英飞凌与Wolfspeed的长期供应协议扩大并延长至8英寸碳化硅晶圆
英飞凌根据一项扩大并延长的长期供应协议，从Wolfspeed获得8英寸碳化硅(SiC)晶圆供应。该协议使这家德国芯片制造商为其SiC晶圆厂转换所需的更大尺寸衬底获得了另一个供应来源；对这家美国材料供应商而言，该协议意味着一家顶级客户在其财务重组约一年后作出的采购承诺。
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英飞凌根据一项扩大并延长的长期供应协议，从Wolfspeed获得8英寸碳化硅(SiC)晶圆供应。该协议使这家德国芯片制造商为其SiC晶圆厂转换所需的更大尺寸衬底获得了另一个供应来源；对这家美国材料供应商而言，该协议意味着一家顶级客户在其财务重组约一年后作出的采购承诺。
据Seoul Economic Daily报道（ZDNet曾在9月报道三星为定制HBM采取双轨策略，同时利用自家代工和竞争对手台积电），NVIDIA已要求三星、SK hynix和美光在其于8月发布的NVHBM基底层中采用台积电3nm工艺。据称三星设备解决方案（DS）部门经内部评估后同意了这一要求。报道给出的原因是：NVIDIA推动供应商间生产标准化以确保HBM性能一致并简化产品验证；此外行业估计台积电3nm良率超过90%，而三星代工2nm（SF2）工艺良率约为60%。NVHBM的定制基底层集成了传统上由GPU承载的内存控制器；据NVIDIA称，相比标准HBM4E，该技术提供最多30%的更高内存带宽、15%的更低HBM功耗和25%的更多XPU计算裸片面积。该合作并非全新：据Seoul Economic Daily，三星和台积电四年前首次合作以确保HBM与台积电GPU封装工艺兼容，此次是首次延伸至HBM制造。三星仍保留自有代工选项：由于台积电3nm产能面临AI加速器和智能手机芯片的竞争需求，三星正在2nm工艺上验证NVHBM基底层生产，作为台积电产能受限时的潜在替代方案。台积电在10月15日的财报电话会议上提示3nm产能紧张，该节点占第三季度晶圆销售额的33%，为其所有工艺节点中最大份额；据Economic Daily News，董事长兼CEO魏哲家宣布在台南再建一座3nm晶圆厂的计划（叠加亚利桑那、日本熊本和台湾南部科学园区的现有扩建项目），新厂定于2028年上半年开始量产。三星还继续为标准HBM产品线自制基底层：今年早些时候进入量产的HBM4和正在进行生产验证的HBM4E均使用三星代工4nm工艺制造基底层，其核心裸片在其华城和平泽园区的1c DRAM产线上制造；三星计划对供应其他客户（包括AMD）的定制HBM保持基底层turnkey生产方式。
onsemi与Sungrow宣布将onsemi的EliteSiC混合功率模块技术集成到Sungrow的PowerTitan 3.0储能平台，用于电网级储能系统的高功率DC-AC转换。据onsemi称，与上一代平台相比，新架构将逆变器级效率提升0.4个百分点，支持额定功率最高450 kW的功率转换单元，峰值效率超过99.3%。onsemi的分析显示，在100 MW电池储能装置中，0.4%的效率提升每年可节省超过475 MWh电量（与上一代模块相比）。该SiC混合技术结合碳化硅与硅功率器件，采用三级逆变器架构，提供更高功率密度和更好热性能。双方曾在平台开发、系统优化、工程验证和资格认证方面合作，此次采用建立在两家公司既有的战略关系之上。
英飞凌科技与Wolfspeed签署一项多年期协议，以确保200mm碳化硅(SiC)晶圆的供应，支持其向更大直径制造的转变。该协议建立在两家公司20年合作关系的基础上，并将双方现有的晶圆供应安排从150mm衬底转向200mm衬底。
Wolfspeed Inc（美国北卡罗来纳州达勒姆）与英飞凌科技（德国慕尼黑）签署了一项新的多年期协议，将两家公司之间现有的长期碳化硅（SiC）衬底供应安排从150mm直径晶圆过渡到200mm直径晶圆，并扩大和延长了该长期供应协议。原文未说明原因。
英国分销商Anglia Components宣布一项供应整个模拟信号链的策略，以回应客户对部分模拟元器件供应的失望情绪。CEO Steve Rawlins称市场上存在ADI与TI占主导地位的“明显的双头垄断”。Anglia将其现有部分模拟授权供应商整合，并新增四家，初步公布10家授权供应商，提供ADC、DAC、放大器、时钟、接口IC、模拟开关、基准源和电源管理IC；其中Nanopower、Novosense和3Peak为现有供应商，BeRex、Linear Systems和Silanna于今年夏季签约，Cimo Microelectronics、Zynalog、Raystar Microelectronics和Quest Semiconductors为新签约。这些供应商经筛选审批，可提供与既有品牌引脚兼容、性能相当的产品。该举措旨在回应客户对供应链更大韧性的需求；Rawlins还提到每季度涨价促使设计人员寻找兼容替代品。Anglia预计在英国和北欧 appoint 四名专职模拟供应链的FAE（现场应用工程师），并预计后续会加入更多产品线。
Gaonchips于10月15日宣布加入Arm Total Design for Physical AI，成为首家参与该倡议的韩国设计解决方案提供商，作为技术合作伙伴支持Arm-based半导体在物理AI应用中的实施，并将通过硅到系统的合作提供从芯片设计到系统实施的全过程支持。原文未说明原因。
Infineon 和 Wolfspeed 签署了一份多年供应协议，以 200mm SiC 晶圆取代 150mm 晶圆。
Infineon与Wolfspeed扩大合同，加强8英寸SiC采购。原文未说明原因，正文亦未提供具体时间、数量、金额或其他细节。
三星在印度的半导体研发中心三星半导体印度研究院(SSIR)与印度科学理工学院(IISc)于2026年10月15日在IISc位于Bengaluru的校园内共同为量子研究实验室举行启用仪式，该实验室旨在建设印度在量子技术与先进半导体领域的研究能力。
据Wccftech报道，一位韩国半导体工程师（X账号@TTHUEONE）指控特斯拉在与三星的AI5和AI6芯片代工合同中要求获取三星内部晶圆厂信息及审计权，同时大幅压低代工价格；该工程师还指控Terafab项目从三星位于得州的Taylor晶圆厂挖走大量员工，并称特斯拉之所以转向Samsung Foundry是因为TSMC未满足其要求。此前本周早些时候，马斯克曾称赞美光在存储芯片未来价格上'合理'，并称其他厂商'敲诈'，被普遍解读为对三星的批评。背景方面：Business Post曾在3月警示Terafab（厂址距三星Taylor厂约30分钟车程）可能加剧对人才和设备以及知识产权/制程诀窍的竞争；Financial News于10月12日报道三星已开始从韩国抽调先进制程良率工程师赴Taylor厂并扩大当地招聘，为计划2027年的2nm量产做准备，目标2026年底前投运，特斯拉是关键客户之一；Seoul Economic Daily在9月报道三星已在Taylor厂试产特斯拉AI5芯片，良率验证进行中，2027年全面量产。AsiaToday早前报道称特斯拉AI5/AI6订单预计支撑Taylor厂初期产能利用率，且TSMC可能参与Terafab或使三星争取未来订单复杂化。TSMC董事长魏哲家确认正就Terafab进行讨论但结果不确定，并强调涉及TSMC的晶圆厂须由其自身运营；而据路透社，马斯克在10月7日表示其公司将自建自营Terafab，TSMC可能转租部分设施而非承担运营角色。
总部位于美国加州Commerce的XMax Inc(前身Nova LifeStyle Inc)——该公司原主营现代家具的设计、采购与分销,后多元化发展人工智能软件及平台服务——已同意收购Hexa Creation Inc。Hexa Creation是一家美国公司,专注于面向AI数据中心电源基础设施及其他高压应用的1200V垂直氮化镓(GaN)功率半导体技术。协议已达成,但来源未说明交易完成时间及是否需监管批准。
Infineon与Wolfspeed签署了一项多年期协议，由Wolfspeed供应200mm碳化硅(SiC)晶圆，该协议将两家公司现有的供应关系从150mm衬底转向200mm衬底。据Infineon新闻稿，该协议支持Infineon从150mm到200mm SiC制造的转换。Infineon为其全球制造网络（包括位于马来西亚居林的200mm SiC晶圆厂）从多家供应商采购SiC衬底，公司表示这一多源战略旨在确保供应的灵活性和质量。Infineon首席运营官Alexander Gorski表示，该协议进一步扩大了公司用于200mm大批量制造的供应基础，并建立在两家公司20年的供应关系之上。转向更大晶圆主要是成本问题：200mm晶圆比150mm晶圆提供更多可用裸片面积，从而降低单位衬底成本并提高整体制造效率。SiC功率半导体的需求主要来自电动汽车驱动系统、太阳能逆变器和工业电机驱动，Infineon还指出AI数据中心是新兴需求驱动力。两家公司均未披露协议金额或涉及的数量。
西门子宣布与英伟达(NVIDIA)在计算光刻领域的合作取得重大进展:通过将NVIDIA cuLitho(CUDA-X GPU加速计算光刻库)集成到Calibre制造软件中,为全芯片光学邻近校正(OPC)工作负载提供最高12倍的加速,并为关键光刻仿真工作负载提供至少10倍的加速;经核实工程数据支持的仿真加速范围为至少10倍至17倍。该合作使制造商能够使用逆向光刻技术(ILT)等最先进的计算光刻方法,对高数值孔径极紫外(High-NA EUV)光刻的掩膜版进行实用的全芯片优化,以应对AI计算与存储器件领先级图形化在运行时间和复杂度方面的关键挑战。西门子称这有助于减少仿真运行时间、更早发现光刻热点、在流片前提升工艺裕度,并支持新AI芯片的部署。原文未说明此次合作对具体价格或供需的影响。
Navitas Semiconductor宣布与NVIDIA合作开发一款24 kW、800 VDC转12 VDC的电源传输板(PDB),面向下一代AI数据中心基础设施，基于Navitas的GaNFast技术，支持NVIDIA MGX生态系统，可将电源直接传送给高性能计算处理器(xPU)。该方案计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。此板为Navitas此前与NVIDIA合作发布的20 kW、800 V转6 V电源板的后续产品，两者均支持高压直流配电过渡及GaN和SiC技术在AI基础设施中的应用。新板设计目标为最高24 kW输出、满载效率97%、功率密度超过2,000 W/in³,采用NVIDIA 400 mm × 60 mm外形规格，可集成在计算主板靠近xPU处；采用单级转换架构，直接将800 VDC转换为12 VDC,省去常规50 V转12 V中间总线转换器(IBC)级，减少转换步骤、功率损耗和元件数量；12 V输出向VRM供电。初级侧功率级使用16颗NV6034 GaNFast FET(650 V耐压、18 mΩ导通电阻)，采用堆叠半桥拓扑和8 mm × 8 mm双冷却DFN封装。
IBM与西门子宣布开展研究合作，推进IBM的3D纳米堆叠（3D nanostack）晶体管架构，目标是应对未来埃级（angstrom-scale）半导体在设计和制造上的挑战。双方将把IBM的半导体研究与西门子在电子设计自动化（EDA）、仿真和光刻方面的专长相结合，帮助该技术更接近商业化量产。该合作为研究协作，距离商业化生产仍为目标方向而非已实现结果，原文未说明原因或具体时间表。
越南科技集团FPT正在争取第二个日本分销渠道，以销售其自研功率芯片；若达成，该渠道将通过丰田集团的贸易网络（涉及丰田通商旗下部门）把越南设计的半导体带出日本，推向东南亚和印度市场。原文未说明原因以外的事件细节，亦未说明协议是否已签署，事项仍处于洽谈/计划阶段。
近期A股上市公司并购重组动作密集，市场热度持续攀升：纳睿雷达拟购买芯泰通信51%股权，广汽集团拟购买一汽丰田50%股权，中际旭创协议受让中石科技10.47%股份已完成过户。截至10月12日发稿时，Wind数据显示，以首次披露日期为口径，今年以来A股市场3188家上市公司披露并购重组进展。重组标的集中于半导体、人工智能、高端装备、生物医药、新能源等战略性新兴产业。市场人士认为，在政策持续赋能下，我国并购市场有望延续活跃态势，符合现代化产业体系建设及新质生产力发展方向的领域成为发力重点；A股并购市场呈现产业向新、深度整合、政策汇力的趋势。
据经济日报报道，NVIDIA在加州圣何塞举行的OCP全球峰会上宣布计划推出每通道400Gb/s的光模块规范，并与思科合作开发超密集小型可插拔（USFP）规范，设计目标为支持每通道400Gb/s。两家公司表示，新设计预计可提供现有每通道200Gb/s光器件4倍的带宽密度和1.3倍的能效，并有通往12.8Tb/s总容量的路径；双方计划建立开放行业规范，可能促使主要云服务商采用，为可插拔光模块市场带来新机会，经济日报点名Luxnet与PCL Technologies为潜在受惠者。上述4倍与1.3倍数据为公司预期，事件仍处于规划/规范制定阶段。报道另提及：Meta在其下一代IcePack液冷网络机架的IceCube平台采用NVIDIA Spectrum-6交换机芯片；NVIDIA独立Vera CPU MGX机架已进入量产并开始出货，采用台积电3nm制程，据报性能较传统x86 CPU高50%、每瓦性能为其两倍；Commercial Times列出12家台湾Vera CPU MGX机架合作伙伴，包括富士康、广达旗下QCT、纬创、纬颖、英业达、仁宝、和硕、神达、华硕、技嘉、微星及华擎旗下ASRock Rack；NVIDIA并在第三代MGX 1.2规范下开放Vera Rubin机架与算力托盘设计，算力托盘模块化液冷设计移除内部线缆、软管与风扇，组装与维护时间从数小时缩短至数分钟，并支持最高5000安培以提升功率密度。
英飞凌与伊顿合作开发AI数据中心800VDC SiC功率模块。此举旨在满足AI基础设施对高功率密度的需求。
SiC功率模块供应链。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |