三星展示业界首个400层以上V-NAND：高密度堆叠 功耗降低25%
三星在2026年GMIF创新峰会（深圳）上展示了业界首个400层以上V-NAND（V10 BV-NAND），相比V9位密度提升58%、I/O速度提升33%、功耗降低25%。快科技10月19日消息。
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三星在2026年GMIF创新峰会（深圳）上展示了业界首个400层以上V-NAND（V10 BV-NAND），相比V9位密度提升58%、I/O速度提升33%、功耗降低25%。快科技10月19日消息。
韩国企划财政部部长李炯日近日在曼谷出席IMF与世界银行年会期间接受采访时表示，全球半导体市场强劲增长势头至少延续至2027年，理由是半导体供需缺口仍然巨大且供给端仍在持续扩张。韩国《每日经济》专栏则援引首尔大学教授黄哲成的判断称，2028年之前是安全区，2029年起新建产能将集中释放，存储市场将转为红海，到2030年超级周期可能结束、产业进入下行阶段；专栏列出的风险包括AI投资速度调整、美国长期国债收益率逼近6%，以及中国长鑫存储与韩国的技术差距已缩小至1至2年。特斯拉CEO马斯克在X平台回应称中国将在2028年大量生产RAM。文中提到存储产能从投资到量产通常有2至3年滞后期，两种时间表可以同时成立。目前三星2026年产能扩张约50%，SK海力士基础设施投资增至原计划4倍；SK海力士2026年第二季度营业利润同比增长557.2%，管理层重申需求到2030年都将超过供给；TrendForce集邦咨询预测2027年HBM价格将较2026年上涨121%，全球存储市场规模有望突破1.28万亿美元。以上均为预测或报道观点，非已实现结果。
据 TrendForce 于2026年10月19日发布的报道（'reportedly'，属未经证实的传闻），英伟达据报道希望三星、SK海力士和美光为NVHBM向台积电采购基底晶粒（base dies）；标题称其想要台积电的3nm基底晶粒。与此同时，据报道三星正测试其自家2nm工艺作为备选方案。文中以问句提及三星是否放弃自有代工业务并回答'Not quite'，即并非放弃。原文未说明原因。该消息为传闻性质的意向报道，并非已确认实施的采购变更。
特斯拉与三星及台积电（TSMC）的往来凸显出，随着AI处理器需求加速，芯片设计公司与代工厂之间的紧张关系。一名工程师提出指控，内容包括价格压力、索取敏感信息的要求，以及为特斯拉的Terafab项目招聘三星员工；特斯拉和三星均未证实这些指控。
美光正在开发面向人形机器人的内存架构，加入三星电子和SK海力士的行列，共同瞄准必须处理传感器数据同时受电池功耗限制的物理AI系统。三家公司在为机器人和自动驾驶汽车追求内存设计与存储产品。文中未说明具体时间、投资规模或量产时间表，该开发属于进行中/计划中的研发事项，尚无落地或出货的确认信息。
美光正在为物理AI应用开发边缘推理内存（EIM），该内存通过将低功耗DRAM堆叠在逻辑芯片上以提高数据处理效率，预计将在2028年下半年实现量产。
加州大学伯克利分校、三星电子和英特尔的研究人员发表了题为“Nanoelectromechanically Gated Gain Cell eDRAM”的研究论文。论文摘要节选指出，存储墙以及静态随机存取存储器（SRAM）缩放放缓重新引发了对增益单元嵌入式动态随机存取存储器（gain-cell eDRAM）的兴趣；增益单元虽可提供高密度和能效，但其保留时间（retention）有限。该文属于研究发布，为背景信息，原文未提及价格、产能或商业化安排。
据《工商时报》援引机构投资人消息，谷歌TPU v9项目（由联发科参与）的初步tape-out可能因设计修改推迟至2027年1月，出货可能推迟至2028年第一季度；2026年11月的送样目标保持不变，生产版本tape-out预计在第二季度。报道称，谷歌TPU v9 Core A设计（代号Humufish）的修改使开发延迟约三周，影响联发科负责的Core B与I/O设计。另据TrendForce，该芯片预计采用英特尔的EMIB-T先进封装，基板良率仍是产能扩展与成本竞争力的关键挑战。据彭博援引消息人士，字节跳动接近达成协议采购联发科的数据中心芯片，有望成为继谷歌（Alphabet）之后联发科的第二个主要ASIC客户。台湾ASIC设计公司方面：GUC受云端客户CPU与ASIC项目支撑，9月营收达新台币71.45亿元，同比增长97.8%；Alchip因3nm AI加速器出货增加，9月营收达新台币99.79亿元，同比大增496%。Faraday已取得三星2nm工艺设计套件（PDK）以争取相关设计机会；据《工商时报》报道，三星4nm产能据称已被满载利用，促使部分AI ASIC客户评估其2nm节点。Faraday还完成了英特尔18A-P的设计环境搭建并开始提供设计服务，计划在2027年争取更多项目。《工商时报》援引机构投资人称，全球AI ASIC加速器出货量预计2027年达到1410万颗，同比增长约69%。
据首尔经济日报10月18日报道，业内消息人士18日称，英伟达已向三家NVHBM供应商——三星电子、SK海力士（000660.KS）和美光提出要求：基底裸片统一使用台积电3纳米工艺制造，核心裸片统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。NVHBM基于第七代下一代HBM标准HBM4E架构开发，是英伟达在8月发布的定制版高带宽内存。英伟达提出该要求的原因是各家HBM供应商制造方案各不相同，难以基于同一套设计实现稳定一致的性能，同时标准化可减轻针对每家供应商单独开展产品验证的工作量。负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部（Device Solutions）经过内部评估，决定接受英伟达的要求，即三星将采用台积电工艺为英伟达下一代定制HBM生产基底裸片，调整此前HBM核心裸片与基底裸片均自主生产的一站式全包制造模式。报道同时提到：对于标准HBM产品，三星仍保留一站式全包生产策略；三星今年全球率先量产第六代HBM4，目前第七代HBM4E正在进行量产验证，这两款产品的基底裸片均采用三星自研4纳米代工工艺，核心裸片在三星华城、平泽厂区的1c产线生产；面向AMD等其他客户的定制HBM，三星计划继续沿用一站式全包生产方案；三星也保留了在自家晶圆厂研发、生产NVHBM的可能性，业内人士称三星正在验证能否在自有产线上制造NVHBM基底裸片，作为防止NVHBM需求超出台积电产能上限的预案。
IT之家10月18日消息，极夜 (TOPFEEL) 在发布 DeskOne A1 的同时带来体积更小的 DeskOne W2 迷你工作站，体积约 7.3L，三维仅 245×249×120 (mm)，采用全铝机身。该机型配备 FCLGA1700 插槽，支持第 12~14 代英特尔桌面处理器，提供 2 个 DDR4-3200 SO-DIMM 内存插槽和 1 条 PCIe Gen4 ×16 插槽（扩展卡限长 245mm、限宽 45mm）。存储方面拥有 3 个 PCIe Gen4 ×4 的 M.2 SSD 盘位，另一个 M.2 为 Gen4 ×2，另有 2 个 2.5" SATA 盘位；预留 M.2 无线网卡插槽，外部接口包括 2 个 2.5GbE RJ-45 在内的一系列接口。整机集成定制 650W TFX 金牌电源，处理器散热为 6 热管风冷 + 12025 风扇，系统散热为 2 颗 9015 规格风扇。原文未说明该发布与半导体价格或供需变化相关的信息。
10月18日消息，据 Tweaktown 报道，一名韩国半导体工程师（X 平台账号 @TTHUEONE）指控，特斯拉在与三星签订芯片代工协议时试图争取极为优厚的条款：既要获取敏感的制造工艺信息、审计权限，同时还要求压低报价；该工程师还称特斯拉的 Terafab 项目从三星位于得州泰勒的工厂挖走了大量员工。特斯拉与三星均没有对该指控予以证实或否认，原文未说明原因的指控真实性尚无定论。报道称，争议核心的代工合同方面，特斯拉 AI5 芯片已在三星泰勒工厂试生产，目标在 2027 年实现量产，算力目标为 2000 至 2500 TOPS；马斯克称该芯片性能约为同级别英伟达芯片的三倍、成本仅为后者的十分之一，但这些数据尚未得到第三方独立验证；AI6 与 AI6.5 芯片预计将分别采用台积电和三星的 2 纳米工艺，内存容量降至 144GB。另据消息，三星已从韩国本土调派先进制程良率工程师前往泰勒工厂，为计划在 2027 年启动的 2 纳米芯片量产做准备。《Business Post》今年 3 月曾报道两座工厂地理位置邻近对三星构成结构性风险，彼时特斯拉已在为该项目招聘半导体研发工程师。
据快科技10月17日报道，日前流传的HBM专家纪要信息称，国产HBM内存预计会在六个月内将良率提升到40-50%，高于此前传闻的25%良率（25%意味着3/4的芯片不能用），50%左右的良率意味着国产HBM内存明年的供应量会有较大增长，报道称昇腾960提前三个季度量产是一个证据。HBM芯片需要多个DRAM内存芯片堆叠，1个HBM大约折抵2.5-3倍通用内存产能，且对3D封装要求很高，导致良率比较低、拉高成本。此前国产AI芯片用的HBM要么是囤货、要么向三星、SK海力士购买，规格较低，能拿到HBM2都很难。报价方面，国产HBM因成本依然较高，不会走低价抢市场路线，而是接近三星的报价，仅低20%以内。背景方面，三星等公司已量产HBM4，很快要量产HBM4e，国产还在追赶HBM3/3e。良率提升为流传的预期信息，能否实现尚未确认。
三星电机（Semco）在其约6.78万亿韩元（约51亿美元）用于AI服务器的半导体基板产能扩张中面临潜在的设备采购瓶颈，原因是机械制造商因零部件短缺和交货时间延长而困难；公司称投资按计划进行，暂未确认生产延迟。
据Tom's Hardware 2026年10月16日报道，中国初创公司Langdao Silex（2024年由清华大学气体放电等离子体实验室校友创立）在中国上海第26届中国国际工业博览会上展示了一台EUV光源原型，输出功率超过15W、90%零部件国产、并具备一定运行时间，但现场未点亮运行。其FlintNano LPP-OXXO系统采用激光等离子体(LPP)技术，配备1000W驱动激光器（工作频率1kHz–20kHz），转换效率超过2%，亮度达100 W/(mm²·sr)，可连续运行超过100小时，等离子体稳定性3% RMS、EUV输出功率稳定性5%；不过其输出仍不足以支撑高量产芯片生产，且公司未说明15W是在等离子体处还是中间焦点处测量。据TrendForce援引多方消息，该公司还需三到五年才能将该技术商业化。此外，其正在开发的高功率FlintMicro-LPP EUV光源已完成原理验证，但输出功率、转换效率和运行寿命均未披露。光源仅是EUV光刻机的一部分，完整EUV扫描仪还需收集/照明光学系统、多层膜反射镜、工件台/掩模台等进展。
2026年10月16日报道：高通旗舰移动平台骁龙8 Elite Extreme Gen 6虽率先采用台积电2纳米工艺，但新制程并未完全解决芯片在高负载场景下的发热问题。消息称三星在内部验证测试中发现该处理器在长时间高负载任务下会出现温度升高后的降频、频率下降并影响持续性能输出，并已将结果反馈高通要求尽快改进；高通曾引入新型Offset PoP封装以改善散热。原文未披露三星内部测试具体数据、降频幅度、温度变化或性能损失比例，这些说法暂时无法通过独立数据验证，问题严重程度尚无法准确评估。此前几周的一项测试显示，采用Offset PoP封装的该芯片达到105摄氏度温度阈值所需时间超过15分钟，而采用传统PoP封装的上一代产品约在6分30秒后达到相同温度，说明新封装提升了热量管理但未彻底解决持续负载散热问题。该芯片峰值频率首次突破5GHz。骁龙8 Elite Extreme Gen 6是三星下一代旗舰Galaxy S27系列潜在搭载平台之一；若高通未来数周内通过固件或设计优化解决相关问题仍可维持竞争力，若发热降频持续，三星也可启用基于改进版2纳米SF2P工艺的Exynos 2700作为替代。业界对爆料普遍持谨慎态度。
三星电子与SK海力士正在开发新存储技术以应对AI系统中日益增长的瓶颈。三星正在探索一种将高带宽内存（HBM）直接堆叠在图形处理器上方的设计（zHBM）；SK海力士则在推进高带宽闪存（HBF），以扩展AI推理的内存容量。以上均为开发/探索阶段的计划，原文未说明时间表或量产安排。
据市场研究机构Sigmaintell于10月15日发布的数据，三星显示为各大笔电品牌供应超过70%的OLED面板。随着OLED在笔电市场的普及，供应日趋集中：联想目前主要依赖三星显示，同时从京东方和 EverDisplay (EDO) 采购部分面板；惠普也高度依赖三星显示，并在部分机型使用EDO面板；华硕从三星显示、京东方和EDO采购；宏碁约75%的OLED面板来自三星显示；戴尔XPS系列的面板来自LG Display，其他产品则主要依赖三星显示。出货量方面，笔电OLED面板出货量从去年第一季度的210万片增至今年第二季度的430万片，预计第三季度将达到490万片；今年下半年OLED占整体笔电面板市场的份额预计超过10%；联想、惠普和华硕今年各自预计将有超过10%的笔电配备OLED面板。Sigmaintell表示，由于对单一供应商依赖加深会削弱议价能力并增加协调负担，主要笔电品牌正将采购策略转向多元供应商。在入门级市场，TCL华星准备供应喷墨打印(IJP)OLED面板，其已于第三季度开始出货显示器面板，并计划于第四季度启动笔电面板量产；在中高端市场，京东方和维信诺正在扩大柔性OLED面板供应，京东方B16产线已于今年第二季度量产，维信诺已于第三季度开始生产笔电用柔性OLED面板。Sigmaintell预测，到2030年非晶硅(a-Si)LCD在笔电面板中的占比将从2024年的约79%降至约48%，OLED份额预计升至约20%，氧化物LCD预计达到约29%。
据数码博主 @i冰宇宙 10 月 16 日援引《首尔经济日报》的报道，三星在为 Galaxy S27 Ultra 旗舰手机做最终性能验证时，发现高通第六代骁龙 8 超级至尊版存在过热问题：内部测试显示该芯片在高负载运行时温度反复超过阈值，并出现处理速度下降的情况。三星已于 2026 年 9 月将测试结果反馈给高通，并要求其在 10 月中旬前完成改进；双方目前仍在持续优化并重新测试。三星计划在本月中旬评估高通的散热改进进展并最终确定处理器方案，若问题无法解决，三星可能改用自研的 Exynos 2700。若 Exynos 2700 最终入选，将是 Ultra 系列时隔五年再次搭载 Exynos 芯片——此前三星在 2022 年的欧洲版 Galaxy S22 Ultra 上使用 Exynos 2200，自 2023 年 Galaxy S23 Ultra 起，Ultra 机型全球统一采用高通处理器。
一位韩国芯片工程师回应马斯克所称的“敲诈式”内存定价言论，指控特斯拉在AI5/AI6代工价格上向三星施压、要求获得晶圆厂产能，并从三星得州工厂为Terafab挖角人才。以上均为该工程师的指控内容，原文未说明原因以外的核实信息，事件本身为言论交锋，不构成已确认的价格或产能变动。
据Counterpoint Technology Market Research，在AI驱动的NAND需求进入超级周期的背景下，长江存储(YMTC)预计将成为增长最快的存储供应商：其2026年营收预计增速比整个行业及其同行快六倍，因为公司正积极扩张服务器相关业务。该内容为市场研究机构的预测，并非已实现业绩；文中未说明具体原因以外的细节。标题显示YMTC押注高端eSSD以与三星竞争。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |