GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
FADU宣布于10月19日实现第三季度收入1436亿韩元、营业利润363亿韩元，较上季度增长96%和124%；收入同比增长460%，营业利润转正。截至10月，公司基于监管披露获得约4563亿韩元新订单，是其2025年全年收入924亿韩元的四倍多，增长源于全球科技巨头和主要云服务提供商对用于AI基础设施的内存需求上升。FADU已完成下一代PCI Express Gen6固态硬盘（SSD）控制器的开发，计划年底开始全规模销售，同时开发面向2028年向客户交付样品的Gen7控制器。在2026年10月15日的开放计算项目（OCP）全球峰会上，FADU发布了文件语义SSD（FS-SSD）技术，使SSD能够理解数据结构的意义和上下文。公司还在扩展产品组合，超越功率管理集成电路（PMICs）和防掉电保护IC（PLP ICs），将半导体设计能力延伸至AI数据中心的数据信号恢复和高速信号解决方案。
10 月 19 日，RISC-V 中国峰会在深圳举行。阿里巴巴达摩院在峰会上发布车规增强处理器玄铁 E908A，成为首款同时达到 ASIL-B 和 ASIL-D 标准的 RISC-V CPU IP，其单点安全度量（SPFM）在业内首次超过 90%，为安全岛、域控、车载网关等场景提供实时计算底座。达摩院还首次发布面向自动驾驶和具身智能的处理器产品路线图，其中下一代 C950A 目标性能将达到现有 RISC-V 车规产品的 5 倍（此为目标，非已实现性能）。达摩院首席科学家孟建熠介绍，玄铁 C950 已成为高性能 RISC-V 技术演进的创新底座，在四类 Agentic 工作负载上的表现相比主流传统架构处理器提升 10% 以上；针对今年 8 月发布的 Qwen3.8-Flash-Next，推理速度达到 43token / 秒。另据行业机构预测，RISC-V 处理器年出货量正保持 50% 的高速增长，到 2030 年市场占有率将达到约 25%（为预测数据）。
维信诺官方发文确认，荣耀WIN2系列将全球首发2K 185Hz电竞屏，且为全系搭载，双方通过全链路定制实现2K高清与185Hz超高刷同时量产落地。该屏幕还支持5000Hz瞬时触控采样率、520Hz真十指触控报点率、800Hz旗舰级陀螺仪，采用0.93mm行业超窄四等边设计，185Hz原生适配40余款主流游戏；护眼方面搭载5920Hz低波动零风险PWM调光，通过德国莱茵全局护眼6.0与无频闪双认证。荣耀WIN2系列定位年度T0电竞机型，搭载第六代骁龙8至尊版芯片与行业首创双风扇全域散热，将于10月21日发布会上正式登场。官方已提前公布售价：12+512GB版本首销限时专享价5999元，对比同平台行业最低价6499元更低，叠加国补后到手价为5499元，比同平台竞品便宜1000元。
据10月16日消息，韩国固态硬盘主控与方案企业 FADU 在 2026 OCP 全球峰会上发布了世界首款 FS-SSD（文件语义固态硬盘）。FS-SSD 内置文件处理固件，配套嵌入文件请求的 NVMe 命令，使 SSD 能理解和管理文件、可直接同加速器通信，略过 CPU、内存和软件层；传统结构中加速器访问存储文件需经 CPU 中介，带来更高延迟和 CPU 负载。FADU 计划将 FS-SSD 发展成为基于 DPU 的无主机存储服务器和可扩展文件存储解决方案（该计划为规划，尚未实现）。FADU 此次还展示了其 PCIe Gen6 SSD 主控 FC6161 "Sierra"，其性能达到上代产品的 2.5 倍；整盘顺序写入功耗＜28W，空载功耗＜5W；主控读取功耗＜6W、写入功耗＜7W。
据ZDNet报道，SK hynix发布了超轻量级事务处理单元(H-TPU)架构，用于SSD数据面控制与事务处理，将存储控制任务分布在数十个紧凑的H-TPU集群上。据副总裁Koo In-jae（负责SoC设计）介绍，H-TPU取消超标量与乱序执行等复杂CPU特性，采用简化的四段流水线，使处理器面积降至传统CPU核心的约4%、功耗降至约2.5%，且仅激活所需模块。SK hynix还计划基于H-TPU引入硬件自动化(HWA)，将指令处理、数据地址查找、临时缓冲区复制等重复性存储控制任务交给专用硬件电路。SK hynix预期基于H-TPU的控制器架构可与面向AI工作负载的高带宽闪存(HBF)互补；AI推理高度读密集，读写比可达约30万比1，AI编译器与运行时可提前告知HBF SoC数据处理需求以预取数据。另据韩联社报道，三星已于2026年7月开始量产基于PCIe 6.0的企业级SSD PM1763，采用新开发的4nm控制器与第九代V-NAND，性能为前代的两倍以上、能效超过1.8倍。
TASKING发布了winIDEA AI Kit,这是一套工具和文件，允许AI代理通过winIDEA开发环境与TASKING的统一工具链集成。该套件包含三个维护组件：winIDEA MCP Server(提供调试控制、内存、变量、断点、跟踪、覆盖率、性能分析和时序分析等设计工具能力的结构化访问)、AI-ready winIDEA SDK文档(帮助代理生成准确的自动化脚本)以及嵌入式开发技能(为调试、时序分析、winIDEA配置和设备特定工作流提供面向任务的指导)。AI代理可在实时调试会话中协助定位应用崩溃位置、分析CPU负载、检查变量/内存/处理器状态和断点、配置和分析跟踪/时序/代码覆盖率，以及自动化多核系统中的时序耦合分析以评估最坏情况执行时间(WCET)。该套件不依赖特定模型和IDE,支持云端模型和本地部署的LLM,并随winIDEA版本一起维护。TASKING联合CEO兼CTO Christoph Herzog表示AI是提升工程师生产力的工具而非替代。
pSemi高级产品营销经理Jason Ngai在Power Corner访谈中介绍ARC1C0608 LED背光驱动IC，该器件适用于单节（1S）锂离子笔记本，需将2.7至5.5 V输入升压至最高30 V的LCD背光电压。Ngai称现代SoC待机效率提升后，显示屏成为主要功耗来源，占总系统功耗最高约70%，且显示屏无法待机，只能调暗或关闭。他指出LED背光驱动为升压变换器，输入电压越低效率越差：典型1S LED驱动器效率约为中80至高80百分比区间，但在电池电压范围（满电约4.35 V，接近截止约3.2–3.6 V）内会降至中60至中70百分比。ARC1C0608采用升压加电荷泵的专有两级架构，可实现最高95%峰值效率，在大部分工作范围内效率为高80至90以上百分比；以3.8 V输入、22–24 V输出为例，电荷泵以3倍倍压工作，升压级只需升至约8 V。该架构降低对电感的依赖，可配合1.2 mm高（甚至0.6 mm高，效率仅降约1%）的芯片电感实现薄型方案。除笔记本外，该IC也适用于平板、VR头显、无人机车灯及自行车显示等单电池显示应用。
2026年10月15日，SK hynix disaggregating SSD controller cores，开发H‑TPUs（Hynix‑Tensor Processing Units）以离载主控制器CPU的低级读写命令处理、元数据管理和缓冲区控制，计划在其下一代企业级SSD及Storage Next SSD控制器中部署H‑TPU。
俄罗斯芯片制造商在2026年10月11日的Microelectronics 26（ME26）论坛上展示了国产RISC-V和Arm芯片，以复古游戏作为演示点，包括基于Baikal Electronics BE-U1000微控制器的NES克隆、Elvis Hypercom-U SoC以及MCST的Elbrus-based PC。文章于2026年10月15日发布。来源未说明原因。事件状态为观察到的演示。
Semiconductor Engineering发布一篇技术文章，题为《Beyond The Specification: What Really Determines PCIe Retimer Reach?》。文章指出，决定PCIe Retimer传输距离的是多种相互作用的因素，涵盖硅片设计、控制器智能、通道质量以及传输介质本身。文章为技术背景内容，未报道任何价格变动、产能变化、政策、停产、并购或库存事件，也未说明任何具体厂商、产品型号、数据或原因。
SK hynix公布了名为Hynix Transaction Processing Unit (H-TPU)的自研微核心计划，旨在降低对高功耗CPU核心的依赖。该计划于ISOCC 2026（国际SoC设计会议）上由公司SoC设计副总裁Koo In-jae披露，尚属计划而非已落地产品：H-TPU尚未在实际企业级SSD控制器产品中得到验证，且未给出日期。H-TPU采用四级顺序执行流水线，置于集群中处理读写命令处理、元数据管理与缓冲控制等重复性I/O工作，总数量超过100颗；管理任务仍留给传统Arm CPU，是卸载而非替代。据称每颗H-TPU功耗仅约为通用CPU核心的2.5%，面积约为其4%（报道未指明对比所用的CPU核心）。报告所称原因是SSD控制器CPU在功耗和面积上已达极限，且PCIe带宽每代翻倍而控制器CPU时钟和控制能力无法跟上。SK hynix据报道计划将H-TPU应用于其NAND产品（包括下一代企业级SSD控制器）以及高带宽闪存（HBF），据报道HBF预计明年推出；H-TPU据报道已用于Nvidia与SK hynix合作的AIN P项目（Nvidia称为'Storage Next'）。
2026年10月14日，TrendForce报道OCP全球峰会2026，Arm表示CPU市场预计从2026年52亿美元增长至2030年3000亿美元，因具象AI重新定义数据中心架构；Arm AGI CPU于2026年3月首次亮相。
SK hynix于2026年10月14日在Newsroom系列文章[Inside the Research]第2部分介绍其发表于2025 IEEE国际电子器件会议(IEDM)的研究论文《Co-Optimizing Cell, Non-Cell, and Page Schemes for Energy Efficient Analog Computing in 3D FeNAND》,作者为Won-Tae Koo与Jihun Kim。研究提出基于3D FeNAND的模拟存内计算(A-CiM)架构,通过对单元(cell)、非单元(互连/字线)和页(page)三类方案进行协同优化,在相同芯片面积约束下,相比传统3D阵列实现约10至20倍的吞吐量提升和约4,000至5,000倍的能效提升;文中亦说明这些数字反映了3D FeNAND相较被广泛研究的2D非易失性存储阵列的高密度优势。各项优化包括:字线采用低电阻金属使吞吐量最高提升16%、能效最高提升3%;引入空气间隙使字线间寄生电容降低约60%,吞吐量提升1.2倍、能效提升2倍;字线电阻与电容联合优化后吞吐量最高提升1.4倍、能效最高提升2.2倍;页内流水线(IPP)使能效翻倍、吞吐量提升9倍;将16KB页拆分为4个4KB子页使能效提升1.2倍、吞吐量提升1.7倍。研究团队还在300mm晶圆规模上演示了低电流区每单元四电平操作及稳定数据保持。文章称该研究展示NAND从存储介质向计算介质扩展的潜力,未涉及价格、出货、产能或市场状况。
Infineon 推出 XDP8HD40S-1 高压热插拔控制器，专为下一代 AI 服务器电源架构中的数字电源路径保护和监控设计，工作电压为 ±400 V 和 800 VDC，样品计划于 2027 年第二季度可用。
德州仪器（TI）推出ADC34DSO75，一款3吉样本每秒（GSPS）的模数转换器（ADC），设计用于检测AI数据中心中的瞬态电源事件，支持纳秒级分辨率的连续、低功耗、基于事件的远程监测，并在2026年OCP全球峰会上与新高压电源管理和时钟解决方案一同展出。TI还推出LMI800PS，一款800V隔离热插拔控制器，集成了此前需五颗独立集成电路实现的功能，将隔离偏置电源与PMBus遥测整合于单一封装，使板面积减少超过60%，支持±400V和800V两种配电架构，具备5kVrms增强隔离和超过8mm的爬电距离。TI还重点介绍了基于体声波（BAW）的LMK6B振荡器，在625MHz下抖动为9.6fs，支持数据传输速率向3.2Tbps提升的高速网络系统。此外，TI将展示面向NVIDIA MGX AI工厂生态系统的800V直流电源解决方案，包括热插拔保护以及采用氮化镓（GaN）功率级的800V转12V和800V转6V DC/DC转换，并定于2026年10月15日在加利福尼亚州圣何塞的OCP全球峰会上进行关于800V数据中心DC/DC设计考量、拓扑比较与权衡的技术演讲。
SK Hynix在2026年10月12日于仁川松岛Convensia举行的ISOCC 2026上，由副总裁Koo In-je披露了自研用于固态硬盘(SSD)的小型处理器Hynix Transaction Processing Unit (H-TPU)的架构与性能。该技术将传统上由通用CPU处理的重复性任务分配到超过100个H-TPU上并行处理，据SK Hynix称，单个H-TPU的功耗约为标准通用CPU核心的2.5%（四十分之一），芯片面积约为其4%（二十五分之一）；主通用CPU保留用于错误恢复、异常处理和存储策略管理等复杂任务。公司还开发了包括专用编译器在内的软件工具。SK Hynix计划将该技术应用于多条NAND闪存产品线，首先用于下一代企业级SSD(eSSD)控制器，随后集成到面向AI的下一代存储架构Storage Next（处理低至512字节的数据单元，为传统4KB单元的八分之一）以及计划于明年发布的高带宽闪存(HBF)中；这些应用仍属计划，尚未表明已实施。
Diodes Incorporated (Nasdaq: DIOD) 于2026年10月9日宣布将首次参展electronica(11月10日至13日),展位为Hall C6, Booth 211。公司将展示不断扩充的模拟与电源产品组合,主题为"More than diodes",通过四个演示平台展示市电转48V转换、48V转更低电压转换、电机控制和电路保护,应用方向覆盖汽车、数据中心和工业系统。48V电源树演示将展示从48V输入到12V再到5V和3.3V等更低电压轨的功率转换。公司还将借electronica 2026发布面向数据中心和AI计算基础设施需求的最新电源转换技术。此为展会参展/产品展示计划,不涉及价格、产能或供需变化。
Navitas Semiconductor与Microchip Technology已开发出面向AI数据中心机柜电源系统的800V DC转6V DC参考设计，基于开放计算项目(OCP) 800 V DC架构。该设计结合Navitas GaNFast™氮化镓功率器件与Microchip数字电源控制及硬件安全技术。主功率级采用16颗NV6034器件（额定650V、17 mΩ导通电阻），以堆叠半桥配置工作，GaN FET采用DFN 8×8 mm双面散热封装。控制部分使用Microchip dsPIC33AK256MPS306系列数字信号控制器（200 MHz 32位处理器、双精度浮点单元、78 ps高分辨率PWM、高达40 MSPS的12位ADC）。该平台目标为满载、1 MHz开关频率下峰值效率高达96%，功率密度为2,100 W/in³；架构将传统的800V转50V与50V转6V两级转换合并为单一转换器，实现比手机薄约20%的低矮外形，旨在与GPU板紧密集成。安全方面集成Microchip TA100 CryptoAuthentication™器件，dsPIC33AK平台还支持CNSA Suite 2.0后量子密码算法相关的加密功能。参考平台将包含评估硬件、软件和设计文档，并将于2026年10月12日至15日在加州圣何塞举行的Microchip OCP活动上展示。
Monolithic Power Systems (MPS) 应用工程师 Joan Mampel 撰写的技术文章，介绍了一种结合堆叠输出拓扑与加权反馈网络来改善多输出反激变换器交叉调整率的实用设计。该设计基于 MPX2002（集成650 V原边控制电路和150 V副边同步整流驱动，采用容性隔离替代光耦并支持准谐振工作），从85 V AC至265 V AC输入生成四路输出：主调整+5 V输出、堆叠+12 V输出、后调整+3.3 V输出（由MP2332H同步降压变换器从+12 V轨降压获得，开关频率约1.2 MHz，选用MPL-AL4020-2R2电感）以及低电流-12 V辅助输出（由变压器独立绕组经MP2015A LDO产生，LDO输入范围2.5 V至24 V）。文章给出的关键设计参数包括：选用62 µF/450 V输入母线电容（最小直流母线电压限定为85 V DC，最高环境温度90°C，最大输出功率25 W），+5 V输出原副边匝比N_PS1=12（最大占空比限制45%，实际最低输入电压下原边占空比41.62%），+12 V输出匝比N_PS2=8，-12 V输出匝比N_PS4=4，开关频率70 kHz，磁化电感479 µH，最大额定峰值电流1.32 A，最低线输入平均电流0.33 A，输入峰值电流1.99 A，加权反馈实现+5 V输出70%调整率和+12 V输出30%调整率。文章称实验结果评估了所实现的交叉调整率、输出电压精度和整体变换器性能，并验证该架构是多输出辅助电源的实用方案。此为设计技术背景内容，不涉及价格、产能、库存或政策事件，原文未说明原因一项不适用（无事件原因需说明）。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |