IBM与西门子将开展合作研究，开发IBM的nanostack晶体管架构，目标是将该设计推向制造阶段。两家公司称该工作可能影响全球芯片性能、能效和人工智能计算，因其旨在解决7埃节点之后的设计、仿真、光刻和生产挑战。此为合作研究计划，尚未涉及实际制造。
英伟达要求三星、美光和海力士使用台积电3纳米节点制造的基die用于其定制NVHBM，原因是标准化；三星和美光已确认同意该请求，预计2027年量产；海力士已使用台积电12纳米工艺生产HBM4基die；三星亦在验证其2纳米工艺作为备用；三星将继续为不想采用NVHBM的客户生产标准HBM。NVHBM相比标准HBM4E可提供最高30.%更高带宽和15%更低功耗。
据Seoul Economic Daily报道（ZDNet曾在9月报道三星为定制HBM采取双轨策略，同时利用自家代工和竞争对手台积电），NVIDIA已要求三星、SK hynix和美光在其于8月发布的NVHBM基底层中采用台积电3nm工艺。据称三星设备解决方案（DS）部门经内部评估后同意了这一要求。报道给出的原因是：NVIDIA推动供应商间生产标准化以确保HBM性能一致并简化产品验证；此外行业估计台积电3nm良率超过90%，而三星代工2nm（SF2）工艺良率约为60%。NVHBM的定制基底层集成了传统上由GPU承载的内存控制器；据NVIDIA称，相比标准HBM4E，该技术提供最多30%的更高内存带宽、15%的更低HBM功耗和25%的更多XPU计算裸片面积。该合作并非全新：据Seoul Economic Daily，三星和台积电四年前首次合作以确保HBM与台积电GPU封装工艺兼容，此次是首次延伸至HBM制造。三星仍保留自有代工选项：由于台积电3nm产能面临AI加速器和智能手机芯片的竞争需求，三星正在2nm工艺上验证NVHBM基底层生产，作为台积电产能受限时的潜在替代方案。台积电在10月15日的财报电话会议上提示3nm产能紧张，该节点占第三季度晶圆销售额的33%，为其所有工艺节点中最大份额；据Economic Daily News，董事长兼CEO魏哲家宣布在台南再建一座3nm晶圆厂的计划（叠加亚利桑那、日本熊本和台湾南部科学园区的现有扩建项目），新厂定于2028年上半年开始量产。三星还继续为标准HBM产品线自制基底层：今年早些时候进入量产的HBM4和正在进行生产验证的HBM4E均使用三星代工4nm工艺制造基底层，其核心裸片在其华城和平泽园区的1c DRAM产线上制造；三星计划对供应其他客户（包括AMD）的定制HBM保持基底层turnkey生产方式。
IBM与西门子宣布合作开展研究，以推进IBM的nanostack架构；该架构在其7埃节点上集成近1000亿颗晶体管。西门子方面贡献EDA、仿真与光刻方面的专业能力。原文未说明原因，亦未给出具体时间表或财务条款。
根据标题，本文为分析文章，讨论TSMC-GF交易将成熟制程引入AI封装及其对中国的影响。正文指出，随着全球晶圆产能快速扩张，TSMC和GlobalFoundries (GF)正在强调一个服务于先进应用、快速增长的成熟制程市场。具体而言，先进封装中对硅中介层、硅通孔(TSV)和嵌入式深沟槽电容器(eDTC)的需求，正在为成熟制程产能创造一个可观的蓝海市场。正文未说明交易的具体条款、状态或进展细节。
据TrendForce转发的报道，市场传闻三星可能终结UMC在三星Galaxy OLED显示驱动芯片（DDI）上的独家供应地位：在成熟节点产能趋紧的背景下，三星据报正在考虑将GlobalFoundries作为第二家DDI供应商，采用时间最早可能在2027年底。原文未说明原因。该消息目前仅为传闻/报道，尚无确认的合同或量产事实。
据Wccftech报道，一位韩国半导体工程师（X账号@TTHUEONE）指控特斯拉在与三星的AI5和AI6芯片代工合同中要求获取三星内部晶圆厂信息及审计权，同时大幅压低代工价格；该工程师还指控Terafab项目从三星位于得州的Taylor晶圆厂挖走大量员工，并称特斯拉之所以转向Samsung Foundry是因为TSMC未满足其要求。此前本周早些时候，马斯克曾称赞美光在存储芯片未来价格上'合理'，并称其他厂商'敲诈'，被普遍解读为对三星的批评。背景方面：Business Post曾在3月警示Terafab（厂址距三星Taylor厂约30分钟车程）可能加剧对人才和设备以及知识产权/制程诀窍的竞争；Financial News于10月12日报道三星已开始从韩国抽调先进制程良率工程师赴Taylor厂并扩大当地招聘，为计划2027年的2nm量产做准备，目标2026年底前投运，特斯拉是关键客户之一；Seoul Economic Daily在9月报道三星已在Taylor厂试产特斯拉AI5芯片，良率验证进行中，2027年全面量产。AsiaToday早前报道称特斯拉AI5/AI6订单预计支撑Taylor厂初期产能利用率，且TSMC可能参与Terafab或使三星争取未来订单复杂化。TSMC董事长魏哲家确认正就Terafab进行讨论但结果不确定，并强调涉及TSMC的晶圆厂须由其自身运营；而据路透社，马斯克在10月7日表示其公司将自建自营Terafab，TSMC可能转租部分设施而非承担运营角色。
KeyBanc近期亚洲调研的相关转述消息称，英特尔代工服务已取得多家科技公司的项目进展，涉及博通、Google、苹果、AMD、微软和英伟达，项目包括为博通制造网络交换芯片、为Google和微软生产服务器CPU、为苹果制造A系列与M系列处理器、为AMD生产客户端处理器计算模块，以及为英伟达Rubin游戏显卡代工芯片；亚马逊AWS、Anthropic和SpaceX/Tesla旗下Terafab据称仍在评估英特尔14A与18A-P工艺。报道明确指出，客户名单及合同状态尚未得到英特尔或相关公司公开确认，且未披露签约范围、具体制程、投片时间或采购数量，不宜视为已确认的量产订单。KeyBanc估算：苹果项目可能涉及约60万片晶圆，潜在收入150亿至200亿美元；Anthropic定制ASIC项目可能达500万至1000万颗，若计入先进封装，潜在收入或为400亿至800亿美元；英特尔EMIB-T先进封装或为Google TPU项目带来约120亿至150亿美元收入，EMIB-M也可能参与亚马逊Trainium 3及微软Cobalt 400相关项目，均为分析师估算而非已披露合同金额或实际营收。背景方面，英特尔称18A工艺已进入自有产品量产阶段，18A-P于2026年上半年进入风险试产，且在相同功耗下性能较18A提高约9%或在相同性能下功耗降低约18%；14A风险试产目标为2027年下半年，内部产品计划2028年进入高量产爬坡，相较18A在相同功耗下可提升15%至20%性能或在相同性能下降低25%至35%功耗、密度最高提升约30%，这些为厂商制程目标数据，未经第三方客户产品验证。原文未说明原因为该消息属未证实的分析师转述。
阶跃星辰于10月15日宣布正式开放Step 5 Preview模型权重（BF16与FP8版本），华为、壁仞科技、沐曦股份、摩尔线程宣布提供Day 0支持。华为同步上线1024卡Atlas 950 SuperPod液冷超节点，沐曦股份自2025年12月以来已完成43个主流旗舰模型的Day 0适配。
GlobalFoundries赢得了一项价值210亿美元的美日协议，用于在纽约建造和运营两座新晶圆厂，安排是政府拥有厂房和设备并支付GlobalFoundries来建设和运营，这使得GlobalFoundries无需资本支出即可增加产能；对于日本，该协议将其5500亿美元对美投资承诺的一部分转化为对日本芯片制造商的供应以及对日本工具制造商的工作；对于台湾的成熟节点代工厂，该协议在美国本土提供了一个大型国家支持的产能来源，在这些厂商预计能够从客户供应链多元化中受益的细分市场；原文未说明原因。
IBM与西门子宣布开展联合研究，推进IBM今年公布的NanoStack晶体管架构，重点开发新一代芯片设计、仿真与制造所需的工具和工艺；IBM负责半导体器件技术，西门子贡献电子设计自动化、工艺模拟、光刻优化及先进制造软件能力。NanoStack把传统并排排布的晶体管改为垂直堆叠并让不同层错位排列，IBM称其为业界已知首种基于纳米片的三维晶体管设计。IBM今年6月公布其7埃米级（0.7纳米）技术研究成果，称在指甲大小的芯片上可集成近1000亿个晶体管，密度约为其2纳米芯片的两倍；据IBM论文估算，与其2纳米节点相比最高可带来约50%的性能提升，或在性能相当时降低约70%的能耗；另有研究显示NanoStack架构可使SRAM面积缩小约40%——这些均属IBM对研究技术的测算和预测，不是已量产产品的实测表现。IBM表示已通过超薄介电键合、双沟道工程及可正常切换的CMOS反相器等实验验证NanoStack具备实际制造和运算可行性，但量产仍需解决晶圆键合与对准、层间散热、微细布线、背面供电及三维检测等问题；IBM曾称最早可能在未来五年内推进至生产阶段。此次合作公告未公布具体开发时间表、投资金额或商业量产客户，重点在于建立工具链而非宣布新芯片投产。
IBM(纽约证券交易所代码:IBM)与西门子今日宣布开展新研究合作,旨在推进IBM今年早些时候发布的纳米堆叠(nanostack)晶体管架构。该合作将结合IBM在半导体器件创新方面的领先地位与西门子在电子设计自动化(EDA)、工艺仿真、光刻优化和先进制造软件方面的专业知识,以加速nanostack的开发。据原文,nanostack是业界已知首个三维纳米片(nanosheet)设计,通过垂直堆叠和交错排列晶体管在芯片上容纳更多晶体管,在当前7埃(angstrom)节点上于指甲大小的空间内实现近1000亿个晶体管;该设计还可在每个堆叠层内使用不同材料组合,独立优化每个晶体管的性能和能效,为能效、性能和SRAM缩放带来提升。此为合作研究宣布,属计划阶段,原文未说明原因。
应用材料联合台积电、英特尔等五大厂商在加州建立耗资50亿美元的EPIC研发中心。该中心整合材料、设备与工艺研发，旨在加速先进半导体技术商业化，特别是AI领域。
长期利好半导体设备与材料需求，但短期对现货价格无直接影响。
据经济日报报道，NVIDIA在加州圣何塞举行的OCP全球峰会上宣布计划推出每通道400Gb/s的光模块规范，并与思科合作开发超密集小型可插拔（USFP）规范，设计目标为支持每通道400Gb/s。两家公司表示，新设计预计可提供现有每通道200Gb/s光器件4倍的带宽密度和1.3倍的能效，并有通往12.8Tb/s总容量的路径；双方计划建立开放行业规范，可能促使主要云服务商采用，为可插拔光模块市场带来新机会，经济日报点名Luxnet与PCL Technologies为潜在受惠者。上述4倍与1.3倍数据为公司预期，事件仍处于规划/规范制定阶段。报道另提及：Meta在其下一代IcePack液冷网络机架的IceCube平台采用NVIDIA Spectrum-6交换机芯片；NVIDIA独立Vera CPU MGX机架已进入量产并开始出货，采用台积电3nm制程，据报性能较传统x86 CPU高50%、每瓦性能为其两倍；Commercial Times列出12家台湾Vera CPU MGX机架合作伙伴，包括富士康、广达旗下QCT、纬创、纬颖、英业达、仁宝、和硕、神达、华硕、技嘉、微星及华擎旗下ASRock Rack；NVIDIA并在第三代MGX 1.2规范下开放Vera Rubin机架与算力托盘设计，算力托盘模块化液冷设计移除内部线缆、软管与风扇，组装与维护时间从数小时缩短至数分钟，并支持最高5000安培以提升功率密度。
韩国证券公司GF Securities报告称，英伟达可能在其部分后端应用中采用英特尔的Foveros封装技术。尽管英特尔在前端制造方面落后于台积电，但其后端技术（EMIB、EMIB-T）已成熟。
英特尔代工部门有望获得英伟达订单，缓解台积电在后端制造方面的压力。
据三位了解该交易的知情人士透露，英伟达计划投资成立7年、主打面向人工智能的服务器芯片研发的d-Matrix，该笔投资为拟议状态。报道称此举是英伟达推进的一项举措：推动自家技术与竞品芯片设计商实现兼容，把对手纳入自己占据主导地位的硬件生态。这也是自去年12月与Groq签署200亿美元技术授权协议之后，英伟达首次对一家AI推理芯片初创企业开展交易。此前过去12个月，英伟达已对英特尔、博通完成数十亿美元规模的入股。《The Information》此前报道，d-Matrix当时正寻求新一轮融资，目标投后估值50亿美元，目前尚不确定英伟达的这笔资金是否会纳入本轮融资；d-Matrix上一轮融资发生在2025年11月，募资2.75亿美元，投后估值20亿美元。该公司已于今年夏天完成第一代芯片量产，目前正在测试第二代芯片。另据知情人士，美国司法部正在调查英伟达设计Groq这笔交易的方式是否意在规避司法部针对该交易对芯片市场影响开展的正式调查，该消息最早由《纽约时报》报道。
韩国GF证券分析师Jeff Pu预测英伟达或于2028年下半年在部分新一代AI芯片中采用英特尔Foveros先进封装技术。此举标志着英特尔在先进逻辑制程受限的情况下，通过先进封装切入英伟达供应链的战略尝试，可能采取台积电制造与英特尔封装的混合模式。
该预测暗示英特尔先进封装产能潜在增长，但TrendForce指出CoWoS仍是主流，对当前价格影响有限。
AI芯片制造需求正在推动先进逻辑与封装技术加速发展，促使Applied Materials与Intel扩大在下一代晶体管、互连和先进封装方面的合作，涉及互连扩展（interconnect scaling）与Foveros 3D技术。原文未说明具体投资金额、时间表或产能数字。
尽管数日来有传闻称台积电可能取代英特尔参与埃隆·马斯克的半导体制造项目，英特尔Terafab交易仍然保持不变。英特尔首席执行官陈立武于周三确认了这一安排，马斯克则另行否认了台积电将接管该计划中晶圆厂的说法，并表示该设施将被建造。原文未说明传闻出现的原因。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |