显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构,将图形处理器(GPU)与高带宽存储器(HBM)垂直堆叠,中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方,两者通过中介层中的垂直导电通孔连接;液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热;电力由底部印刷电路板(PCB)经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出,当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构,垂直堆叠会缩短芯片间距离,但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战;Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔(TGCV),公司于9月发布,该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充;Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列(FC-BGA)基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备,此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请,并正与约10家公司进行技术讨论,已向其中部分公司提供样品;尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示,最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构,并计划将该结构提交给委外封测(OSAT)公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段,未见量产或商业化实现。
快科技10月19日消息,iQOO预告将于10月28日发布全新小平板iQOO Pad Pro,号称“口袋电竞巨兽”。该机采用8.8英寸165Hz OLED屏幕,搭载高通第五代骁龙8至尊版旗舰平台(简称骁龙8E5)和自研电竞芯片Q3,内置9020mAh大电池。其中骁龙8E5采用台积电第三代3nm(N3P)制程工艺,延续高通自研Oryon架构,采用2+6全大核设计并放弃传统小核,配备2颗主频4.6GHz的Prime超级内核与6颗主频3.62GHz的性能内核;对比上代,单核性能提升20%,多核性能提升17%。该平板还搭载自研冰穹四重风冷散热系统(含被动散热的冰穹VC均热板、双层超高导热石墨,以及主动散热的LCP扇叶风扇与高导热铝合金风道)、高导热凝胶与冰穹隔热气凝胶,机身厚5.74mm、重298g,并搭载自研Q-flex操控技术、超感触控和超感陀螺仪。此为发布预告,产品尚未实际发布。
密苏里科学技术大学研究人员发表了题为《Can Autonomous Vehicles Keep Their Cool? A Survey of Thermal Side-Channel and Perception Attacks》的综述论文,指出热侧信道为自动驾驶汽车带来新的安全风险。据摘要节选,该综述将十三项代表性工作系统化为热感知完整性、遥测泄露和模型信息提取三类,并按权限、时间尺度、共租、可部署性和自动驾驶相关性进行比较。原文未说明该研究对供应链或价格的直接影响。
据SPIE Digital Library的技术分析,常规极紫外(EUV)光刻使用13.5纳米波长、通过反射光学系统配合定制光掩模,虽能以高产能打印极小特征,但每个新设计都需要昂贵的掩模组。无掩模EUV光刻提出不将图形存储在物理掩模上,而是使用可编程阵列或其他快速可寻址光学元件,将数字图形直接写入晶圆,从而避开电子束光刻串行逐点写入的速度瓶颈,缩短设计迭代周期并降低小批量生产的固定成本。文章指出该技术并非对EUV扫描仪或电子束工具的简单替代:EUV辐射被大多数材料强吸收,系统需在真空和专用反射光学下运行;可编程图形发生器需在EUV曝光下保持纳米级定位精度、控制热量与污染并避免缺陷;光刻胶在极小尺寸下的随机变异以及海量图形文件的实时处理也是挑战。首批成功应用可能是有选择性的,如快速原型、小批量先进器件、研究、掩模修复或特定关键层,而非全面取代大规模量产光刻。此内容为技术背景分析,不涉及具体厂商、产量、价格或订单数据。