亿铸科技完成10亿+元融资，资金将用于研发投入、产品迭代及产业化推进
近日，国内首家通用存算一体架构（GP-IMC®）AI大算力芯片公司亿铸科技完成10亿+元融资。原文未说明原因，仅表示此次融资将为亿铸科技后续研发投入、产品迭代及产业化推进提供进一步支持。据透露，亿铸科技正式运营于2022年，持续聚焦通用存算一体技术研发，坚持“通用存算一体+超异构”技术路线，并围绕3D DRAM存算一体等技术方向持续布局。
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近日，国内首家通用存算一体架构（GP-IMC®）AI大算力芯片公司亿铸科技完成10亿+元融资。原文未说明原因，仅表示此次融资将为亿铸科技后续研发投入、产品迭代及产业化推进提供进一步支持。据透露，亿铸科技正式运营于2022年，持续聚焦通用存算一体技术研发，坚持“通用存算一体+超异构”技术路线，并围绕3D DRAM存算一体等技术方向持续布局。
快科技10月23日报道，当地时间10月22日，英伟达CEO黄仁勋在德国柏林举办的英伟达GPU技术大会期间接受采访，被问及是否考虑与中国长鑫存储合作时回应称对此持开放态度，并表示中国公司在供应链各环节被广泛合作，在底层基础设施技术和制造业方面非常出色。针对市场担忧的内存供给过剩问题，他认为到2029年不太会出现内存供应过剩的局面，并称AI算力持续扩张会不断拉动HBM、DDR等各类存储需求上涨，此为个人观点性表述。此前当地时间10月19日，黄仁勋在与德国总理默茨交流时称中国是当今唯一一个制造业和计算机产业两手抓的国家。报道还提到，长鑫存储是国内DRAM赛道龙头、全球第四大DRAM原厂，是少数拥有DRAM完整研发、制造、封测一体化能力的厂商；据Counterpoint Research追踪数据，长鑫存储在2026年第二季度按营收计拿下全球DRAM市场10%的份额，比一年前多150%。双方合作仅为开放态度，未达成任何正式协议。
三星电机签署一项长期供应协议，将在2027年全年向一家未具名的全球客户提供用于存储半导体的封装基板，协议金额为3605亿韩元（约合2.71亿美元），供货期间为2027年1月1日至12月31日。据三星电机新闻稿，这是其Package Solution Unit首次获得此类大额订单；其Component Solution Unit自5月以来已就用于AI服务器的硅电容、MLCC及高性能电感签署类似协议。此次订单使三星电机自2026年5月以来签署的、达到公开披露标准（即每笔至少占公司销售额2.5%）的长期供应协议达到七份，合计4.3万亿韩元（32亿美元）。公司指出，生成式AI与高性能计算增加了对HBM和高性能服务器DRAM模块的需求；随着存储芯片速度更快、集成度更高，连接主板的基板需要更多层数、更精细电路和更薄设计。公司计划扩大与主要客户的长期协议以降低周期性业务敞口，并称将在AI与HPC需求增长背景下为封装基板业务建立更紧密的供应合作与稳定供应体系。
据市场消息，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技为其生产NVHBM（英伟达的定制HBM技术，HBM即高带宽内存），其中基底裸片（BaseDie）采用台积电3nm制程，核心裸片（CoreDie）则采用第六代DRAM（动态随机存取存储器）技术，消息称三星电子已决定接受英伟达的技术要求。该消息的真实性尚属传闻层面：10月19日，三星电子回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。原文未说明原因。
10月19日，北京铭芯启睿科技有限公司宣布完成超4亿元A轮融资，由博原资本领投，博世创投、米哈游、兆易创新等跟投，小米战投等老股东持续加注；相关报道未披露本轮估值及股权稀释比例。本轮资金将用于RRAM（阻变存储器）产业化、商业化及新产品LPU（语言处理单元）研发。同日披露前Graphcore总裁兼大中华区总经理卢涛加入公司，出任CEO兼联合创始人，并启动第一代LPU研发，面向大模型推理场景；卢涛表示第一代LPU不采用RRAM，将使用更成熟的存储介质，目标为支持数万亿参数完整模型、实现每用户每秒1000 Token，该指标为研发目标，尚无实测性能支撑；LPU目前处于研发阶段，未披露流片、验证或交付时间表。此前10月14日，公司发布首代1Gb RRAM芯片泰山一号流片信息，基于1TnR技术路线（1T4R结构，一个选择晶体管对应四个阻变存储单元），搭配28纳米CMOS工艺，披露存储密度30Mb/mm²、访问延时小于20纳秒，并集成片上硬件纠错电路；泰山一号已完成流片、正在推进验证，尚未披露量产进展。公司三条产品线中的嵌入式RRAM IP已进入客户场景并计划扩大规模，但未披露客户名称、订单金额或出货量；混合存算产品未披露具体芯片型号、流片进度或商业化节点。
据Seoul Economic Daily报道（ZDNet曾在9月报道三星为定制HBM采取双轨策略，同时利用自家代工和竞争对手台积电），NVIDIA已要求三星、SK hynix和美光在其于8月发布的NVHBM基底层中采用台积电3nm工艺。据称三星设备解决方案（DS）部门经内部评估后同意了这一要求。报道给出的原因是：NVIDIA推动供应商间生产标准化以确保HBM性能一致并简化产品验证；此外行业估计台积电3nm良率超过90%，而三星代工2nm（SF2）工艺良率约为60%。NVHBM的定制基底层集成了传统上由GPU承载的内存控制器；据NVIDIA称，相比标准HBM4E，该技术提供最多30%的更高内存带宽、15%的更低HBM功耗和25%的更多XPU计算裸片面积。该合作并非全新：据Seoul Economic Daily，三星和台积电四年前首次合作以确保HBM与台积电GPU封装工艺兼容，此次是首次延伸至HBM制造。三星仍保留自有代工选项：由于台积电3nm产能面临AI加速器和智能手机芯片的竞争需求，三星正在2nm工艺上验证NVHBM基底层生产，作为台积电产能受限时的潜在替代方案。台积电在10月15日的财报电话会议上提示3nm产能紧张，该节点占第三季度晶圆销售额的33%，为其所有工艺节点中最大份额；据Economic Daily News，董事长兼CEO魏哲家宣布在台南再建一座3nm晶圆厂的计划（叠加亚利桑那、日本熊本和台湾南部科学园区的现有扩建项目），新厂定于2028年上半年开始量产。三星还继续为标准HBM产品线自制基底层：今年早些时候进入量产的HBM4和正在进行生产验证的HBM4E均使用三星代工4nm工艺制造基底层，其核心裸片在其华城和平泽园区的1c DRAM产线上制造；三星计划对供应其他客户（包括AMD）的定制HBM保持基底层turnkey生产方式。
英伟达推动NVHBM标准化计划，要求三星、台积电、美光和SK海力士统一采用台积电3纳米工艺生产基底芯片，核心存储芯片采用第六代DRAM工艺。三星首次接受放弃HBM完全自主的“交钥匙”模式。NVHBM预计带宽增加30%，功耗降低15%。三星代工亏损从2025年6.74万亿韩元降至2026年3.92万亿韩元，降幅41%。
据IT之家10月16日报道，理想汽车宣布旗下芯片子公司上海马赫心科技有限公司已签署首轮股权融资协议，认购总额为16.25亿元人民币。本轮融资由杭州经韬、蓝驰创投及华业天成领投，奇绩创坛参与投资；理想汽车通过全资附属公司出资10亿元，外部投资者合计出资6.25亿元。杭州经韬及其关联基金获得一项一次性追加认购权，可在2026年12月31日前按相同价格额外投资不超过5亿元；若该认购权悉数行使，马赫心科技的投后估值将达到171亿元。融资完成后，理想汽车预计持有马赫心科技约74.01%的股权，继续保持控股地位。背景方面，公开报道显示理想汽车自2021年开始论证自研芯片可行性，2022年正式立项，组建约200人的专项团队；其自研的马赫M100芯片采用5nm车规级工艺，单芯片算力达1280 TOPS，搭载8通道LPDDR5X内存，峰值带宽273GB/s，于2026年5月实现量产上车，首发搭载于全新理想L9 Livis车型；理想汽车将其称为“全球首款量产的动态数据流AI芯片”，实际运行效率超过82%，目前已随全新理想L9、L8等车型量产交付。原文未说明本次融资的具体原因。
据经济日报报道，NVIDIA在加州圣何塞举行的OCP全球峰会上宣布计划推出每通道400Gb/s的光模块规范，并与思科合作开发超密集小型可插拔（USFP）规范，设计目标为支持每通道400Gb/s。两家公司表示，新设计预计可提供现有每通道200Gb/s光器件4倍的带宽密度和1.3倍的能效，并有通往12.8Tb/s总容量的路径；双方计划建立开放行业规范，可能促使主要云服务商采用，为可插拔光模块市场带来新机会，经济日报点名Luxnet与PCL Technologies为潜在受惠者。上述4倍与1.3倍数据为公司预期，事件仍处于规划/规范制定阶段。报道另提及：Meta在其下一代IcePack液冷网络机架的IceCube平台采用NVIDIA Spectrum-6交换机芯片；NVIDIA独立Vera CPU MGX机架已进入量产并开始出货，采用台积电3nm制程，据报性能较传统x86 CPU高50%、每瓦性能为其两倍；Commercial Times列出12家台湾Vera CPU MGX机架合作伙伴，包括富士康、广达旗下QCT、纬创、纬颖、英业达、仁宝、和硕、神达、华硕、技嘉、微星及华擎旗下ASRock Rack；NVIDIA并在第三代MGX 1.2规范下开放Vera Rubin机架与算力托盘设计，算力托盘模块化液冷设计移除内部线缆、软管与风扇，组装与维护时间从数小时缩短至数分钟，并支持最高5000安培以提升功率密度。
智能内存与Sourceability达成分销合作，将DRAM、NAND及模组纳入其产品线。此次合作旨在帮助工业及嵌入式客户应对DDR3/DDR4停产及供应波动风险。
分销渠道的供应稳定性改善，但短期现货价格波动性可能仍存。
欧康诺与海光信息联合开发国产化内存存储芯片测试平台，预计年底发布。该项目以海光CPU为核心，结合存储厂商底层技术与欧康诺自研整机，旨在解决国产化测试瓶颈。
该合作有助于提升国产存储芯片测试能力，加速国产替代进程。
Winbond将以11.2亿美元收购英飞凌NOR Flash业务，市占率将超30%。此举恰逢NOR Flash价格暴涨100-120%的供需紧缩周期。
并购强化头部份额，价格维持高位。
Intel 与 SK hynix 正商讨在美国启动 DRAM 产线，或通过合资或租赁 Intel 俄亥俄州工厂实现。此举旨在缓解因 AI 需求激增导致的供应链紧张。
产能扩张计划将导致 DRAM 价格下行压力。
OpenAI计划让三星代工其下一代AI芯片，与台积电形成双供应商模式。现有Jalapeño芯片已在台积电量产，下一代芯片研发接近流片。
表明AI算力需求巨大，利好三星代工产能利用率及台积电长期订单。
高通携手三星与SK海力士开发HBC架构，计划于明年推出首款产品。该架构通过堆叠LPDDR与计算芯片，宣称在同等功耗下带宽达HBM的6倍。
新架构可能分流HBM需求，但为高通锁定供应链。
SK海力士拟出售重庆封装厂30亿美元股份，但中国仍占其DRAM和NAND产能的30-40%。分析认为此举并非退出中国，而是生产优先级的转移，将重心转向韩国和美国的DRAM/HBM及先进封装。
产能布局调整对供应链结构的影响。
SK海力士正考虑出售重庆NAND封装测试基地，估值约30亿美元，潜在买家包括中国基金。此举旨在加速增长，但交易仍处初步阶段。
潜在供应链结构变化。
三星与Netlist达成五年战略联盟，签署专利交叉许可及内存产品供应协议。此次和解涉及三星收购Netlist 1000万股普通股，并解决此前德州陪审团判赔的4.21亿美元专利侵权案。
Netlist股价，三星的战略投资与供应承诺验证了Netlist在AI内存领域的IP价值。
三星正在评估在中国智能手机中使用低成本中国DRAM，以削减成本并扩大市场份额。此举旨在抵消不断上涨的组件成本，并重获在中国竞争激烈的预算手机市场的动力。
采购策略转变。
三星电子会长李在镕与OpenAI CEO奥尔特曼会面，重点商讨HBM及DRAM等半导体合作。双方自去年10月已建立战略合作，旨在扩大先进存储生产及建设AI基础设施。
三星与OpenAI深化合作，或锁定未来AI算力芯片订单。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |