英飞凌10月21日表示，正扩大与Nvidia在AI数据中心800伏直流供电架构上的合作，聚焦中间总线转换器（IBC）中的氮化镓（GaN）芯片
英飞凌于10月21日表示，公司正在扩大与Nvidia在面向AI数据中心800伏直流供电架构方面的合作，重点聚焦中间总线转换器（IBC）中使用的氮化镓（GaN）芯片。该合作仍属计划/推进中的合作事项，原文未披露具体时间表、出货安排或原因。
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英飞凌于10月21日表示，公司正在扩大与Nvidia在面向AI数据中心800伏直流供电架构方面的合作，重点聚焦中间总线转换器（IBC）中使用的氮化镓（GaN）芯片。该合作仍属计划/推进中的合作事项，原文未披露具体时间表、出货安排或原因。
英飞凌与Wolfspeed签署多年期200mm碳化硅晶圆供应协议。该协议将英飞凌现有与Wolfspeed的供应关系转向用于碳化硅制造的大直径衬底。原文未说明协议金额、供应数量或生效时间等细节。
据36氪报道，近日具身智能大算力芯片企业辉羲智能宣布，随着Pre-B+及B轮融资相继完成，公司2026年内累计股权融资规模已超25亿元。本轮融资由北京市人工智能产业投资基金领投，北京机器人产业发展投资基金、隐山资本、正心谷资本、金浦投资、建投投资、华泰宝利、慧目圆轮、上河动量基金、国家人工智能产业投资基金等政府基金及市场化投资机构共同参与；顺为资本、元生资本、凯辉基金、商汤国香资本、博华产投、国汽投资、朗玛峰创投、三七互娱、盛奕资本、星连资本、卓源亚洲资本等老股东持续加码。公司表示本轮融资将重点用于新一代具身智能大算力芯片研发，并加快规模化交付及产业生态建设。该事件为融资完成的消息披露，属投资类背景信息，对具体芯片价格与供给的直接影响原文未说明。
总部位于德国慕尼黑的英飞凌科技股份公司正在推进与英伟达（NVIDIA）在面向AI数据中心的800V直流（VDC）电力架构方面的合作。该公告的发布时间恰逢英伟达于10月20日至22日举行的GTC柏林开发者大会，公告聚焦于高压中间总线转换器（IBC）——AI数据中心供电链中最关键、要求最严苛的转换环节之一。原文未说明原因（未说明合作推进的具体原因）。该事件为公告性质，不等于合作成果已实现。
10月21日，英飞凌宣布深化与英伟达的合作，推进面向AI数据中心的800伏直流（800 VDC）供电架构，重点开发高压中间总线转换器（IBC）。英飞凌将利用氮化镓（GaN）功率半导体技术，提高电源转换效率和功率密度，降低能量损耗及散热需求。此次合作延续双方自2025年启动的800伏直流供电架构项目，涵盖中间总线转换及电源路径保护等环节，旨在支持更高功率密度的AI数据中心，并提升服务器机架带电插拔维护能力。
Infineon Technologies与美国碳化硅(SiC)厂商Wolfspeed于10月15日宣布一项新的多年期8英寸SiC晶圆供应协议。该协议将双方现有的供应合作从6英寸衬底技术过渡到8英寸衬底技术，使两家公司能够满足电动汽车(EV)、可再生能源系统以及AI数据中心电力基础设施的未来需求。原文说明此举旨在削减成本并满足不断上升的AI电力需求；该协议为已宣布的供应协议，8英寸过渡的实施完成情况原文未说明。
CoolIT Systems与Stäubli宣布将直插式液冷技术扩展至AI数据中心使用的高功率光收发器。该方案结合CoolIT的CP-OSFP冷板与Stäubri的Mini Quick Disconnect（Mini QD）技术，后者是与Ciena合作开发的，旨在满足下一代OSFP光模块的散热需求。原文未说明该方案是否已量产或部署，属于合作方案公布。
NVIDIA与Cisco宣布联合开发超密小型可插拔（USFP）新型光收发器封装规格，面向下一代AI工厂，旨在支持每通道400 Gb/s的连接。该技术宣称带宽密度为现有每通道200 Gb/s可插拔光模块的四倍，同时提升能效，容量最高可达12.8 Tb/s。此为联合开发与发布性质，尚未表明已实现量产或部署。
中国设备供应商AMEC（中微公司）正通过与SK Keyfoundry和Magnachip进行MOCVD设备测试，寻求进入韩国功率半导体市场，目前处于试验阶段，尚未形成确定的供货合作。AMEC在其国内MOCVD市场占有较大份额，但至今仍无法向三星电子和SK海力士的韩国工厂供货。原文未说明导致其无法供货的具体原因。
电池储能供应商Sungrow正在采用onsemi的SiC功率模块技术，以实现逆变器级效率提升0.4%。来源标题称该技术将公用事业级电池储能效率提升至99%以上。原文未说明除效率提升之外的其他原因或条件。
ASML与Xanadu宣布开展合作，研究先进光刻工艺能否抑制光子量子计算中最关键的工程限制之一——光子损耗。双方将针对Xanadu的光子量子硬件研究先进光刻工艺，重点考察更严格的图形化控制能否抑制损耗机制并改善容错、实用规模机器的前景。该合作计划特别将光学损耗与线边缘粗糙度（LER）联系起来：光刻定义波导及其他纳米光子结构的横向边界，实际边缘中的纳米级偏差会扰动波导折射率边界，将导光耦合到辐射模式或产生背散射，导致传播损耗。ASML贡献光刻成像、工艺窗口、计量和计算校正方面的专长，Xanadu贡献器件需求、光子电路设计和量子级性能数据。原文明确指出：该合作并不意味着ASML在制造量子计算机，公告也未指定生产节点、工具平台或数值损耗目标；这是一项研究工作，旨在理解哪些光刻手段可以制造更低损耗的光子结构，近期成果是工艺知识而非成品容错机器。成功还将取决于封装、光纤到芯片耦合、探测器效率和光源质量，这些仅靠光刻无法解决。
总部位于美国加州El Segundo的Efficient Power Conversion Corp（EPC）表示，其EPC2361 100V eGaN FET已被用于Analog Devices Inc（ADI）的一款高性能降压-升压转换器参考设计，该设计支持4kW功率、高效率。EPC主营用于电源管理应用的增强型氮化镓硅（eGaN）功率场效应晶体管（FET）及集成电路。此为设计应用合作信息，原文未给出价格、供应或需求数据。
连接器制造商HARTING已加入NVIDIA MGX生态系统，成为NVIDIA Vera Rubin NVL72平台的电源连接供应商。这家德国连接器制造商正在提供大电流电源线缆组件，用于支持AI数据中心从480 VAC配电向800 VDC架构的过渡。原文未说明原因以外的背景信息。
据称，三星正与台积电合作，为NVIDIA新发布的NVHBM存储标准获取基底裸片（base die）供应；该报道性质为传闻（reportedly），合作尚未被证实落地。NVIDIA声称，与标准HBM4E相比，NVHBM将控制器集成到3D HBM堆栈中，可提供最高30%的额外内存带宽、降低15%的HBM功耗，并带来最高25%的额外可用计算裸片面积。报道称NVHBM量产前须满足若干严格条件，其中之一是NVIDIA的NVHBM基底裸片必须采用台积电3nm节点制造；尽管三星拥有自己的3nm产线，但据称NVIDIA的IP针对台积电节点优化，迫使三星与台积电合作并成为其客户。该安排仅针对基底裸片；在存储部分，三星将继续使用其第六代10nm工艺（HBM制造的典型工艺），即仅部分生产由台积电负责。
电源转换方案设计商与制造商RECOM Power与云端电子设计自动化厂商CELUS今日宣布建立合作伙伴关系，将首批RECOM电源设计引入CELUS Design Platform，具体涵盖37个RECOM CUBO（平台上的可复用电路模块，亦称Digital Datasheets）。其中29个围绕RECOM用于隔离及开关式DC/DC转换的电源IC构建，分属平台的Isolation和Switching DC-DC Conversion功能模块，包括RVP001（4个）、RVP003（9个）、RVP003S（1个）、RVP010（6个）、RVP6501（1个）、RVPW011（1个）、RVPW012（1个）、RVPW014（4个）、RVPW015（1个）、RVPW016（1个）；其余8个覆盖RECOM的R-78开关稳压器（6个：R-783.3-0.5 V1/V2、R-785.0-0.5 V1/V2、R-78AA3.3-0.5 V1/V2）和RAC AC/DC转换器模块（2个：RAC02E-3.3SK/277 V1、RAC04-09SGA V1）。每个CUBO由RECOM数据手册、应用笔记和参考设计构建，包含电源IC、配套元件及完整物料清单。该合作与平台新增的Power Nets功能同步推出：工程师定义带电压和方向的供电网络后，Design Assistant仅提出功率规格匹配的方案，设计可通过平台与Altium Designer、KiCad、Siemens EDA和Autodesk Fusion的集成在工程师自有工具中继续。此次合作使这些RECOM设计触达在100多个国家使用CELUS Design Platform的超过30,000名工程师及超过560,000个元件的元件库。
Flex于2026年10月19日完成了对EPC Power的收购，将其纳入云与电力基础设施部门，以增强在电力、冷却和计算方面的能力，满足AI基础设施和800V数据中心电力架构的需求。EPC Power拥有超过15 GW的部署量，支持电网稳定和备用电源。Flex计划于2027年第一季度将云与电力基础设施部门分拆为独立的上市公司Axiom Solutions International, Inc.。
LS Electric 与美国主要科技公司签署价值约1700亿韩元的合同，供应人工智能数据中心的开关设备；另据其于10月19日宣布的长期协议价值为1.2523亿美元，用于北美数据中心的电力分配解决方案。合同覆盖2027年至2028年，2027年交付量已确定，2028年待谈判。产品为38千伏高压开关设备系统。原文未说明原因。
据NUBURU Inc（美国科罗拉多州Centennial，两用防务与安全综合平台公司）披露，该公司已通过其子公司NUBURU Defense LLC完成对Tekne S.p.A. 70%控股权益的收购，交易公证交割在意大利完成；此次交割 follows 意大利政府于8月5日授予的Golden Power（黄金权力）授权（来源未给出该授权及交割的年份）。Tekne的历史股东保留剩余30%的权益。标题另指此次收购为NUBURU新增价值9300万美元的防务与两用项目组合。
日本三菱重工(MHI)与西班牙公司Ingeteam宣布签署谅解备忘录(MOU),结成战略合作伙伴关系,面向美国数据中心分销、集成并联合开发先进能源基础设施解决方案。该联盟将MHI在集成电力、冷却和能源管理方面的专长,与Ingeteam在旋转电机、电力电子、控制与自动化及数字技术方面的专长相结合,帮助数据中心运营商应对下一代AI工作负载带来的电能质量和电网接入挑战。双方计划通过MHI集团扩大Ingeteam电力转换解决方案及相关软件在美国数据中心市场的供应,并探索将部分技术集成到MHI集团为客户开发的先进能源基础设施架构中。该合作目前为签署MOU层面的规划,联合开发与市场拓展尚属意向性安排。
英伟达要求三星、美光和海力士使用台积电3纳米节点制造的基die用于其定制NVHBM，原因是标准化；三星和美光已确认同意该请求，预计2027年量产；海力士已使用台积电12纳米工艺生产HBM4基die；三星亦在验证其2纳米工艺作为备用；三星将继续为不想采用NVHBM的客户生产标准HBM。NVHBM相比标准HBM4E可提供最高30.%更高带宽和15%更低功耗。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |