GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
原文为背景性描述：全球碳化硅（SiC）市场正处于工业规模化的关键节点，其驱动因素为汽车、AI数据中心和可再生能源领域需求上升。原文未给出任何价格、产能、企业、日期或具体事件，未说明原因，也未涉及任何计划、政策或交易事件。
Microchip推出其最新1200-V SiC MOSFET,采用顶部冷却的QDPAK封装，以最大化散热并最小化寄生参数。原文未说明该产品的量产时间、价格或供应情况。
台积电CEO魏哲家表示，当前AI需求不仅没有放缓，反而极其强劲。他进一步指出，随着开源模型等技术降低了AI的使用门槛、使AI变得更便宜更普及，将进一步激增市场对尖端芯片的庞大需求。原文未给出具体数字、时间节点或预测数值，属于高管对需求状况的表态。
IQ Lab因警方调查其涉嫌虚增营收而陷入资金短缺，韩国产业银行(KDB)在调查期间暂停放款。据10月15日消息，负责IQ Lab半导体晶圆厂公用设施的承包商A因80 million won未付款项计划于本月底撤出，IQ Lab预计将以内部人员替换该承包商人员。一笔500 million won的设备尾款也已逾期：KDB从设备供应商B处采购了五台用于碳化硅(SiC) MOSFET的高温退火设备并安装在IQ Lab晶圆厂，KDB扣留尾款后供应商B锁定了设备运行，IQ Lab一直无法使用这些设备生产SiC MOSFET。KDB原同意提供60 billion won融资用于购买晶圆厂设备，由KDB代为支付预付款、进度款和尾款，但因IQ Lab出现法律风险而暂停支付尾款，被扣留金额约13 billion won。IQ Lab称一直在用自有资金支付部分设备尾款，导致其他款项延迟；公司去年营业亏损约18 billion won，欠承包商款项估计达数十亿won，部分承包商据报无法支付员工工资，预计还会有更多承包商撤出。釜山地方警察厅正在审查IQ Lab自2021年以来的营收记录，重点关注二手设备交易；二手设备销售占IQ Lab去年35.1 billion won营收的三分之一以上。调查还延伸至釜山市政府：投资吸引科官员C近日作为证人接受釜山警方问询。2024年，釜山将IQ Lab指定为电力半导体特色产业园龙头企业，并在公司总部从京畿道安迁至釜山机张时提供3.6 billion won支持。釜山官员称投资经过包括投资审议委员会审查在内的合法程序，并有保证保险覆盖。CEO Kim Kwon-je据报预计本月被警方传唤，IQ Lab预计初步调查将在本月内结束。
QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）发布《2026-2032中国高阻隔氧化铝膜市场现状研究分析与发展前景预测报告》。据其最新市场数据统计，高阻隔氧化铝膜年复合增长率为4.4%（2026-2032，预测值）；2025年中国高阻隔氧化铝膜市场销售收入达到了 万元（原文数值缺失），预计2032年可以达到 万元（原文数值缺失），2026-2032期间年复合增长率为 %（原文数值缺失）。高阻隔氧化铝膜以透明PET或BOPP薄膜为基材，在真空状态下气相沉积氧化铝制成，对氧气和水蒸气有高阻隔性。报告研究的产品类型包括高阻隔氧化铝PET膜、高阻隔氧化铝BOPP膜，应用领域包括食品包装、药品包装、电子及半导体、其他；历史数据为2021至2025年，预测数据为2026至2032年。报告覆盖的主要厂商包括Toppan Printing、Dai Nippon Printing、Amcor、Ultimet Films Limited、DuPont、Toray Advanced Film、Mitsubishi PLASTICS、Toyobo、Schur Flexibles Group、Sealed Air、Mondi、Wipak、3M、Flex Films、佛山市彩龙金属包装材料、广东正一包装、广东华都城集团、浙江长宇新材料、杭州明日软包装。报告还提及2025年美国关税政策带来的不确定性，并分析中国本土生产、进出口情况、产能产量供需及美国对华关税对行业的影响。本文为市场研究报告介绍，原文未说明价格变动，未给出任何价格涨跌数据。
VON ARDENNE宣布将其半导体沉积产品组合扩展至面板级封装（PLP）领域，推出新的HiPIMS沉积解决方案。该方案可在玻璃通孔（TGV）中沉积高深宽比的阻挡层和种子层，实现致密、高附着力的功能性薄膜沉积，并基于其HISS模块化水平镀膜平台，将HiPIMS技术从300mm晶圆级加工扩展至面板级生产，适用于TGV和再布线层（RDL）等先进封装应用。据Yole Group统计，PLP在2025年产生超过3亿美元的收入，预计未来五年将以超过40%的复合年增长率增长；据2026年3月Yole报告《Panel Level Packaging 2026》，在台积电（TSMC）进入及AI和高性能计算（HPC）应用采用高端PLP的推动下，PLP预计在2029-2030年间加速发展。VON ARDENNE高管称HiPIMS可降低下游成本、提高良率。此次为产品/市场扩展公告，原文未说明相关生产或投产时间安排。
美国亚利桑那州斯科茨代尔的智能功率与传感技术公司onsemi表示，其最新的EliteSiC碳化硅(SiC)混合功率模块技术已被可再生能源技术公司Sungrow采用，用于其PowerTitan 3.0储能平台。该集成可提升公用事业级电池储能系统(BESS)的效率并增强系统性能。原文未说明原因（未给出采用背景之外的额外动因）。
Vishay推出四款面向电池管理、储能和工业自动化系统的新车规级光学传感器，型号为VCND2040X02、VCND2040SLX02、VCND2045X02和VCND2045SLX02。四款器件将红外发射器与PIN光电二极管集成于4.4 mm x 2.25 mm x 1.9 mm的表贴封装中，具有两个独立透镜及发射器与探测器之间的集成串扰隔离结构，支持短距离自由空间光通信，配光纤可延长至数米。器件通过AEC-Q102认证，支持最高6 Mbit/s的系统节点间数据传输；采用可润湿侧翼引线框架，可侧视或顶视安装；MSL等级为3，符合RoHS、无卤素。VCND2040系列典型辐射强度35 mWsr、辐射功率8 mW、上升/下降时间18 ns、正向电压1.5 V(@ IF=24 mA)；VCND2045系列典型辐射强度65 mWsr、辐射功率12 mW、上升/下降时间9 ns、正向电压2.5 V(@ IF=24 mA)。原文未说明价格、产能或供货时间。
Infineon 推出 XDP8HD40S-1 高压热插拔控制器，专为下一代 AI 服务器电源架构中的数字电源路径保护和监控设计，工作电压为 ±400 V 和 800 VDC，样品计划于 2027 年第二季度可用。
德州仪器（TI）推出ADC34DSO75，一款3吉样本每秒（GSPS）的模数转换器（ADC），设计用于检测AI数据中心中的瞬态电源事件，支持纳秒级分辨率的连续、低功耗、基于事件的远程监测，并在2026年OCP全球峰会上与新高压电源管理和时钟解决方案一同展出。TI还推出LMI800PS，一款800V隔离热插拔控制器，集成了此前需五颗独立集成电路实现的功能，将隔离偏置电源与PMBus遥测整合于单一封装，使板面积减少超过60%，支持±400V和800V两种配电架构，具备5kVrms增强隔离和超过8mm的爬电距离。TI还重点介绍了基于体声波（BAW）的LMK6B振荡器，在625MHz下抖动为9.6fs，支持数据传输速率向3.2Tbps提升的高速网络系统。此外，TI将展示面向NVIDIA MGX AI工厂生态系统的800V直流电源解决方案，包括热插拔保护以及采用氮化镓（GaN）功率级的800V转12V和800V转6V DC/DC转换，并定于2026年10月15日在加利福尼亚州圣何塞的OCP全球峰会上进行关于800V数据中心DC/DC设计考量、拓扑比较与权衡的技术演讲。
Stackpole Electronics推出RMAN系列芯片电阻器，将厚膜电阻技术与氮化铝(AlN)基板的散热能力相结合，面向高功率或持续负载下运行的工业与汽车电子。据原文，氮化铝的热导率比传统氧化铝高数倍，同时保持电气绝缘。功率规格方面，1206尺寸功率最高达2.4 W，2512尺寸最高达3.4 W，原文称其在紧凑PCB占位面积下比传统氧化铝基厚膜设计具备显著更高的功率能力。应用包括IGBT、SiC和GaN功率模块的栅极与缓冲电阻器，电机驱动、电源和逆变器中的预充、放电、泄放和电流检测功能，以及汽车电池管理系统、车载充电器、DC-DC转换器和逆变器栅极驱动。价格因尺寸、公差和TCR而异，需联系Stackpole或授权分销伙伴获取具体或批量价格。
Littelfuse推出面向汽车保护的极低钳位电压TVS二极管（原文仅载此产品发布信息，未提供具体型号、参数数值、价格或供货时间）。
KAIST与韩国初创公司TDS Innovation的研究人员参与的团队于10月7日在Nature发表论文《Spatially deterministic nucleation of 2D semiconductors by etching flux》，展示了一种控制二维半导体晶体生长起始位置的方法：EF-SCN（刻蚀通量介导的单中心成核）工艺利用氧化阻挡层释放的氧产生横向刻蚀通量，抑制图案化生长区内除几何中心外的所有成核。该工艺制得的MoS₂场效应晶体管报告了高于此前已报道的选择性生长MoS₂晶体管的载流子迁移率；在2厘米衬底的单独测试中，400个图案化位点中有397个形成单晶，良率99.3%，但这尚非商业化芯片生产的验证。论文共同作者Kibum Kang为TDS Innovation联合CEO，该公司开发二维半导体设备与材料。TDS的Jony Jung表示目标是让二维半导体在2030年前后实现商用，并称AI（包括物理AI和机器人）需求加速可能提前采用，但量产时间将取决于进一步验证；论文未说明该工艺何时可用于量产芯片。
马斯克称其主导的Terafab制造项目将具备生产1太瓦算力的能力，但半导体专家指出该目标很难实现。业内强调芯片制造准入门槛极高，要使设备达到大规模生产的良率水平，并保持工艺步骤的最佳组合，至少需要30年的时间；业内并认为让Terafab实现稳定的良率可能比把星舰送上火星更加困难。原文未说明该项目的时间表或落地计划细节。
Diodes Incorporated (Nasdaq: DIOD) 于2026年10月9日宣布将首次参展electronica(11月10日至13日),展位为Hall C6, Booth 211。公司将展示不断扩充的模拟与电源产品组合,主题为"More than diodes",通过四个演示平台展示市电转48V转换、48V转更低电压转换、电机控制和电路保护,应用方向覆盖汽车、数据中心和工业系统。48V电源树演示将展示从48V输入到12V再到5V和3.3V等更低电压轨的功率转换。公司还将借electronica 2026发布面向数据中心和AI计算基础设施需求的最新电源转换技术。此为展会参展/产品展示计划,不涉及价格、产能或供需变化。
Monolithic Power Systems (MPS) 应用工程师 Joan Mampel 撰写的技术文章，介绍了一种结合堆叠输出拓扑与加权反馈网络来改善多输出反激变换器交叉调整率的实用设计。该设计基于 MPX2002（集成650 V原边控制电路和150 V副边同步整流驱动，采用容性隔离替代光耦并支持准谐振工作），从85 V AC至265 V AC输入生成四路输出：主调整+5 V输出、堆叠+12 V输出、后调整+3.3 V输出（由MP2332H同步降压变换器从+12 V轨降压获得，开关频率约1.2 MHz，选用MPL-AL4020-2R2电感）以及低电流-12 V辅助输出（由变压器独立绕组经MP2015A LDO产生，LDO输入范围2.5 V至24 V）。文章给出的关键设计参数包括：选用62 µF/450 V输入母线电容（最小直流母线电压限定为85 V DC，最高环境温度90°C，最大输出功率25 W），+5 V输出原副边匝比N_PS1=12（最大占空比限制45%，实际最低输入电压下原边占空比41.62%），+12 V输出匝比N_PS2=8，-12 V输出匝比N_PS4=4，开关频率70 kHz，磁化电感479 µH，最大额定峰值电流1.32 A，最低线输入平均电流0.33 A，输入峰值电流1.99 A，加权反馈实现+5 V输出70%调整率和+12 V输出30%调整率。文章称实验结果评估了所实现的交叉调整率、输出电压精度和整体变换器性能，并验证该架构是多输出辅助电源的实用方案。此为设计技术背景内容，不涉及价格、产能、库存或政策事件，原文未说明原因一项不适用（无事件原因需说明）。
这是一篇以ローム为主体的背景解析类报道，主题为第5世代SiC的狙い（意图/瞄准点）以及车载模块改良的幕后情况，正文显示该文为分页文章（1/2页面）。文中未给出具体的价格变动、产能数字、时间表或供需数据，本条目不构成价格或供给层面的实质性事件。
扬杰科技公告，预计2026年前三季度归属于上市公司股东的净利润为11.68亿元-13.63亿元，同比增长20%-40%，该数字为业绩预测而非已实现结果。公司称业绩变动主要系功率半导体行业景气度上行，公司紧抓AI服务器、新能源汽车、光储等领域需求爆发机遇，营业收入同比增长超30%，其中汽车业务和SiC业务收入同比均增长超100%，带动业绩稳健增长。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |