特斯拉与SpaceX据报就Terafab与约10家韩国半导体材料、零部件及设备供应商洽谈
据报，特斯拉（Tesla）和SpaceX正与约10家韩国半导体材料、零部件和设备供应商进行谈判，埃隆·马斯克正在推进Terafab项目。讨论内容涵盖工艺材料、管道和阀门、废水回收设备以及半导体测试零部件，这引发了台湾半导体供应链能否从这次大规模扩张中受益的疑问。原文未说明原因。
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据报，特斯拉（Tesla）和SpaceX正与约10家韩国半导体材料、零部件和设备供应商进行谈判，埃隆·马斯克正在推进Terafab项目。讨论内容涵盖工艺材料、管道和阀门、废水回收设备以及半导体测试零部件，这引发了台湾半导体供应链能否从这次大规模扩张中受益的疑问。原文未说明原因。
标题报道：Syscom与日本CIJ签署AI合作协议，用于海外拓展（仅为签署合作的报道，原文未说明具体合作条款）。正文称：Syscom Computer Engineering正在扩展其在边缘AI及更广泛赋能生态的布局，并在2026年AIoT Taiwan展会上以"Edge Intelligence Now"为主题展示其最新产品。原文未说明合作的原因。
三星电机（SEMCO）已与一家全球大公司签署一份价值3604.87亿韩元（约2.6亿美元）的存储器封装基板长期供应协议，出货计划于2027年开始。该公司未披露客户或具体应用。该协议将其长期合同覆盖范围从多层陶瓷电容器（MLCC）和硅电容器扩展至基板；据标题，其长期合同总额达4.3万亿韩元。
快科技10月20日报道，苹果宣布进一步扩大美国本土供应链，与多家美国企业合作，为iPhone 18 Pro和iPhone Duo生产关键材料及零部件，目前两款手机已有近100种零件由美国企业生产，供应商遍布美国十多个州，涉及无线通信芯片、半导体器件等领域。新增合作伙伴包括钛金属制造商Perryman Company和电子材料供应商Qnity Electronics：Perryman将为苹果首款折叠屏手机iPhone Duo供应5级钛合金用于机身外壳，苹果计划未来三年向其投入最多1亿美元，其宾夕法尼亚州工厂将完成钛金属熔炼、锻造和轧制，所用材料再生钛含量不低于80%；Qnity将为iPhone 18 Pro的可变光圈镜头提供关键薄膜材料。现有供应商方面，博通将在美国生产先进射频组件，按多年期合作计划预计生产超过150亿颗美国制造的芯片；康宁负责生产包括超瓷晶面板在内的特种玻璃，苹果表示到2026年底全球销售的iPhone和Apple Watch盖板玻璃都将在康宁肯塔基州工厂生产；台积电亚利桑那州工厂持续扩大产能，预计2026年为苹果生产超过1亿颗芯片，用于iPhone、iPad及Apple Watch等产品。苹果此前宣布计划在四年内向美国制造业及创新领域投入6000亿美元，此次扩大本土供应链合作是其推进美国制造计划的重要举措。
据THE ELEC 10月20日获取的信息，马斯克的特斯拉与SpaceX正在与韩国半导体材料、零部件及设备供应商洽谈，为其Terafab芯片制造项目构建供应链。多家公司已签署保密协议（NDA）并进入具体产品讨论。10月13日展览开幕当天上午，Terafab代表在旧金山举行的SEMICON West 2026（10月13日至15日）参观了约10家韩国公司的展位，包括ENF Technology、Dongjin Semichem、Asflow、BMT、GnG Intech、Unisem、MiCo和Hanmi Semiconductor；与许多公司的洽谈已进行数月。其中ENF Technology、Asflow和GnG Intech为首次接触；BMT洽谈阀门和流体处理部件；KoMiCo约一个月前与特斯拉和SpaceX签署三方NDA，讨论得州研发中试线的清洗服务；Unisem已签NDA讨论洗涤塔等环保设备；Dongjin Semichem与特斯拉洽谈两三个月，围绕其得州 thinner工厂，磷酸等材料也在讨论中；Hanmi Semiconductor正讨论向Terafab供应TC键合机；HPSP已同意为Terafab研发线供应一台高压氢退火（HPA）系统；ISC已进入样品和研发设计信息交换阶段。海外方面，Fujifilm定期与Terafab采购团队就CMP浆料、光刻胶、蚀刻剂和清洗化学品举行会议；Lam Research和Applied Materials据称已建立专门的Terafab团队。特斯拉和SpaceX不与中国供应商开展业务，业界人士称其寻求甚至低于中国供应商的价格，韩国因此成为优选。Terafab项目于3月由特斯拉、SpaceX和xAI宣布共同推进，目标是在10年内建成月处理100万片晶圆的工厂，初始投资估计为168亿美元，预计创造3000多个岗位；SpaceX本月初与得州签署税收减免协议并已开工建设，业界预期首期月产能10万片晶圆的设施在2030年前建成。上述供应合作多数仍处于洽谈阶段，尚未确认为最终供货。
据IT之家10月20日消息，韩媒ETNEWS当地时间昨日（10月19日）报道称，联想、惠普、戴尔等主要PC品牌已同存储器制造商签署长期协议（LTA），通过合同保障2027年供应稳定性。一位业内人士表示，内存与存储的供需在2026H1时存在20~30%的缺口，导致实际PC产能未达到应有水平；稳定的供应和缓和的涨幅有利于PC行业在2027年发展。报道还指出，尽管存储器和部分其它零组件成本持续上涨导致终端售价提升、抑制一般消费者换机热情，但商务领域仍看重人工智能带来的生产力提升，新一轮商务换机周期即将到来，B2B正成为2027年PC市场争夺的关键细分领域。
Sandisk 于2026年10月14日从加利福尼亚州米尔皮塔斯发布的新闻稿中宣布，将成为 Meta VR Glasses 的独家闪存存储供应商，在该产品于2027年春季上市时供应经 Meta 认证的 microSD Express 存储卡和 USB-C 闪存盘。该合作尚属公告阶段，产品尚未上市。原文未说明原因。
据称，三星正与台积电合作，为NVIDIA新发布的NVHBM存储标准获取基底裸片（base die）供应；该报道性质为传闻（reportedly），合作尚未被证实落地。NVIDIA声称，与标准HBM4E相比，NVHBM将控制器集成到3D HBM堆栈中，可提供最高30%的额外内存带宽、降低15%的HBM功耗，并带来最高25%的额外可用计算裸片面积。报道称NVHBM量产前须满足若干严格条件，其中之一是NVIDIA的NVHBM基底裸片必须采用台积电3nm节点制造；尽管三星拥有自己的3nm产线，但据称NVIDIA的IP针对台积电节点优化，迫使三星与台积电合作并成为其客户。该安排仅针对基底裸片；在存储部分，三星将继续使用其第六代10nm工艺（HBM制造的典型工艺），即仅部分生产由台积电负责。
10月19日消息，RISC-V AI计算企业Tenstorrent于美国当地时间今日宣布完成总额达15亿美元（约合100.39亿元人民币）的E轮融资，投后估值达到62亿美元（约合414.95亿元人民币）。该企业由知名芯片设计师Jim Keller领导，此前在2024年底以约27亿美元的投后估值进行了D轮融资。本轮融资由Trace Capital和Innovation X领投，多家新老投资者参与。资金将用于支持Tenstorrent的大规模量产和全球商业扩张。Jim Keller表示其构建了统一架构并以各种规格销售，投资者认同这一模式。
据市场消息，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技为其生产NVHBM（英伟达的定制HBM技术，HBM即高带宽内存），其中基底裸片（BaseDie）采用台积电3nm制程，核心裸片（CoreDie）则采用第六代DRAM（动态随机存取存储器）技术，消息称三星电子已决定接受英伟达的技术要求。该消息的真实性尚属传闻层面：10月19日，三星电子回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。原文未说明原因。
Sandisk于10月19日宣布，将成为Meta虚拟现实(VR)眼镜闪存的独家供应商，该VR眼镜计划于2027年春季推出。产品包括microSD Express存储卡和USB-C闪存盘。Sandisk近期与Meta建立合作伙伴关系，共同设计面向VR应用的闪存产品，相关产品已通过初步测试以满足Meta的质量标准。Sandisk将在Meta VR眼镜推出后开始销售相关存储产品。Sandisk消费产品副总裁Sujin Park表示，高性能microSD Express存储卡与Meta VR眼镜兼容，用户可即时扩展可用存储。原文未说明该合作对价格或供应的影响。
10月19日，北京铭芯启睿科技有限公司宣布完成超4亿元A轮融资，由博原资本领投，博世创投、米哈游、兆易创新等跟投，小米战投等老股东持续加注；相关报道未披露本轮估值及股权稀释比例。本轮资金将用于RRAM（阻变存储器）产业化、商业化及新产品LPU（语言处理单元）研发。同日披露前Graphcore总裁兼大中华区总经理卢涛加入公司，出任CEO兼联合创始人，并启动第一代LPU研发，面向大模型推理场景；卢涛表示第一代LPU不采用RRAM，将使用更成熟的存储介质，目标为支持数万亿参数完整模型、实现每用户每秒1000 Token，该指标为研发目标，尚无实测性能支撑；LPU目前处于研发阶段，未披露流片、验证或交付时间表。此前10月14日，公司发布首代1Gb RRAM芯片泰山一号流片信息，基于1TnR技术路线（1T4R结构，一个选择晶体管对应四个阻变存储单元），搭配28纳米CMOS工艺，披露存储密度30Mb/mm²、访问延时小于20纳秒，并集成片上硬件纠错电路；泰山一号已完成流片、正在推进验证，尚未披露量产进展。公司三条产品线中的嵌入式RRAM IP已进入客户场景并计划扩大规模，但未披露客户名称、订单金额或出货量；混合存算产品未披露具体芯片型号、流片进度或商业化节点。
日本三菱重工(MHI)与西班牙公司Ingeteam宣布签署谅解备忘录(MOU),结成战略合作伙伴关系,面向美国数据中心分销、集成并联合开发先进能源基础设施解决方案。该联盟将MHI在集成电力、冷却和能源管理方面的专长,与Ingeteam在旋转电机、电力电子、控制与自动化及数字技术方面的专长相结合,帮助数据中心运营商应对下一代AI工作负载带来的电能质量和电网接入挑战。双方计划通过MHI集团扩大Ingeteam电力转换解决方案及相关软件在美国数据中心市场的供应,并探索将部分技术集成到MHI集团为客户开发的先进能源基础设施架构中。该合作目前为签署MOU层面的规划,联合开发与市场拓展尚属意向性安排。
英伟达要求三星、美光和海力士使用台积电3纳米节点制造的基die用于其定制NVHBM，原因是标准化；三星和美光已确认同意该请求，预计2027年量产；海力士已使用台积电12纳米工艺生产HBM4基die；三星亦在验证其2纳米工艺作为备用；三星将继续为不想采用NVHBM的客户生产标准HBM。NVHBM相比标准HBM4E可提供最高30.%更高带宽和15%更低功耗。
Flip Electronics与Synaptics达成授权分销协议，覆盖嵌入式计算、无线连接和传感元器件。原文未说明协议生效日期、财务条款或原因。该事件来自EE Times Asia的报道，仅为分销网络扩张消息，未涉及具体元器件型号或数量。
据《首尔经济日报》10月18日援引业内消息人士的报道，三星电子在内部评估后已同意使用台积电3nm工艺为NVHBM（英伟达下一代定制HBM）生产基底裸片（base die）。报道称，这将是两家公司首次在HBM制造阶段展开合作。报道指出，英伟达的定制内存设计正在将HBM制造的部分控制权从内存厂商转移至其最大客户，并将其中一部分工作导向台积电。该内容为媒体报道，援引业内消息人士，合作实际落地情况有待确认。
据Seoul Economic Daily报道（ZDNet曾在9月报道三星为定制HBM采取双轨策略，同时利用自家代工和竞争对手台积电），NVIDIA已要求三星、SK hynix和美光在其于8月发布的NVHBM基底层中采用台积电3nm工艺。据称三星设备解决方案（DS）部门经内部评估后同意了这一要求。报道给出的原因是：NVIDIA推动供应商间生产标准化以确保HBM性能一致并简化产品验证；此外行业估计台积电3nm良率超过90%，而三星代工2nm（SF2）工艺良率约为60%。NVHBM的定制基底层集成了传统上由GPU承载的内存控制器；据NVIDIA称，相比标准HBM4E，该技术提供最多30%的更高内存带宽、15%的更低HBM功耗和25%的更多XPU计算裸片面积。该合作并非全新：据Seoul Economic Daily，三星和台积电四年前首次合作以确保HBM与台积电GPU封装工艺兼容，此次是首次延伸至HBM制造。三星仍保留自有代工选项：由于台积电3nm产能面临AI加速器和智能手机芯片的竞争需求，三星正在2nm工艺上验证NVHBM基底层生产，作为台积电产能受限时的潜在替代方案。台积电在10月15日的财报电话会议上提示3nm产能紧张，该节点占第三季度晶圆销售额的33%，为其所有工艺节点中最大份额；据Economic Daily News，董事长兼CEO魏哲家宣布在台南再建一座3nm晶圆厂的计划（叠加亚利桑那、日本熊本和台湾南部科学园区的现有扩建项目），新厂定于2028年上半年开始量产。三星还继续为标准HBM产品线自制基底层：今年早些时候进入量产的HBM4和正在进行生产验证的HBM4E均使用三星代工4nm工艺制造基底层，其核心裸片在其华城和平泽园区的1c DRAM产线上制造；三星计划对供应其他客户（包括AMD）的定制HBM保持基底层turnkey生产方式。
英伟达推动NVHBM标准化计划，要求三星、台积电、美光和SK海力士统一采用台积电3纳米工艺生产基底芯片，核心存储芯片采用第六代DRAM工艺。三星首次接受放弃HBM完全自主的“交钥匙”模式。NVHBM预计带宽增加30%，功耗降低15%。三星代工亏损从2025年6.74万亿韩元降至2026年3.92万亿韩元，降幅41%。
台湾遮光公司（TMC）以475万美元收购半导体设备服务提供商TCK，以瞄准日本九州芯片扩张为由，扩大其在日本九州半导体市场的存在，将业务从精密光掩模制造扩展到设备组装和工程支持。
10月16日，理想汽车宣布旗下芯片子公司上海马赫心科技有限公司签署首轮股权融资协议，认购总额为16.25亿元，其中理想汽车通过全资附属公司出资10亿元，外部投资方合计出资6.25亿元；若杭州经韬及其关联基金在2026年12月31日前按同价悉数行使不超过5亿元的追加认购权，投后估值最高将达171亿元，理想汽车将继续保持控股地位。融资将用于支持芯片及域控制器研发与商业化，推进面向外部客户的产品供应与合作，尤其是拓展非汽车领域的市场机会。产品方面，马赫M100采用5nm车规级工艺，单颗算力达1280 TOPS，已搭载于新一代理想量产车型。另据接近理想人士透露，除芯片之外，碳化硅模块、增程器也开始考虑对外销售。该融资协议为已签署、尚属计划推进阶段的事项。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |