GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
原文为背景性描述：全球碳化硅（SiC）市场正处于工业规模化的关键节点，其驱动因素为汽车、AI数据中心和可再生能源领域需求上升。原文未给出任何价格、产能、企业、日期或具体事件，未说明原因，也未涉及任何计划、政策或交易事件。
快科技10月19日消息，Intel下代Nova Lake-HX与Nova Lake-H移动处理器的封装布局近日首次曝光，信息来自Moore's Law Is Dead公布的裸片图片。据披露，Nova Lake-HX采用6芯片堆叠封装，核心配置为8个P核+16个E核+4个LPE核共28核，封装尺寸12×30mm，面积约360mm²；其中计算模块面积约104mm²，采用台积电N2P工艺，承载全部8P+16E共24个核心；图形模块采用Intel 3-E工艺，集成4个Xe核心，面积约26mm²；SoC枢纽模块和外围控制模块均采用Intel 18A-P工艺，面积分别为72mm²和58mm²，SoC枢纽模块承载4个LPE核；另有两颗被动填充模块，面积分别为21mm²和85mm²，用于物理支撑和散热均衡。Nova Lake-H的图形、SoC枢纽和外围控制模块与HX版完全相同，差异在计算模块和被动模块：H版计算模块面积缩至55mm²，承载4P+8E共12核，被动模块缩减至45mm²，封装尺寸12×23mm，面积约276mm²，比HX版短7mm。MLID还提到测量值与真实值误差在5%以内，且修改了数值以保护消息源；此外12 Xe配置将使用一个占据图形模块和相邻填充模块空间的单一芯片。该信息为第三方爆料，原文未说明产品发布时间。
10月19日消息，据雷峰网《新智驾》报道，原华为预测负责人杨旭光近期加入理想汽车，报道提到杨旭光是华为ADS创始团队的核心成员，曾在感知部负责ADS预测模块，与动态感知负责人许彬、静态感知孟昭时构成感知部三大主力；2020年初华为内部酝酿端到端大模型时，杨旭光推动了预测模块的神经网络化调整；2021年苏菁离开后部分技术骨干陆续离开，预测部后来划入规控部并随ADS进入端到端时代被整合进AI模块开发部（加盟原因原文未说明）。背景方面：据IT之家此前报道，理想汽车旗下芯片子公司上海马赫心科技有限公司已签署首轮股权融资协议，认购总额16.25亿元人民币，由杭州经韬、蓝驰创投及华业天成领投、奇绩创坛参与，理想汽车通过全资附属公司出资10亿元、外部投资者合计出资6.25亿元；今年6月Livis Day上理想宣布下半年马赫VLA能力持续进化，第三季度向AD Max推送全新马赫VLA、第四季度对齐特斯拉FSD V14的能力。
据Wccftech对英伟达Vera团队采访时披露（2026年10月19日报道），英伟达为其Vera CPU选择了单片式（monolithic）计算裸片，而非主要x86竞争对手所采用的chiplet架构；Vera还配备定制LPDDR5X内存子系统和英伟达第二代Scalable Coherent Fabric。原因方面，报道解释称与传统云端工作负载优先考虑高核心数和吞吐量不同，agentic AI需要强大的单线程性能、高内存带宽和低延迟，以快速执行顺序任务并保持GPU高利用率。单片式设计使CPU核心无需跨越chiplet之间边界即可通信，降低数据移动延迟。英伟达称Vera提供3.4 TB/s的双向（bisection）带宽，为其对比中领先的x86处理器的三倍；Vera性能为前代Grace的1.5倍；对于Python脚本和代码编译等顺序任务型agentic工作负载，公司宣称最高达领先x86处理器的2倍性能，几何平均基础上为1.6倍优势。Vera还引入Spatial Multithreading技术。英伟达最初主要将Grace CPU定位为GPU系统的主机处理器，但报道指出agentic AI和强化学习需求的增长促使其转向独立Vera CPU机架。另据中央社报道，英伟达个人计算高级副总裁Jeff Fisher在台湾接受采访时否认将停产旗舰GeForce RTX 5090显卡的传闻，称其不属实，并表示RTX 5090仍是英伟达将持续供应的关键产品；他承认供应紧张正影响整个全球行业而非仅英伟达，但称公司正尽一切可能将产品推向市场。TechPowerUp补充称，RTX 5090在其1,999美元的建议零售价（MSRP）附近仍难觅货，亚马逊和Newegg上的部分 listings 超过8,000美元。
原文为Critical Manufacturing联合创始人兼CEO Francisco Almada Lobo的访谈。公司2009年成立于葡萄牙波尔图，核心产品为以制造执行系统(MES)为核心的工业运营平台；自2018年起成为ASMPT的一部分。其最强应用领域为半导体后段与先进封装，且该领域需求增长最快。公司提到新产能正在美国、欧洲、印度和东南亚建设，并指出先进封装将前端复杂性带入后段。这是背景性访谈内容，原文未涉及任何元件价格变动、产能关停或政策事件。
快科技10月18日消息，海外用户DallasGrave继为RTX 5090加装两个8pin接口分担16pin原装接口负载后，推出全新设计，在PCB上焊接四个8pin接口，可完全脱离原装16pin接口独立供电；新PCB直接焊接在显卡供电触点上，可与原有12V-2x6接口并联使用，也可完全独立运行。DallasGrave表示设计采用保险丝连接和等长PCB走线分配电流，600W负载下每根导线电流约4.1至4.4A，相比标准16pin接口几乎减半；该方案已在分流改装的显卡上测试至800W，PCB温度达到45°C。原文指出，RTX 5090自发售以来12V-2x6接口熔毁事故反复出现，主要原因是显卡功耗高达575W，逼近接口600W理论上限，未完全插紧或极端负载下容易过热熔毁。DallasGrave正在为多款显卡设计适配版本，团队还在开发可选的主动监控模块和定制背板；改装计划通过邮寄服务提供，12月还将在拉斯维加斯开设实体店提供当日安装。DallasGrave还承认，原计划出售预改装RTX 5090的方案已行不通，因为库存预计即将售罄。
源杰科技发布三季报业绩预告，预计净利润数值落在10.1亿-10.6亿区间，同比增速最高可达901.08%，该数字为预测值而非实际结果。就单季度数据而言，公司三季度净利润最高为4.53亿、最低为4.03亿，相较于二季度4.28亿净利润整体增长并不高，可能出现环比增速为负的情况；三季度全部利润基本来自经营性利润。预计三季度营收在6.5亿到7亿之间。原文将业绩增长归因于：2026上半年1.6T光模块规模放量，显著拉动高价值量CW激光器芯片的需求，公司主营CW激光器芯片供给紧俏。公司财务方面，2026上半年毛利率增长至80.42%、净利率增长至65.62%。公司两次扩产：2月份拟投资12.51亿建设光电通讯芯片和器件研发和生产基地二期项目，8月份拟出资42.68亿元建设源杰半导体科技产业园项目，出资方式均为自有资金及银行贷款，授信额度先后提高至20亿元、60亿元，3月拟登陆港股募资；据10月16日公告，2月投资项目最快在年底或2027年初形成产能。公司订单能见度至少维持到2028年。同业方面，东山精密6月拟投入12亿美元扩产光芯片和光模块项目，8月追加5亿美元；仕佳光子9月拟定增不超28亿，其中14亿投入CW光芯片及COC产业化项目。产品进展：300mW产品已和客户推进验证，400mW CW芯片正在研发，100G EML已批量销售，200G正在测试，NPO、CPO产品有望2027年出货。
Microchip推出其最新1200-V SiC MOSFET,采用顶部冷却的QDPAK封装，以最大化散热并最小化寄生参数。原文未说明该产品的量产时间、价格或供应情况。
作者根据Texas Instruments的一份新闻稿介绍，该公司推出RES80A-Q1，这是一款50-MΩ精密电阻分压器，可用于高达2,000 V DC的极高电压，且已通过AEC-Q200汽车级无源元件认证，主要用途是高压EV电池包中为车辆电池管理系统（BMS）提供电压数据。该器件采用高性能模拟晶圆工艺和SiO2绝缘层封装，8引脚SOIC封装标称尺寸7.5 mm × 5.85 mm，高低压引脚间爬电和电气间隙至少8.5 mm；每个分压器的实测比值与标称值之差在±0.1%（最大）以内，规定温度范围和老化条件下的累积漂移仅±0.2%（最大），未经校准的RES80A-Q1的寿命容差保持在±0.3%（最大）范围内。文章背景性讨论了汽车（尤其是EV）对无源元件性能要求提升，以及该类标准目录器件可被非汽车设计采用，同时指出汽车复杂化带来的维修与供应链挑战；文中未包含任何价格变动、产能或供需数据。
Terafab 项目已获得 16.8 亿美元的一期资金（四期总额最高可达 119 亿美元）；其位于奥斯汀的研究晶圆厂正在每月处理几千片晶圆，迭代工艺配方、晶体管设计和封装变体，而格里姆斯县正在建设的产能晶圆厂目标是每月 10 万片晶圆起始量，首片硅预计在 2029 年交付，采用埃隆·马斯克所命名的英特尔 14A 工艺。站点和一期资金已获批准，研究晶圆厂正在施工，但尚未公开首片晶圆日期或所有权条款，且特斯拉和英特尔均未签订合约约束。文章认为，先进封装而非光刻将决定单屋顶概念是否盈利。
印度光伏组件制造商Vikram Solar获得一份187 MW组件供应订单，客户为一家可再生能源开发商，用于位于印度南部卡纳塔克邦和泰米尔纳德邦三个地点的太阳能项目。根据协议，Vikram Solar将供应其高效N-Type TOPCon G12R组件，采用玻璃-玻璃封装结构和双面技术，功率范围615–625 Wp。该公司表示，此次合作建立在其与该开发商既有合作基础上。文章发布于2026年10月16日，并提及Vikram Solar总部位于西孟加拉邦加尔各答，业务遍及39个国家；背景为印度正朝500 GW非化石装机容量目标推进。原文未说明订单金额或原因。
Team Group Inc.宣布其T-CREATE EXPERT Ai CQDIMM DDR5桌面内存获得GOOD DESIGN AWARD 2026。该产品是Team Group首款单条容量达128 GB的DDR5 CQDIMM桌面内存，面向在本地运行生成式AI的创作者；其结合独立时钟驱动器与专利IC分选验证技术，在JEDEC标准电压1.1 V下无需超频即可实现默认8,000 MT/s的数据传输率，双槽配置可提供总计256 GB容量。成立于1957年的GOOD DESIGN AWARD采用多阶段评审流程，从人本、产业、社会、时间四个角度评估参赛作品，并考量设计理念、用户体验与长期价值。文中未说明该奖项对产品价格或供需的影响，本条为产品获奖信息，不构成价格或供应变化依据。
据快科技10月16日报道，江苏海思半导体科技有限公司近日接连完成两台光刻机的出厂验收与发运，其中一台即将出口欧洲，这是该公司自2024年以来向境外市场交付的第17台光刻设备。10月12日，境外客户验收代表团到访HISIGK洁净车间，对一台全自动光刻机进行出厂前最终检验，按双方约定验收通过后设备立即启程发运，跨越八千公里抵达欧洲客户。10月13日，另一台面向8英寸晶圆的全自动掩模对准光刻机完成调试并装车发运，该设备采用SMIF天车上料系统，主要用于硅基Micro LED晶圆的图形化制程，正面对准精度优于正负0.5微米，可选配背面对准模块，对准精度优于正负2微米。该公司产品谱系覆盖1微米级接触式光刻机到350纳米及500纳米分辨率步进式投影光刻机，已在苏州相城与成都天府新区建立双生产基地，产品覆盖2至12英寸晶圆。原文未说明原因。
SK海力士参加了2026年10月12日至15日在加州圣何塞举行的OCP全球峰会，展示了下一代内存解决方案并提出以内存为中心的AI时代服务器系统方向。展会现场，SK海力士公开了第二代CMM-DDR5（256GB，基于CXL 3.2），称与上一代相比带宽提高一倍以上（80GB/s）、能效提升约30%；并演示了CXL池化内存在AI代理服务、KV缓存共享等场景的效果。原文说明的背景是：随着AI处理的数据量爆炸式增长，数据瓶颈成为新的挑战。SK海力士还展示了HBM4/HBM4E/HBM3、HBF、服务器DDR5 RDIMM（256GB/128GB/96GB/64GB）及eSSD产品组合。文中另提及去年9月SK海力士与NAVER Cloud签署业务协议，以及PS1110 E3.S与PS1101 E3.S目前处于按序开发中。
这是一篇关于FPGA原型验证的技术性文章，未涉及价格、产能或供需变化。文中引用2024年Wilson Research Group功能验证趋势报告的三次调研数据：2016至2024年间，'design error'作为ASIC功能缺陷根因的占比从75%降至60%，'changes in specification'从59%降至43%；而'incorrect or incomplete specification'从56%升至58%再到59%，基本持平且略有恶化（各数字为受访者勾选比例，允许多选，不合计100%）。文章主张FPGA原型验证可在规格定义阶段验证'是否在做正确的芯片'，并介绍S2C的Prodigy平台与PlayerPro工具链：100+块Prototype Ready子卡与参考设计、50+个Prototype Ready IP模块；Prodigy Logic System S8-100基于AMD Versal Premium VP1902，单核心模块约1亿ASIC门，两模块约2亿门，四模块约4亿门，2,212个XPIO（最高56Gbps）。公司层面：S2C深耕ASIC与SoC验证超过20年，拥有300多名员工、服务700多家客户、设7个全球分支机构，自2020年以来服务全球前25大半导体公司中的12家；S2C估计其总拥有成本比传统EDA供应商低30–50%。
IQ Lab因警方调查其涉嫌虚增营收而陷入资金短缺，韩国产业银行(KDB)在调查期间暂停放款。据10月15日消息，负责IQ Lab半导体晶圆厂公用设施的承包商A因80 million won未付款项计划于本月底撤出，IQ Lab预计将以内部人员替换该承包商人员。一笔500 million won的设备尾款也已逾期：KDB从设备供应商B处采购了五台用于碳化硅(SiC) MOSFET的高温退火设备并安装在IQ Lab晶圆厂，KDB扣留尾款后供应商B锁定了设备运行，IQ Lab一直无法使用这些设备生产SiC MOSFET。KDB原同意提供60 billion won融资用于购买晶圆厂设备，由KDB代为支付预付款、进度款和尾款，但因IQ Lab出现法律风险而暂停支付尾款，被扣留金额约13 billion won。IQ Lab称一直在用自有资金支付部分设备尾款，导致其他款项延迟；公司去年营业亏损约18 billion won，欠承包商款项估计达数十亿won，部分承包商据报无法支付员工工资，预计还会有更多承包商撤出。釜山地方警察厅正在审查IQ Lab自2021年以来的营收记录，重点关注二手设备交易；二手设备销售占IQ Lab去年35.1 billion won营收的三分之一以上。调查还延伸至釜山市政府：投资吸引科官员C近日作为证人接受釜山警方问询。2024年，釜山将IQ Lab指定为电力半导体特色产业园龙头企业，并在公司总部从京畿道安迁至釜山机张时提供3.6 billion won支持。釜山官员称投资经过包括投资审议委员会审查在内的合法程序，并有保证保险覆盖。CEO Kim Kwon-je据报预计本月被警方传唤，IQ Lab预计初步调查将在本月内结束。
存储芯片模组厂商江波龙周三发布业绩预告：预计2026年前三季度归母净利润达140亿至149亿元，同比增长1864.55%至1990.84%；营业收入380亿至400亿元，较上年同期167.34亿元近乎翻倍有余。第三季度单季扣非净利润区间为37.53亿至47.53亿元，同比增幅高达740.33%至964.26%；前三季度扣非净利润同比增幅约为2782%至2991%，第三季度单季增幅已回落至740%至964%区间。公司同时披露第三季度经营性现金流量净额已实现转正，期末资产负债率降至50%以下。公司在公告中示警，受前期较高价格基数影响，DRAM和NAND Flash价格涨幅较前期明显收窄，存储价格上涨对公司盈利的边际贡献显著趋缓，存储行业正在从消费类价格周期转向AI驱动技术周期。公司称盈利韧性来自客户与产品结构优化，UFS 4.1、mSSD、ePOP5x等高端新品已在多家大客户实现规模化商业应用，端侧AI技术合作拓展至AMD、高通、紫光展锐等企业。该预告数据为财务部门初步核算结果，尚未经审计机构审计，具体数据将于2026年三季度报告中正式披露。
美国亚利桑那州斯科茨代尔的智能功率与传感技术公司onsemi表示，其最新的EliteSiC碳化硅(SiC)混合功率模块技术已被可再生能源技术公司Sungrow采用，用于其PowerTitan 3.0储能平台。该集成可提升公用事业级电池储能系统(BESS)的效率并增强系统性能。原文未说明原因（未给出采用背景之外的额外动因）。