Atomera与IQE签署联合开发协议，推动高性能、低成本RF GaN-on-Si进入量产市场
半导体晶体管材料与技术授权公司Atomera Inc（美国加州Los Gatos）与英国威尔士加的夫的外延晶圆及衬底制造商IQE plc签署联合开发协议（JDA），旨在将高性能、具成本效益的RF氮化镓（GaN-on-Si）推向量产市场。该协议为联合开发安排，属于计划性质，尚处开发阶段，量产尚待实现。
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半导体晶体管材料与技术授权公司Atomera Inc（美国加州Los Gatos）与英国威尔士加的夫的外延晶圆及衬底制造商IQE plc签署联合开发协议（JDA），旨在将高性能、具成本效益的RF氮化镓（GaN-on-Si）推向量产市场。该协议为联合开发安排，属于计划性质，尚处开发阶段，量产尚待实现。
英飞凌(Infineon)与英伟达(NVIDIA)正扩大双方在面向800V直流AI数据中心的氮化镓(GaN)功率解决方案上的合作，为1 MW以上机架铺平道路；据消息，NVIDIA的目标是从2027年开始采用该方案。该消息为合作扩大的报道，不涉及具体价格变动或产能数据。
英飞凌于10月21日在柏林举行的NVIDIA GTC开发者大会上宣布，与英伟达扩大在AI数据中心电力输送方面的合作。双方将共同开发基于氮化镓（GaN）功率器件的高压中间母线变换器（IBC）解决方案，用于800V直流（800V DC）架构。该扩展合作建立在两家公司于2025年启动的800V DC电力输送计划基础上，聚焦高功率AI机架的功率转换，并将支持服务器机架热插拔维护。英飞凌将利用其CoolGaN产品组合，采用高频开关技术应对多种转换配置，包括800V转50V和800V转12V；方案面向英伟达用于AI工厂的MGX开放式模块化参考架构。该电力架构面向每机架功耗高达1 MW的AI计算系统，部署预计于2027年开始逐步推进。双方最早于2025年5月宣布就800V DC数据中心电力输送开展合作，初期计划涵盖碳化硅（SiC）和GaN两种技术；最新扩展更侧重GaN用于中间母线变换。除GaN IBC外，英飞凌还在为英伟达的800V DC生态系统提供SiC器件、功率保护元件及其他功率产品，覆盖从电网到AI处理器的电力输送链。方案目标是提高功率密度、降低输送链功率损耗、降低散热硬件要求，并支持服务器主板受控预充放电及机架运行中热插拔，以降低数据中心维护期间服务中断风险。
英飞凌于10月21日表示，公司正在扩大与Nvidia在面向AI数据中心800伏直流供电架构方面的合作，重点聚焦中间总线转换器（IBC）中使用的氮化镓（GaN）芯片。该合作仍属计划/推进中的合作事项，原文未披露具体时间表、出货安排或原因。
总部位于德国慕尼黑的英飞凌科技股份公司正在推进与英伟达（NVIDIA）在面向AI数据中心的800V直流（VDC）电力架构方面的合作。该公告的发布时间恰逢英伟达于10月20日至22日举行的GTC柏林开发者大会，公告聚焦于高压中间总线转换器（IBC）——AI数据中心供电链中最关键、要求最严苛的转换环节之一。原文未说明原因（未说明合作推进的具体原因）。该事件为公告性质，不等于合作成果已实现。
10月21日，英飞凌宣布深化与英伟达的合作，推进面向AI数据中心的800伏直流（800 VDC）供电架构，重点开发高压中间总线转换器（IBC）。英飞凌将利用氮化镓（GaN）功率半导体技术，提高电源转换效率和功率密度，降低能量损耗及散热需求。此次合作延续双方自2025年启动的800伏直流供电架构项目，涵盖中间总线转换及电源路径保护等环节，旨在支持更高功率密度的AI数据中心，并提升服务器机架带电插拔维护能力。
总部位于美国加州El Segundo的Efficient Power Conversion Corp（EPC）表示，其EPC2361 100V eGaN FET已被用于Analog Devices Inc（ADI）的一款高性能降压-升压转换器参考设计，该设计支持4kW功率、高效率。EPC主营用于电源管理应用的增强型氮化镓硅（eGaN）功率场效应晶体管（FET）及集成电路。此为设计应用合作信息，原文未给出价格、供应或需求数据。
onsemi与Sungrow宣布将onsemi的EliteSiC混合功率模块技术集成到Sungrow的PowerTitan 3.0储能平台，用于电网级储能系统的高功率DC-AC转换。据onsemi称，与上一代平台相比，新架构将逆变器级效率提升0.4个百分点，支持额定功率最高450 kW的功率转换单元，峰值效率超过99.3%。onsemi的分析显示，在100 MW电池储能装置中，0.4%的效率提升每年可节省超过475 MWh电量（与上一代模块相比）。该SiC混合技术结合碳化硅与硅功率器件，采用三级逆变器架构，提供更高功率密度和更好热性能。双方曾在平台开发、系统优化、工程验证和资格认证方面合作，此次采用建立在两家公司既有的战略关系之上。
总部位于美国加州Commerce的XMax Inc(前身Nova LifeStyle Inc)——该公司原主营现代家具的设计、采购与分销,后多元化发展人工智能软件及平台服务——已同意收购Hexa Creation Inc。Hexa Creation是一家美国公司,专注于面向AI数据中心电源基础设施及其他高压应用的1200V垂直氮化镓(GaN)功率半导体技术。协议已达成,但来源未说明交易完成时间及是否需监管批准。
Navitas Semiconductor宣布与NVIDIA合作开发一款24 kW、800 VDC转12 VDC的电源传输板(PDB),面向下一代AI数据中心基础设施，基于Navitas的GaNFast技术，支持NVIDIA MGX生态系统，可将电源直接传送给高性能计算处理器(xPU)。该方案计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。此板为Navitas此前与NVIDIA合作发布的20 kW、800 V转6 V电源板的后续产品，两者均支持高压直流配电过渡及GaN和SiC技术在AI基础设施中的应用。新板设计目标为最高24 kW输出、满载效率97%、功率密度超过2,000 W/in³,采用NVIDIA 400 mm × 60 mm外形规格，可集成在计算主板靠近xPU处；采用单级转换架构，直接将800 VDC转换为12 VDC,省去常规50 V转12 V中间总线转换器(IBC)级，减少转换步骤、功率损耗和元件数量；12 V输出向VRM供电。初级侧功率级使用16颗NV6034 GaNFast FET(650 V耐压、18 mΩ导通电阻)，采用堆叠半桥拓扑和8 mm × 8 mm双冷却DFN封装。
据2026年10月7日报道，Navitas Semiconductor已完成对面向AI数据中心的集成电压调节器（IVR）开发商Claros的收购。此次收购将最靠近处理器的末级电源转换环节加入Navitas的GaN和SiC产品组合。Claros的技术将功率晶体管、数字控制、电感和电容集成到单一IVR技术堆栈中，用于封装式和嵌入式两个IVR产品系列，面向电源转换在处理器附近进行的垂直和嵌入式供电架构；据Navitas称，这带来更高效率、更快瞬态响应和更高功率密度。结合其用于800 V DC架构的氮化镓和高压碳化硅技术，Navitas表示现在可以覆盖从电网到处理器的整个电源链。Navitas预计此次收购将在2030年前为其可服务潜在市场增加至少35亿美元，使总规模超过80亿美元，其中包括用于GaN和SiC的35亿美元以及来自新JFET技术的约10亿美元（此为预期，非已实现结果）。
Navitas半导体完成对Claros的收购，旨在拓展AI基础设施电源组合。Claros专注于为下一代AI数据中心开发集成电压调节器（IVR）技术。
此次并购将强化Navitas在AI电源管理领域的布局，可能影响未来功率器件供应格局。
希腊METLEN与日本化工巨头签署16%镓长期供应协议。该协议锁定其希腊在建工厂未来16%的年产量，旨在保障供应安全。
镓作为半导体关键材料，长期供应协议虽锁定需求，但产能尚未落地，短期价格影响中性。
Navitas拟以2.328亿美元收购Claros，旨在强化GaN与SiC策略并覆盖800V基础设施至AI处理器的功率交付。此举将增强Navitas在高功率半导体领域的市场地位。
并购交易有助于提升Navitas在GaN和SiC供应链中的整合能力与产品竞争力。
BluGlass任命Yam Rubenstein为非执行董事以支持全球运营。该公司专注于基于RPCVD技术的GaN可见激光二极管。
管理变动通常不会立即改变价格。
Navitas Semiconductor 在美国德克萨斯州东区法院起诉 Renesas Electronics，指控其 SuperGaN 等产品侵犯四项 GaN 专利。此次诉讼旨在保护 Navitas 在 AI 基础设施高功率 GaN 应用领域的知识产权。
该法律纠纷可能重塑 GaN 功率器件市场竞争格局，但短期内对现货价格影响有限。
Navitas与Magnachip宣布战略合作，加速高压及超高压SiC技术采用。此举旨在推动SiC在功率市场的应用落地。
信号，预计将提振SiC市场需求及供应链合作。
NextGO Epi获200万欧元融资，生产氧化镓晶圆。该公司源自柏林IKZ研究所，致力于下一代功率半导体用氧化镓外延片。
新玩家进入氧化镓晶圆市场对供应链格局的潜在影响。
PVA TePla与Fraunhofer研究所共建实验室，专注氮化铝晶体生产。双方将整合射频等离子体系统与集成系统技术，提升AlN基板产能。
该合作旨在长期扩产，短期内对供需格局无显著影响。
Pasqal与Aeponyx在加拿大建立PIC封装中心，获政府资助400万美元。该中心旨在汇聚HOP、Phantom Photonics等企业，强化国内量子传感技术供应链。
长期看将提升加拿大光子集成芯片封装能力，利好相关量子硬件厂商。