GF新一代FD-SOI技术：不使用FinFET即可实现7nm级性能，推出面向AI的「FDX Fusion」
GF被报道推出新一代FD-SOI技术，其要点是在不使用FinFET的情况下实现7nm级性能。该新世代技术名称为「FDX Fusion」，与AI应用相关。原文为一篇技术介绍文章（第1/2页），属于新技术的发布/介绍性质，公告本身并不能证明该技术已实现量产或商业化，原文亦未说明量产时间表、成本或具体客户。
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GF被报道推出新一代FD-SOI技术，其要点是在不使用FinFET的情况下实现7nm级性能。该新世代技术名称为「FDX Fusion」，与AI应用相关。原文为一篇技术介绍文章（第1/2页），属于新技术的发布/介绍性质，公告本身并不能证明该技术已实现量产或商业化，原文亦未说明量产时间表、成本或具体客户。
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
据行业消息人士10月19日消息，三星显示正在开发一款不使用精细金属掩膜版（FMM）的7英寸级OLED原型，并准备采用其自主的Micro Patterned OLED（MPO）技术制作工程样品（ES）。该项目自3月启动，并非针对特定客户，而是基于假设的客户需求按接近量产标准开发；初步目标为2026年底，若样品准备情况不足，开发可能延至2027年第一季度。MPO开发在2026年初之前实际处于搁置状态：2025年9月，三星显示在其忠清南道牙山A2产线安装了应用材料旗下AKT的5.5代四分之一尺寸垂直沉积设备以评估无FMM技术，但该技术据称与公司现有中小尺寸及大尺寸OLED面板开发路线图不符，商业化方向也不明确。在3月获得并分析了一块采用Visionox无FMM ViP技术的智能手表OLED面板后，开发获得动力——分析结果显示其器件特性与FMM技术相当，与此前认为ViP良率和器件性能明显较低的判断不同；行业消息人士称Visionox仍在努力确保足够良率，但三星显示内部认为良率提升是其强项并可实现大幅进步。MPO通过微观隔离结构和光刻形成RGB像素而不使用FMM，且据称在制造后移除隔离结构，与保留隔离结构的ViP和LG Display的FliPP不同；业界观察人士认为这些工艺顺序与最终结构差异或可避开涵盖Visionox ViP、LG Display FliPP及应用材料无FMM技术的专利。该工艺被认为尤其适合高分辨率OLED显示：更易实现更紧的像素间距、减少有机层损伤和精细工艺控制复杂度、降低材料消耗和制造步骤数，省去蚀刻步骤也有望简化制造并降低成本。消息人士称MPO的开发方向比中大型面板更适合高分辨率OLED显示，一旦7英寸级样品可用，即可评估MPO技术优势在实际产品尺寸上的实现程度。
快科技10月19日消息，REDMI K100定档10月27日发布，目前已在各大平台上架接受预约。该机搭载高通骁龙8至尊版旗舰平台（快科技注：简称骁龙8E），配备狂暴独显芯片D2，采用165Hz电竞高刷屏和小米系最大10000mAh电池，支持100W有线闪充。博主数码闲聊站表示骁龙8E性能调校到位的话，日常体验与骁龙8E5、骁龙8EE6的差距会比想象中小，在3K价位段仍具竞争力。REDMI K100定位3000元档性能手机，由于当前REDMI K90在小米商城定价3499元起（12GB+256GB），文章推断K100起售价至少会是3499元，即超过3000元；对比同档机型，K100还拥有游戏独显芯片、万级大电池和BOSE调音。小米商城支付9.9元订金可获新品礼，包含小米Air 4 SE无线耳机、一年延保、6期免息分期、以旧换新补贴及365天只换不修等权益。
快科技10月19日消息，REDMI K100已官宣10月27日发布，官方确认新机搭载骁龙8至尊版旗舰芯片，并首次加入游戏独显D2，形成"狂暴双芯"组合。骁龙8至尊版是高通首款采用自研Oryon CPU架构、台积电3nm工艺的旗舰平台，配2颗超大核与6颗性能核、Adreno 830 GPU；游戏独显D2为REDMI此前在至尊版机型上采用的定制独显芯片，承担硬件级画面超分与超帧补帧任务。官方确认屏幕升级为165Hz高刷电竞直屏。根据爆料（非官方确认），该机将升级为6.9英寸大屏直屏方案，搭载超级像素屏幕技术，内置10000mAh级硅碳负极电池（小米手机史上最大电池）并支持100W有线快充。官方已公布新机外观，推出与Pro同款的流萤绿配色，背部右侧有Bose调音标识。原文未说明原因（无价格/供应相关事件）。
快科技10月19日消息，在2026年OCP全球峰会上，英特尔分享其硅光子愿景并提出“金锤子”战略：宣称自己是唯一能够以300毫米磷化铟（InP）硅光子技术大规模服务整个行业的高量产晶圆厂，这些300毫米晶圆将承载面向高性能计算（HPC）和人工智能（AI）领域未来NPO与CPO功能所需的尖端硅材料。数据中心系统与解决方案副总裁尼克·杜贝称硅光子为下一代系统的“金锤子”，并表示关于硅光子成为行业标准的讨论已持续一段时间，英特尔及其团队正夜以继日地工作，力求在未来几年内将其变为现实——此为愿景与计划，尚未实现。原文给出的原因是：行业在传输距离、带宽密度和每比特能耗方面正触及极限，而硅光子能够同时解决这些问题。英特尔还表示拥有可构建可靠硅光子平台的集成工具（如集成激光器，可实现无需维护的集成光源），并将推动外部光源社区标准以提供美国晶圆厂制造的多波长光源；预计将显著降低所有数据传输的每比特能耗，估计光子学系统可使其降至每比特5皮焦耳以下；并认为硅光子将开辟一类新系统，在机架、节点和系统规模上实现更大灵活性与更好能效。上述均为英特尔的宣示与预期，不构成已实现的结果。
10 月 18 日消息，极夜 (TOPFEEL) 昨日（即 10 月 17 日）公布了其 AI 双卡工作站 DeskOne A1，该型号基于英特尔酷睿 Ultra 9 处理器 275HX。DeskOne A1 拥有全铝机身，三维 370×195×290 (mm)，体积约 21L，标配 850W 电源，后部预留 4 槽宽度的扩展卡 I/O 面板开口。配置方面，其具备 4 条 DDR5 内存插槽（支持 7200MT/s）、2 条 PCIe Gen5 插槽（×16 / ×8 + ×8 / ×8 + ×4 + ×4）、1 条 PCIe Gen4 ×4 插槽，存储接口提供 1 个 M.2 PCIe Gen5 ×4、2 个 M.2 PCIe Gen4 ×4、2 个 SFF-8654 SlimSAS 4i (PCIe Gen4 / SATA)，并预留 M.2 无线网卡插槽。正面提供 2 个雷电 4、3 个 USB-A 10G、3.5mm 二合一音频插孔；反面提供 10GbE RJ-45、2.5GbE RJ-45、4 个 USB-A 10Gbps、2 个雷电 5、HDMI 2.1、2 个 Mini DisplayPort 输入、COM 扩展口。原文未说明价格及上市时间。
作者根据Texas Instruments的一份新闻稿介绍，该公司推出RES80A-Q1，这是一款50-MΩ精密电阻分压器，可用于高达2,000 V DC的极高电压，且已通过AEC-Q200汽车级无源元件认证，主要用途是高压EV电池包中为车辆电池管理系统（BMS）提供电压数据。该器件采用高性能模拟晶圆工艺和SiO2绝缘层封装，8引脚SOIC封装标称尺寸7.5 mm × 5.85 mm，高低压引脚间爬电和电气间隙至少8.5 mm；每个分压器的实测比值与标称值之差在±0.1%（最大）以内，规定温度范围和老化条件下的累积漂移仅±0.2%（最大），未经校准的RES80A-Q1的寿命容差保持在±0.3%（最大）范围内。文章背景性讨论了汽车（尤其是EV）对无源元件性能要求提升，以及该类标准目录器件可被非汽车设计采用，同时指出汽车复杂化带来的维修与供应链挑战；文中未包含任何价格变动、产能或供需数据。
据Tom's Hardware 2026年10月16日报道，中国初创公司Langdao Silex（2024年由清华大学气体放电等离子体实验室校友创立）在中国上海第26届中国国际工业博览会上展示了一台EUV光源原型，输出功率超过15W、90%零部件国产、并具备一定运行时间，但现场未点亮运行。其FlintNano LPP-OXXO系统采用激光等离子体(LPP)技术，配备1000W驱动激光器（工作频率1kHz–20kHz），转换效率超过2%，亮度达100 W/(mm²·sr)，可连续运行超过100小时，等离子体稳定性3% RMS、EUV输出功率稳定性5%；不过其输出仍不足以支撑高量产芯片生产，且公司未说明15W是在等离子体处还是中间焦点处测量。据TrendForce援引多方消息，该公司还需三到五年才能将该技术商业化。此外，其正在开发的高功率FlintMicro-LPP EUV光源已完成原理验证，但输出功率、转换效率和运行寿命均未披露。光源仅是EUV光刻机的一部分，完整EUV扫描仪还需收集/照明光学系统、多层膜反射镜、工件台/掩模台等进展。
据易车消息，IT之家10月16日消息，东风风神 L8+ 将于10月23日正式上市（上市为计划安排，尚未发生）。新车搭载天元智驾 T800，采用 Momenta R7 世界模型，配备英伟达 Thor-U 芯片，算力可达700TOPS，支持城市和高速 NOA；动力方面搭载1.5T发动机+电机组成的插电混动系统。背景信息：东风风神在今年7月宣布下半年将发布风神 L8Y/L8+/L9/E80 四款新车，其中风神 L8+ 剑指"同级最强智能辅助驾驶产品"。原文未说明原因（无相关价格或供应影响说明）。
Sipeed 宣布了其 MaixStation，这是一款与 Nvidia DGX Spark 和 AMD Ryzen AI Halo 竞争的国产产品，预计 128GB 型号售价约 3,999 美元。公司表示，签现已开放，将在 2026 年底进行 Kickstarter 众筹，众筹结束后三个月内开始发货。NPU 工具链将在 2026 年 10 月底发布。该公告发布于 2026 年 10 月 15 日。
IT之家10月15日消息，联想一体机新品小新 27 元气版定于10月16日00:00发售，新品尝鲜价均为6999元，当前可选霁蓝/绛紫/霞绯3种配色。该一体机基于英特尔酷睿 5 处理器 320，配备16GB LPDDR5X-7467内存、512GB SSD存储及27英寸FHD 120Hz 350nits高色域屏幕，预留第二M.2 SSD盘位，集成5MP摄像头与Harman 2.0音箱，机身薄至13mm，底座较上代减薄38%。I/O方面支持Wi-Fi，拥有2个USB-C 20Gbps、4个USB-A 10Gbps、1个1GbE RJ-45、1个HDMI 2.1 (TMDS) in&out和1个3.5mm二合一音频插孔。
pSemi高级产品营销经理Jason Ngai在Power Corner访谈中介绍ARC1C0608 LED背光驱动IC，该器件适用于单节（1S）锂离子笔记本，需将2.7至5.5 V输入升压至最高30 V的LCD背光电压。Ngai称现代SoC待机效率提升后，显示屏成为主要功耗来源，占总系统功耗最高约70%，且显示屏无法待机，只能调暗或关闭。他指出LED背光驱动为升压变换器，输入电压越低效率越差：典型1S LED驱动器效率约为中80至高80百分比区间，但在电池电压范围（满电约4.35 V，接近截止约3.2–3.6 V）内会降至中60至中70百分比。ARC1C0608采用升压加电荷泵的专有两级架构，可实现最高95%峰值效率，在大部分工作范围内效率为高80至90以上百分比；以3.8 V输入、22–24 V输出为例，电荷泵以3倍倍压工作，升压级只需升至约8 V。该架构降低对电感的依赖，可配合1.2 mm高（甚至0.6 mm高，效率仅降约1%）的芯片电感实现薄型方案。除笔记本外，该IC也适用于平板、VR头显、无人机车灯及自行车显示等单电池显示应用。
Microchip Technology推出辐照耐受型氮化镓(GaN)点-of-load(POL)转换器POL-05-20S-T,面向航天处理系统。该器件可提供最高20A连续输出电流，采用紧凑表贴封装，尺寸为1.51 × 1.51 × 0.45英寸，重量25 g,输入电压范围4.75 V至13.2 V,输出可在0.7 V至5 V之间调节，工作温度范围为满载时−55°C至+100°C。辐照耐受规格方面，Microchip规定了总电离剂量(TID)高达50 krad暴露前后的电气参数，并在线性能量转移(LET)高达43 MeV·cm²/mg水平下对单粒子效应(SEE)进行了表征。该产品面向FPGA、微控制器、ASIC等处理密集型器件的核芯电压轨等大电流、快速瞬变负载，现已有量产数量的供货。
第28届半导体展（SEDEX 2026）于10月14日至16日在首尔江南区COEX会展中心举办，为期三天，三星电子与SK海力士在展会上共同展出第七代高带宽内存HBM4E及新一代存储技术。三星HBM4E采用10纳米级第六代（1c）DRAM搭配4纳米制程基础裸片，单引脚传输速率14Gbps至最高16Gbps，较HBM4提升超20%；最高带宽达3.6TB/s，12层堆叠版本容量48GB，较上代增加30%以上；三星还计划推出8层32GB与16层64GB版本，并已于今年5月向全球客户送样12层版本。SK海力士展出的HBM4E最高传输速率同样达16Gbps，能效较HBM4提升逾20%，热阻降低约17%，采用先进MR-MUF工艺，6月已向主要客户送样12层48GB版本并开展性能验证。三星还展出zHBM概念产品，结合下一代晶圆键合技术，内存密度可达HBM5的10倍以上、能效提升3倍，同时展出面向边缘AI的LPDDR-PIM与zNAND-O方案。SK海力士提出HBF（高带宽闪存），目标容量约为HBM的10倍，采用UCIe开放接口标准。SK海力士开发总裁安铉在主题演讲中表示，预计2030年AI基础设施性能将较今年增长约20倍。
Renesas Electronics推出其首个100-V增强型(E-mode)分立GaN功率晶体管家族，型号包括RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC。公司称这些低压GaN FET实现业界领先的硬开关和软开关品质因数(FOM)，硬开关FOM较同类GaN器件最多低35%，软开关FOM最多低63%。器件采用FCLGA封装，保持与硅器件兼容的占位面积，便于从硅MOSFET布局迁移而无需大幅改动PCB。RTP100E005G1FL和RTP100E2P6G1FL典型导通电阻分别为5 mΩ和2.6 mΩ；双面冷却的RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC导通电阻分别为1.8 mΩ和1.2 mΩ。根据应用需求和功率转换架构，这些晶体管可实现最多40–70%更低的开关损耗和系统级最多两倍的功率密度。该100-V家族面向AI数据中心、人形机器人和工厂自动化等高功率密度应用，可用于同步整流、多相降压转换和工业电机驱动等场景。新型低压GaN功率晶体管现已供货，并提供相应的评估板。
Antaira Technologies宣布其LMX-1204G-SFP-T-BABA管理型千兆以太网交换机完全符合2026年10月1日生效的《建设美国，购买美国》(BABA)法案第二阶段要求，该交换机在美国制造并已可即时供货；根据联邦公路管理局(FHWA)要求，制造产品的组件成本国内占比自2026年10月1日起提高至55%，该交换机至少55%的组件成本在美国开采、生产或制造，系统 integrator、承包商和政府机构可在联邦资助的基础设施项目上部署而无需承担国内含量风险。Antaira同时公布了下一款符合BABA要求的平台LMP-1204G-SFP-bt-24-T-BABA，为系列新增每端口最高100W的IEEE 802.3bt PoE++供电，计划于2027年第一季度投产；该型号包含四个IEEE 802.3bt PoE++端口（每端口最高100W）、四个IEEE 802.3at PoE+端口（每端口最高30W）和四个千兆SFP插槽，采用12–55VDC宽压输入。公司的BABA计划于2025年启动，当时推出了LMX-1204G-SFP-T-BABA并将制造业务扩展至美国。
华为在上海举办2026麒麟媒体沟通会，麒麟9050系列在安全、音视频方面全面升级，是首批获权威检测的抗量子攻击移动SoC，也是首个芯片级隐私安全SoC平台；下一代麒麟2027芯片已就绪，测试结果符合预期，未来10年逻辑折叠演进可持续。
10月13日，阶跃终端正式发布首款大模型原生智能体手机STEPX Neo，先行版售价3999元，定于10月16日在京东、天猫、抖音等平台正式首销。该机搭载智能体原生操作系统Step AOS 1.0和个人智能体阶跃Amoo，采用端云协同方案，并配备六麦克风阵列、低功耗音频感知芯片及独立MiniLED点阵背屏。生态方面，阶跃Amoo已与支付宝、腾讯、携程、滴滴、剪映、高德、美团等近百家企业或产品建立合作，其中腾讯旗下WorkBuddy、企业微信和微信读书为首批接入的腾讯生态应用。商业模式上，先行版采用'软硬模'全栈定价，将手机硬件、操作系统、模型及开发工具整合在3999元价格中，购买用户还可获得连续12个月、每月百亿Token的模型使用额度。文章同时指出，作为新进入手机市场的AI公司，阶跃需面对成熟手机厂商在硬件、渠道和用户规模上的竞争，其智能体手机的实际使用价值仍有待验证。