GaN产品。这是英诺赛科在德美系列专利诉讼中的第三、四次败诉。
英飞凌GaN业务,利空英诺赛科德国市场准入。
慕尼黑地方法院裁定Innoscience当前GaN功率器件不侵犯Infineon德国专利。该裁决与上月美国ITC判决一致,仅针对已停产的旧款产品。
确认Innoscience核心产品全球市场准入无虞,供应风险解除。
TrendForce指出,中国“大基金”及地方政府的第三代半导体补贴规模远超韩国的49.4亿美元R&D计划。在AI数据中心对功率半导体需求激增的背景下,中国供应商在SiC和GaN技术上取得进展,挑战了现有IDM。
大规模政府补贴可能引发产能扩张和价格竞争,迫使新进入者寻求下一代技术。
中国最高法院裁定英飞凌侵犯专利,禁止其在华销售GaN芯片。双方均为英伟达800V AI电源供应商,此前在美欧中多地展开专利诉讼。
中国GaN市场供应格局重塑,英飞凌面临断供风险,价格看涨。
韩国政府投入5000亿韩元(3.29亿美元)用于SiC和GaN功率半导体的研发与量产。此举旨在解决对海外供应商的依赖,并利用AI数据中心和能源需求增长。
政策支持将加速本土产能建设,改变未来供应链格局。
福建省发布“十五五”光电产业集群行动方案,明确支持Micro LED及高世代显示设备国产化。该政策旨在提升核心装备自主保障能力。
国内Micro LED设备与化合物半导体材料厂商。
美国国际贸易委员会裁定Innoscience侵犯英飞凌GaN专利,并下令禁止其产品在美国进口和销售。该裁决面临60天总统审查期,且Infineon在慕尼黑法院的诉讼中亦占据优势。
英飞凌GaN市场份额,利空Innoscience美国业务,GaN供应趋紧。
英飞凌胜诉美国ITC,裁定Innoscience侵犯GaN专利。美国国际贸易委员会维持初步裁决,可能限制Innoscience产品出口。
Innoscience,利多英飞凌GaN市场份额。
Innoscience获美国ITC终裁,确认其当前GaN器件不侵犯Infineon专利,美国出货不受限。裁决仅认定旧款产品侵权且已停产,不影响现有商业供应。
消除了进口禁令风险,保障了Innoscience GaN产品在美国及全球市场的供应连续性。
德国英飞凌确认美国ITC对中企英诺赛科GaN芯片下达进口及销售禁令。裁定英诺赛科侵犯英飞凌GaN专利,涉及8英寸硅基GaN功率芯片。
英诺赛科美国市场出货,禁令生效前尚有60天总统审查期。
Innoscience胜诉GaN专利诉讼,英飞凌无效请求被驳回。北京知识产权法院确认其8英寸硅衬底GaN核心技术专利有效。
知识产权纠纷将重塑GaN市场竞争格局。
GlobalFoundries起诉Tower半导体侵犯11项专利,并寻求利润赔偿及进口禁令。此次法律战针对Tower在射频芯片和硅光子学等成熟节点的技术。
潜在进口禁令可能引发Tower供应链中断,需警惕其客户面临的产品供应风险。
深圳发布2026-2028年AI服务器计划,重点发展SiC、GaN及储能系统。该计划旨在打造零碳数据中心,利用光伏与储能实现源网荷储一体化。
政策驱动高压功率器件与储能需求长期增长。
英伟达已停止为中国市场生产AI芯片,并将台积电产能转向下一代Vera Rubin平台。此举源于美中双方的监管壁垒持续阻碍对华销售前景。
此举直接切断中国AI芯片供应,并可能引发相关供应链产能的重新分配与价格波动。
美国防部1260H文件更新版据报移除长鑫存储与长江存储,或为西方OEM采购其DRAM与NAND闪存扫清障碍。此举源于长鑫去年被列入名单引发争议,且近期有报道称华硕、宏碁等正评估其DDR5/DDR4产品线。
政策变动存在不确定性(名单已撤回),且长江存储仍受美商务部管制;若最终确认移除,可能增加市场供应,对内存现货价构成下行压力;但长鑫与华为在HBM3及昇腾950上的合作可能招致额外审查,供应风险未完全解除。
美国ITC初步裁定英诺赛克侵犯英飞凌一项GaN技术专利(US 9,899,481)。该裁决是两家GaN功率芯片制造商之间法律纠纷的一部分。
该初步裁决为英诺赛克GaN产品在美国市场的供应链带来潜在中断风险,最终裁决及可能的进口限制将决定实际影响。
爆款新品里,到底装了谁的芯片?拆开,一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |