Atomera与IQE签署联合开发协议，推动高性能、低成本RF GaN-on-Si进入量产市场
半导体晶体管材料与技术授权公司Atomera Inc（美国加州Los Gatos）与英国威尔士加的夫的外延晶圆及衬底制造商IQE plc签署联合开发协议（JDA），旨在将高性能、具成本效益的RF氮化镓（GaN-on-Si）推向量产市场。该协议为联合开发安排，属于计划性质，尚处开发阶段，量产尚待实现。
- 相关厂商
- Atomera Inc、IQE plc
- 影响评分
- 45 / 100，中等影响
半导体晶体管材料与技术授权公司Atomera Inc（美国加州Los Gatos）与英国威尔士加的夫的外延晶圆及衬底制造商IQE plc签署联合开发协议（JDA），旨在将高性能、具成本效益的RF氮化镓（GaN-on-Si）推向量产市场。该协议为联合开发安排，属于计划性质，尚处开发阶段，量产尚待实现。
英飞凌(Infineon)与英伟达(NVIDIA)正扩大双方在面向800V直流AI数据中心的氮化镓(GaN)功率解决方案上的合作，为1 MW以上机架铺平道路；据消息，NVIDIA的目标是从2027年开始采用该方案。该消息为合作扩大的报道，不涉及具体价格变动或产能数据。
英飞凌于10月21日在柏林举行的NVIDIA GTC开发者大会上宣布，与英伟达扩大在AI数据中心电力输送方面的合作。双方将共同开发基于氮化镓（GaN）功率器件的高压中间母线变换器（IBC）解决方案，用于800V直流（800V DC）架构。该扩展合作建立在两家公司于2025年启动的800V DC电力输送计划基础上，聚焦高功率AI机架的功率转换，并将支持服务器机架热插拔维护。英飞凌将利用其CoolGaN产品组合，采用高频开关技术应对多种转换配置，包括800V转50V和800V转12V；方案面向英伟达用于AI工厂的MGX开放式模块化参考架构。该电力架构面向每机架功耗高达1 MW的AI计算系统，部署预计于2027年开始逐步推进。双方最早于2025年5月宣布就800V DC数据中心电力输送开展合作，初期计划涵盖碳化硅（SiC）和GaN两种技术；最新扩展更侧重GaN用于中间母线变换。除GaN IBC外，英飞凌还在为英伟达的800V DC生态系统提供SiC器件、功率保护元件及其他功率产品，覆盖从电网到AI处理器的电力输送链。方案目标是提高功率密度、降低输送链功率损耗、降低散热硬件要求，并支持服务器主板受控预充放电及机架运行中热插拔，以降低数据中心维护期间服务中断风险。
英飞凌于10月21日表示，公司正在扩大与Nvidia在面向AI数据中心800伏直流供电架构方面的合作，重点聚焦中间总线转换器（IBC）中使用的氮化镓（GaN）芯片。该合作仍属计划/推进中的合作事项，原文未披露具体时间表、出货安排或原因。
总部位于德国慕尼黑的英飞凌科技股份公司正在推进与英伟达（NVIDIA）在面向AI数据中心的800V直流（VDC）电力架构方面的合作。该公告的发布时间恰逢英伟达于10月20日至22日举行的GTC柏林开发者大会，公告聚焦于高压中间总线转换器（IBC）——AI数据中心供电链中最关键、要求最严苛的转换环节之一。原文未说明原因（未说明合作推进的具体原因）。该事件为公告性质，不等于合作成果已实现。
10月21日，英飞凌宣布深化与英伟达的合作，推进面向AI数据中心的800伏直流（800 VDC）供电架构，重点开发高压中间总线转换器（IBC）。英飞凌将利用氮化镓（GaN）功率半导体技术，提高电源转换效率和功率密度，降低能量损耗及散热需求。此次合作延续双方自2025年启动的800伏直流供电架构项目，涵盖中间总线转换及电源路径保护等环节，旨在支持更高功率密度的AI数据中心，并提升服务器机架带电插拔维护能力。
ASML与Xanadu宣布开展合作，研究先进光刻工艺能否抑制光子量子计算中最关键的工程限制之一——光子损耗。双方将针对Xanadu的光子量子硬件研究先进光刻工艺，重点考察更严格的图形化控制能否抑制损耗机制并改善容错、实用规模机器的前景。该合作计划特别将光学损耗与线边缘粗糙度（LER）联系起来：光刻定义波导及其他纳米光子结构的横向边界，实际边缘中的纳米级偏差会扰动波导折射率边界，将导光耦合到辐射模式或产生背散射，导致传播损耗。ASML贡献光刻成像、工艺窗口、计量和计算校正方面的专长，Xanadu贡献器件需求、光子电路设计和量子级性能数据。原文明确指出：该合作并不意味着ASML在制造量子计算机，公告也未指定生产节点、工具平台或数值损耗目标；这是一项研究工作，旨在理解哪些光刻手段可以制造更低损耗的光子结构，近期成果是工艺知识而非成品容错机器。成功还将取决于封装、光纤到芯片耦合、探测器效率和光源质量，这些仅靠光刻无法解决。
总部位于美国加州El Segundo的Efficient Power Conversion Corp（EPC）表示，其EPC2361 100V eGaN FET已被用于Analog Devices Inc（ADI）的一款高性能降压-升压转换器参考设计，该设计支持4kW功率、高效率。EPC主营用于电源管理应用的增强型氮化镓硅（eGaN）功率场效应晶体管（FET）及集成电路。此为设计应用合作信息，原文未给出价格、供应或需求数据。
电源转换方案设计商与制造商RECOM Power与云端电子设计自动化厂商CELUS今日宣布建立合作伙伴关系，将首批RECOM电源设计引入CELUS Design Platform，具体涵盖37个RECOM CUBO（平台上的可复用电路模块，亦称Digital Datasheets）。其中29个围绕RECOM用于隔离及开关式DC/DC转换的电源IC构建，分属平台的Isolation和Switching DC-DC Conversion功能模块，包括RVP001（4个）、RVP003（9个）、RVP003S（1个）、RVP010（6个）、RVP6501（1个）、RVPW011（1个）、RVPW012（1个）、RVPW014（4个）、RVPW015（1个）、RVPW016（1个）；其余8个覆盖RECOM的R-78开关稳压器（6个：R-783.3-0.5 V1/V2、R-785.0-0.5 V1/V2、R-78AA3.3-0.5 V1/V2）和RAC AC/DC转换器模块（2个：RAC02E-3.3SK/277 V1、RAC04-09SGA V1）。每个CUBO由RECOM数据手册、应用笔记和参考设计构建，包含电源IC、配套元件及完整物料清单。该合作与平台新增的Power Nets功能同步推出：工程师定义带电压和方向的供电网络后，Design Assistant仅提出功率规格匹配的方案，设计可通过平台与Altium Designer、KiCad、Siemens EDA和Autodesk Fusion的集成在工程师自有工具中继续。此次合作使这些RECOM设计触达在100多个国家使用CELUS Design Platform的超过30,000名工程师及超过560,000个元件的元件库。
Nvidia 和 Mercedes-Benz 在 10 月 15 日当地时间宣布延长战略合作伙伴关系，以共同开发下一代自动驾驶系统。合作将整合 Mercedes-Benz 的汽车工程专长及其 Mercedes-Benz Operating System (MB.OS) 与 Nvidia 的加速计算和人工智能技术，包括 Nvidia Hyperion、Alpamayo 和 Halos。双方还计划开发 Level 4 自动驾驶技术，例如机器人豪华轿车。此外，Mercedes-Benz 在其 MO360 数字化生产系统中使用 Nvidia 技术，以提升全球制造厂的效率和质量。
onsemi与Sungrow宣布将onsemi的EliteSiC混合功率模块技术集成到Sungrow的PowerTitan 3.0储能平台，用于电网级储能系统的高功率DC-AC转换。据onsemi称，与上一代平台相比，新架构将逆变器级效率提升0.4个百分点，支持额定功率最高450 kW的功率转换单元，峰值效率超过99.3%。onsemi的分析显示，在100 MW电池储能装置中，0.4%的效率提升每年可节省超过475 MWh电量（与上一代模块相比）。该SiC混合技术结合碳化硅与硅功率器件，采用三级逆变器架构，提供更高功率密度和更好热性能。双方曾在平台开发、系统优化、工程验证和资格认证方面合作，此次采用建立在两家公司既有的战略关系之上。
总部位于美国加州Commerce的XMax Inc(前身Nova LifeStyle Inc)——该公司原主营现代家具的设计、采购与分销,后多元化发展人工智能软件及平台服务——已同意收购Hexa Creation Inc。Hexa Creation是一家美国公司,专注于面向AI数据中心电源基础设施及其他高压应用的1200V垂直氮化镓(GaN)功率半导体技术。协议已达成,但来源未说明交易完成时间及是否需监管批准。
Inission 以 5.3百万欧元收购巴伐利亚数字技术（BDT），标志其首次在德国设立业务。协议于2026年10月15日签署，计划于2026年11月2日完成交易。BDT成立于1969年，约有110名员工，2025年收入约2000万欧元，EBITDA 125万欧元。所有员工将留任，BDT将保留当地存在并获益于Inission的网络和资源。
Navitas Semiconductor宣布与NVIDIA合作开发一款24 kW、800 VDC转12 VDC的电源传输板(PDB),面向下一代AI数据中心基础设施，基于Navitas的GaNFast技术，支持NVIDIA MGX生态系统，可将电源直接传送给高性能计算处理器(xPU)。该方案计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。此板为Navitas此前与NVIDIA合作发布的20 kW、800 V转6 V电源板的后续产品，两者均支持高压直流配电过渡及GaN和SiC技术在AI基础设施中的应用。新板设计目标为最高24 kW输出、满载效率97%、功率密度超过2,000 W/in³,采用NVIDIA 400 mm × 60 mm外形规格，可集成在计算主板靠近xPU处；采用单级转换架构，直接将800 VDC转换为12 VDC,省去常规50 V转12 V中间总线转换器(IBC)级，减少转换步骤、功率损耗和元件数量；12 V输出向VRM供电。初级侧功率级使用16颗NV6034 GaNFast FET(650 V耐压、18 mΩ导通电阻)，采用堆叠半桥拓扑和8 mm × 8 mm双冷却DFN封装。
超级电容器制造商Skeleton Technologies完成了一轮由Siemens牵头的新投资，公司估值超过10亿美元。据Skeleton新闻稿，本轮融资为“九位数”金额，即至少1亿美元，但具体金额未披露。资金将主要用于在美国建设制造能力，包括自有的电芯生产，面向AI数据中心的电源系统。公司计划在硅谷投资超过2亿美元以扩大运营和研发，并与超大规模云厂商直接合作；美国扩建包括本土电芯制造计划，使Skeleton拥有从电芯到完整系统的美国全价值链。公司称其基于Curved Graphene材料的超级电容器电芯结合电力电子与控制系统，可平抑GPU集群毫秒级功率切换带来的负载波动，据称可实现最高40%的节能并带来两位数的GPU性能提升。Siemens曾于2023年支持Skeleton的扩建，Siemens Digital Industries设计并自动化了Skeleton位于德国莱比锡的SuperFactory；双方将共同为AI数据中心开发和商业化产品。Skeleton尚未披露融资规模、Siemens所持股份比例，以及美国电芯生产将在何地何时启动。
RECOM Power（奥地利电源转换方案设计制造商）与CELUS（云端电子设计自动化厂商）宣布建立合作伙伴关系，将首批RECOM电源设计引入CELUS Design Platform。该合作覆盖37个RECOM CUBO（平台上的可复用电路模块，也称Digital Datasheets）：其中29个围绕RECOM电源IC构建，用于隔离及开关DC/DC转换，分别对应RVP001（4个）、RVP003（9个）、RVP003S（1个）、RVP010（6个）、RVP6501（1个）、RVPW011（1个）、RVPW012（1个）、RVPW014（4个）、RVPW015（1个）、RVPW016（1个）等参考设计；其余8个涵盖RECOM的R-78开关稳压器（6个）和RAC AC/DC转换器模块（2个）。该合作与平台新推出的Power Nets功能同步到来，工程师可定义具有电压和方向的供电网络，Design Assistant仅提出功率规格匹配的方案；设计可通过平台与Altium Designer、KiCad、Siemens EDA和Autodesk Fusion的集成继续进行。CELUS Design Platform拥有超过30,000名工程师用户，分布超过100个国家，元件库包含超过560,000个元器件。此事件为合作宣布，原文未说明价格或供货影响。
西门子宣布推出Tessent™ Silicon Executable（TSE）软件，这是一款独立应用程序，可将测试图形转换并直接应用到高速接口与协议（标题提及PCIe和USB）上执行，并从测试设备生态系统向Tessent In-System Test片上硬件传递测试数据。该软件是西门子宣布的产品发布，属于生态合作性质：TSE与自动测试设备（ATE）供应商Advantest和Teradyne合作发布。Advantest表示将把西门子TSE集成到其带Link Scale的V93000平台，并通过SiConic扩展至硅前验证和DFT实验室工程；Teradyne表示已将Tessent Silicon Executable集成到其UltraFLEXplus的UltraPort仪器中，并称其是首家为客户提供通过PCIe运行SSN、面向PCIe Gen 6接口的标准路径的测试机公司，称这可显著提升性能并缩短测试时间。西门子EDA的Ankur Gupta给出的原因是：硅复杂性、多裸片和新晶体管技术正在推动测试内容增长。原文未提供价格或市场影响的量化数据。
10月10日消息，宁德时代宣布与赛力斯集团在重庆签署长期战略合作协议。据介绍，问界品牌自创立以来全系车型均搭载宁德时代电池，截至目前累计交付已突破120万台；以此为新起点，问界将继续长期全系搭载宁德时代电池。双方将围绕三大核心领域深化协同：其一，扩建"厂中厂"产能，加速赛力斯超级工厂"厂中厂"二期建设，二期年规划产能10-12GWh，建成后一、二期总年产能将超20GWh（属规划，尚需建成）；其二，构建超充补能生态，围绕超充网络与电池服务展开合作；其三，加速全球化布局，联合开拓欧洲、中东及中亚等海外市场。文中还提到，去年6月宁德时代在赛力斯超级工厂的两条CTP 2.0高端电池包产线正式投产，这是宁德时代在重庆布局的首个基地，并首次采用"厂中厂"合作模式，为问界系列车型本地化生产供应动力电池系统。
美光与三星正将HBM基板生产外包给台积电，美光预计NVHBM将带来更高ASP与利润率。随着NVIDIA NVHBM架构将内存控制器移至基板，定制化HBM需求激增，推动供应链重构。
美光与三星外包基板生产至台积电，并预期定制化HBM将推升ASP与毛利率。
英飞凌科技有限公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)与瑞士量子计算公司、苏黎世联邦理工学院衍生企业ZuriQ AG今日宣布扩大双方合作，推进可扩展量子计算硬件的开发。该合作将ZuriQ的囚禁离子量子计算架构与英飞凌在半导体制造、先进封装和集成光子学方面的专长相结合。此前双方的开发工作通过囚禁九个可单独控制的离子构成3×3阵列，实现了迄今该类型最大的二维阵列，验证了该新型架构的可行性；合作的下一步是将该技术扩展到显著更多的量子比特数量。ZuriQ开发了原生二维Penning微型阱架构，利用电场和磁场在芯片上直接移动离子，避免了复杂的结结构，更易容纳更大的量子比特阵列。该合作属于计划中的合作扩展，尚处于推进阶段。原文未说明原因导致的供应影响；本事件未涉及任何价格变动或产能数字。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |