美光（Micron）发布一系列存储技术路线图更新，涵盖DRAM、HBM和NAND；其中最受关注的是其垂直3D HBM（vHBM），目前设定的量产目标年份为2028年，此为计划目标而非已实现的量产。同一条推文中还提到，在中国CXMT推进4F² DRAM的同时，美光走相反路线，坚持6F²，并主张仅凭单元架构并不能决定位密度。该信息发布于2026年10月22日上午7:40的推文。
美光据报将继续采用6F² DRAM架构而不采用4F²，即使中国竞争对手CXMT正在推进后一种设计。据Nikkei报道，美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer在近期一次技术网络研讨会上表示，经过20多年的评估，4F²目前'不在路线图上'；公司计划扩展6F²架构，同时开发3D DRAM作为更长期的替代方案。DeBoer解释称，DRAM位密度主要由电容间距而非仅由单元架构决定，并指出4F²存在根本性微缩限制、更高制造复杂度和更高成本。路线图方面：1γ节点已进入大批量生产，将支撑未来12个月内推出的产品；下一节点1δ预计2027年下半年进入批量生产，目标位密度提升约20%中段水平，并将支持DDR6、LPDDR6、HBM5和垂直HBM（vHBM）等下一代存储产品；1ε节点开发晶圆键合以提升位密度并支持AI应用；1ζ和1η节点正在探索High-NA EUV、新材料等创新以延伸平面DRAM微缩。3D DRAM在路线图中位于1ζ与1η节点之间，但与平面DRAM并行开发，采用与否取决于成本、制造复杂度和器件性能。产品方面，美光正准备DDR6和LPDDR6，分别目标达到DDR5两倍带宽和较LPDDR5提升35%能效（特定密度下能效提升更大）；在近期送样512GB DDR5 RDIMM后计划推出1TB RDIMM。AI方面，公司推进vHBM（将存储直接堆叠在处理芯片上以提供大幅更高带宽），与标准及定制HBM产品并行开发，但热管理仍是挑战，封装工作包括混合键合、更高HBM堆叠和改进散热。NAND方面，美光计划于2027年下半年爬坡第11代（G11）技术，G11目标达到G9 NAND两倍位密度、1.5倍I/O速度和更低数据传输能耗，并将采用晶圆-on-晶圆键合、层数超过400层。
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