BOS与LG、Hana Micron合作开发车用芯粒
BOS Semiconductors将于10月21日与LG电子和Hana Micron合作开发基于芯片的汽车半导体，涵盖从设计到商业化的整个开发周期。BOS将供应用于自动驾驶的NPU芯片，LG将提供用于车辆控制的基础芯片，Hana Micron将负责封装和测试。
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BOS Semiconductors将于10月21日与LG电子和Hana Micron合作开发基于芯片的汽车半导体，涵盖从设计到商业化的整个开发周期。BOS将供应用于自动驾驶的NPU芯片，LG将提供用于车辆控制的基础芯片，Hana Micron将负责封装和测试。
Infineon Technologies与美国碳化硅(SiC)厂商Wolfspeed于10月15日宣布一项新的多年期8英寸SiC晶圆供应协议。该协议将双方现有的供应合作从6英寸衬底技术过渡到8英寸衬底技术，使两家公司能够满足电动汽车(EV)、可再生能源系统以及AI数据中心电力基础设施的未来需求。原文说明此举旨在削减成本并满足不断上升的AI电力需求；该协议为已宣布的供应协议，8英寸过渡的实施完成情况原文未说明。
Qisda集团正瞄准数据中心的机架级AI机遇，加快开发其机架级AI解决方案。Qisda通过自主设计、制造及跨领域整合，将Alpha Networks、Aewin Technologies、Arivor Technologies和GrAndvance Technology四家公司整合在一起，结合高速连接、模块化计算与先进液冷技术，共同打造从单台设备到完整机架级系统的灵活、可扩展AI基础设施。该合作属于已公布的整合与开发计划，原文未说明具体时间表或财务细节。
三星电机（SEMCO）已与一家全球大公司签署一份价值3604.87亿韩元（约2.6亿美元）的存储器封装基板长期供应协议，出货计划于2027年开始。该公司未披露客户或具体应用。该协议将其长期合同覆盖范围从多层陶瓷电容器（MLCC）和硅电容器扩展至基板；据标题，其长期合同总额达4.3万亿韩元。
Contrel Technology与FSE在TPCA Show 2026上联合展示了双核心激光微加工与等离子体制程技术，目标市场为先进封装与高端基板制造。两家公司的解决方案涵盖从表面处理、残留物去除，到激光修整、去键合、开槽及切割等关键制程。
据THE ELEC 10月20日获取的信息，马斯克的特斯拉与SpaceX正在与韩国半导体材料、零部件及设备供应商洽谈，为其Terafab芯片制造项目构建供应链。多家公司已签署保密协议（NDA）并进入具体产品讨论。10月13日展览开幕当天上午，Terafab代表在旧金山举行的SEMICON West 2026（10月13日至15日）参观了约10家韩国公司的展位，包括ENF Technology、Dongjin Semichem、Asflow、BMT、GnG Intech、Unisem、MiCo和Hanmi Semiconductor；与许多公司的洽谈已进行数月。其中ENF Technology、Asflow和GnG Intech为首次接触；BMT洽谈阀门和流体处理部件；KoMiCo约一个月前与特斯拉和SpaceX签署三方NDA，讨论得州研发中试线的清洗服务；Unisem已签NDA讨论洗涤塔等环保设备；Dongjin Semichem与特斯拉洽谈两三个月，围绕其得州 thinner工厂，磷酸等材料也在讨论中；Hanmi Semiconductor正讨论向Terafab供应TC键合机；HPSP已同意为Terafab研发线供应一台高压氢退火（HPA）系统；ISC已进入样品和研发设计信息交换阶段。海外方面，Fujifilm定期与Terafab采购团队就CMP浆料、光刻胶、蚀刻剂和清洗化学品举行会议；Lam Research和Applied Materials据称已建立专门的Terafab团队。特斯拉和SpaceX不与中国供应商开展业务，业界人士称其寻求甚至低于中国供应商的价格，韩国因此成为优选。Terafab项目于3月由特斯拉、SpaceX和xAI宣布共同推进，目标是在10年内建成月处理100万片晶圆的工厂，初始投资估计为168亿美元，预计创造3000多个岗位；SpaceX本月初与得州签署税收减免协议并已开工建设，业界预期首期月产能10万片晶圆的设施在2030年前建成。上述供应合作多数仍处于洽谈阶段，尚未确认为最终供货。
据IT之家10月20日消息，韩媒ETNEWS当地时间昨日（10月19日）报道称，联想、惠普、戴尔等主要PC品牌已同存储器制造商签署长期协议（LTA），通过合同保障2027年供应稳定性。一位业内人士表示，内存与存储的供需在2026H1时存在20~30%的缺口，导致实际PC产能未达到应有水平；稳定的供应和缓和的涨幅有利于PC行业在2027年发展。报道还指出，尽管存储器和部分其它零组件成本持续上涨导致终端售价提升、抑制一般消费者换机热情，但商务领域仍看重人工智能带来的生产力提升，新一轮商务换机周期即将到来，B2B正成为2027年PC市场争夺的关键细分领域。
Sandisk 于2026年10月14日从加利福尼亚州米尔皮塔斯发布的新闻稿中宣布，将成为 Meta VR Glasses 的独家闪存存储供应商，在该产品于2027年春季上市时供应经 Meta 认证的 microSD Express 存储卡和 USB-C 闪存盘。该合作尚属公告阶段，产品尚未上市。原文未说明原因。
据称，三星正与台积电合作，为NVIDIA新发布的NVHBM存储标准获取基底裸片（base die）供应；该报道性质为传闻（reportedly），合作尚未被证实落地。NVIDIA声称，与标准HBM4E相比，NVHBM将控制器集成到3D HBM堆栈中，可提供最高30%的额外内存带宽、降低15%的HBM功耗，并带来最高25%的额外可用计算裸片面积。报道称NVHBM量产前须满足若干严格条件，其中之一是NVIDIA的NVHBM基底裸片必须采用台积电3nm节点制造；尽管三星拥有自己的3nm产线，但据称NVIDIA的IP针对台积电节点优化，迫使三星与台积电合作并成为其客户。该安排仅针对基底裸片；在存储部分，三星将继续使用其第六代10nm工艺（HBM制造的典型工艺），即仅部分生产由台积电负责。
10 月 19 日消息，SK 海力士今日宣布与商业银行共同出资 2 万亿韩元（约合 99.86 亿元人民币），扶持韩国半导体材料、零部件和设备供应商，旨在提升韩国本土半导体产业。参与机构包括 KB 国民银行、新韩银行、友利银行和韩亚银行，以及多家主要半导体材料、零部件及设备供应商；SK 海力士和参与银行将共同提供资金，K-SURE（韩国贸易保险公社）负责提供担保。此外，该项目部分资金将用于建设 Trinity Fab，以支持与半导体大规模量产相关的技术研发，该项目投资额为 8,700 亿韩元（约合 43.44 亿元人民币），目标是增强韩国本土材料、零部件及设备供应商的技术自主能力，并加快相关技术和产品的国产化进程。
据市场消息，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技为其生产NVHBM（英伟达的定制HBM技术，HBM即高带宽内存），其中基底裸片（BaseDie）采用台积电3nm制程，核心裸片（CoreDie）则采用第六代DRAM（动态随机存取存储器）技术，消息称三星电子已决定接受英伟达的技术要求。该消息的真实性尚属传闻层面：10月19日，三星电子回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。原文未说明原因。
Sandisk于10月19日宣布，将成为Meta虚拟现实(VR)眼镜闪存的独家供应商，该VR眼镜计划于2027年春季推出。产品包括microSD Express存储卡和USB-C闪存盘。Sandisk近期与Meta建立合作伙伴关系，共同设计面向VR应用的闪存产品，相关产品已通过初步测试以满足Meta的质量标准。Sandisk将在Meta VR眼镜推出后开始销售相关存储产品。Sandisk消费产品副总裁Sujin Park表示，高性能microSD Express存储卡与Meta VR眼镜兼容，用户可即时扩展可用存储。原文未说明该合作对价格或供应的影响。
10月19日，北京铭芯启睿科技有限公司宣布完成超4亿元A轮融资，由博原资本领投，博世创投、米哈游、兆易创新等跟投，小米战投等老股东持续加注；相关报道未披露本轮估值及股权稀释比例。本轮资金将用于RRAM（阻变存储器）产业化、商业化及新产品LPU（语言处理单元）研发。同日披露前Graphcore总裁兼大中华区总经理卢涛加入公司，出任CEO兼联合创始人，并启动第一代LPU研发，面向大模型推理场景；卢涛表示第一代LPU不采用RRAM，将使用更成熟的存储介质，目标为支持数万亿参数完整模型、实现每用户每秒1000 Token，该指标为研发目标，尚无实测性能支撑；LPU目前处于研发阶段，未披露流片、验证或交付时间表。此前10月14日，公司发布首代1Gb RRAM芯片泰山一号流片信息，基于1TnR技术路线（1T4R结构，一个选择晶体管对应四个阻变存储单元），搭配28纳米CMOS工艺，披露存储密度30Mb/mm²、访问延时小于20纳秒，并集成片上硬件纠错电路；泰山一号已完成流片、正在推进验证，尚未披露量产进展。公司三条产品线中的嵌入式RRAM IP已进入客户场景并计划扩大规模，但未披露客户名称、订单金额或出货量；混合存算产品未披露具体芯片型号、流片进度或商业化节点。
日本三菱重工(MHI)与西班牙公司Ingeteam宣布签署谅解备忘录(MOU),结成战略合作伙伴关系,面向美国数据中心分销、集成并联合开发先进能源基础设施解决方案。该联盟将MHI在集成电力、冷却和能源管理方面的专长,与Ingeteam在旋转电机、电力电子、控制与自动化及数字技术方面的专长相结合,帮助数据中心运营商应对下一代AI工作负载带来的电能质量和电网接入挑战。双方计划通过MHI集团扩大Ingeteam电力转换解决方案及相关软件在美国数据中心市场的供应,并探索将部分技术集成到MHI集团为客户开发的先进能源基础设施架构中。该合作目前为签署MOU层面的规划,联合开发与市场拓展尚属意向性安排。
英伟达要求三星、美光和海力士使用台积电3纳米节点制造的基die用于其定制NVHBM，原因是标准化；三星和美光已确认同意该请求，预计2027年量产；海力士已使用台积电12纳米工艺生产HBM4基die；三星亦在验证其2纳米工艺作为备用；三星将继续为不想采用NVHBM的客户生产标准HBM。NVHBM相比标准HBM4E可提供最高30.%更高带宽和15%更低功耗。
Lens Technology 通过提出收购 PMG International 控股股权的方案，计划投资 2500 万美元进入 AI 服务器冷却市场，以获得服务器机架制造和液冷技术。该交易尚未完成，属于所提议的收购，文中未说明原因。此举将使公司在现有消费电子和汽车零部件业务之外进一步多元化。
Clunix与NeoAI Cloud签署谅解备忘录，计划在浦合AI数据中心构建AI与HPC一体化运行环境，Clunix将把其AI与HPC管理技术集成到NeoAI Cloud正在建设的下一代GPU基础设施中，并使用其AI编排平台NovaTier建立裸金属GPU集群供给、AI与HPC一体化工作负载调度以及NVL72等机架级系统的运行环境。该数据中心为全液冷AI专用设施，项目总成本6000亿韩元，一期目标容量40兆瓦，可容纳约10000颗Nvidia下一代Vera Rubin GPU，机架功率密度超过150千瓦，完工时间定于2027年11月；NHN Cloud已预租一半可用容量即16兆瓦并将联合运营。双方还将利用Clunix在制造业和研究领域的HPC客户基础，吸引浦合钢铁、材料、二次电池产业及本地研究机构的计算需求。
英飞凌根据一项扩大并延长的长期供应协议，从Wolfspeed获得8英寸碳化硅(SiC)晶圆供应。该协议使这家德国芯片制造商为其SiC晶圆厂转换所需的更大尺寸衬底获得了另一个供应来源；对这家美国材料供应商而言，该协议意味着一家顶级客户在其财务重组约一年后作出的采购承诺。
据《首尔经济日报》10月18日援引业内消息人士的报道，三星电子在内部评估后已同意使用台积电3nm工艺为NVHBM（英伟达下一代定制HBM）生产基底裸片（base die）。报道称，这将是两家公司首次在HBM制造阶段展开合作。报道指出，英伟达的定制内存设计正在将HBM制造的部分控制权从内存厂商转移至其最大客户，并将其中一部分工作导向台积电。该内容为媒体报道，援引业内消息人士，合作实际落地情况有待确认。
据Seoul Economic Daily报道（ZDNet曾在9月报道三星为定制HBM采取双轨策略，同时利用自家代工和竞争对手台积电），NVIDIA已要求三星、SK hynix和美光在其于8月发布的NVHBM基底层中采用台积电3nm工艺。据称三星设备解决方案（DS）部门经内部评估后同意了这一要求。报道给出的原因是：NVIDIA推动供应商间生产标准化以确保HBM性能一致并简化产品验证；此外行业估计台积电3nm良率超过90%，而三星代工2nm（SF2）工艺良率约为60%。NVHBM的定制基底层集成了传统上由GPU承载的内存控制器；据NVIDIA称，相比标准HBM4E，该技术提供最多30%的更高内存带宽、15%的更低HBM功耗和25%的更多XPU计算裸片面积。该合作并非全新：据Seoul Economic Daily，三星和台积电四年前首次合作以确保HBM与台积电GPU封装工艺兼容，此次是首次延伸至HBM制造。三星仍保留自有代工选项：由于台积电3nm产能面临AI加速器和智能手机芯片的竞争需求，三星正在2nm工艺上验证NVHBM基底层生产，作为台积电产能受限时的潜在替代方案。台积电在10月15日的财报电话会议上提示3nm产能紧张，该节点占第三季度晶圆销售额的33%，为其所有工艺节点中最大份额；据Economic Daily News，董事长兼CEO魏哲家宣布在台南再建一座3nm晶圆厂的计划（叠加亚利桑那、日本熊本和台湾南部科学园区的现有扩建项目），新厂定于2028年上半年开始量产。三星还继续为标准HBM产品线自制基底层：今年早些时候进入量产的HBM4和正在进行生产验证的HBM4E均使用三星代工4nm工艺制造基底层，其核心裸片在其华城和平泽园区的1c DRAM产线上制造；三星计划对供应其他客户（包括AMD）的定制HBM保持基底层turnkey生产方式。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |