GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
香港《首个五年计划（2026–2030）》及行政长官2026年施政报告重申香港微电子研发院（MRDI）为香港五大研发机构之一的地位，并支持加快建立香港首个国家制造业创新中心，该中心将由MRDI牵头并运营。原文未说明该中心的具体落成时间表或资金安排，目前仅为计划/获支持状态，尚未证明已建成或投入运营。
原文为Critical Manufacturing联合创始人兼CEO Francisco Almada Lobo的访谈。公司2009年成立于葡萄牙波尔图，核心产品为以制造执行系统(MES)为核心的工业运营平台；自2018年起成为ASMPT的一部分。其最强应用领域为半导体后段与先进封装，且该领域需求增长最快。公司提到新产能正在美国、欧洲、印度和东南亚建设，并指出先进封装将前端复杂性带入后段。这是背景性访谈内容，原文未涉及任何元件价格变动、产能关停或政策事件。
据Tom's Hardware 2026年10月16日报道，中国初创公司Langdao Silex（2024年由清华大学气体放电等离子体实验室校友创立）在中国上海第26届中国国际工业博览会上展示了一台EUV光源原型，输出功率超过15W、90%零部件国产、并具备一定运行时间，但现场未点亮运行。其FlintNano LPP-OXXO系统采用激光等离子体(LPP)技术，配备1000W驱动激光器（工作频率1kHz–20kHz），转换效率超过2%，亮度达100 W/(mm²·sr)，可连续运行超过100小时，等离子体稳定性3% RMS、EUV输出功率稳定性5%；不过其输出仍不足以支撑高量产芯片生产，且公司未说明15W是在等离子体处还是中间焦点处测量。据TrendForce援引多方消息，该公司还需三到五年才能将该技术商业化。此外，其正在开发的高功率FlintMicro-LPP EUV光源已完成原理验证，但输出功率、转换效率和运行寿命均未披露。光源仅是EUV光刻机的一部分，完整EUV扫描仪还需收集/照明光学系统、多层膜反射镜、工件台/掩模台等进展。
QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）发布《2026-2032全球与中国毫米波技术市场现状及未来发展趋势》报告，为市场研究报告出版事件，非价格或供需实际变动。报告预测：2025年全球毫米波技术市场销售额为4800百万美元，2032年预计达到10065百万美元，年复合增长率（CAGR）为11.2%（2026-2032）。核心统计：2025年全球毫米波系统及模块销量约2,400千套，全球平均市场价格约2,000美元每套，全球产能约3,100千套，行业主要企业毛利率约28%至48%；通信和汽车雷达为主要应用市场。报告研究产品类型细分为毫米波天线、毫米波收发器、毫米波雷达模块，应用细分为高速无线通信、雷达感知与探测、成像与安检及其他，覆盖2021-2032年全球及中国市场按产品类型、半导体技术（CMOS基、SiGe基、GaAs/GaN基）和频率范围的销售额分析，并列出Analog Devices、Qorvo、Keysight、NXP、Infineon、TI、MACOM、安立、罗德与施瓦茨、NEC、富士通、村田及中兴、华为、成都雷电微力、国博电子、卓胜微、唯捷创芯等企业。原文未说明原因（本事件为报告发布，无因果事件）。
三星奥斯汀半导体（SAS）在2025年报告称，其奥斯汀和泰勒两座园区向得克萨斯中部经济注入了总计109亿美元，支持了28,746个岗位并支付了20亿美元的工资。该园区为当地税收贡献了2.182亿美元，向奥斯汀园区供应商支付了19亿美元，向泰勒园区供应商支付了740万美元，慈善捐赠近400万美元，劳动力发展投资590万美元。公司计划在2026年利用极紫外（EUV）技术在泰勒建立晶圆厂以生产2纳米芯片，预计年底前投入运营，并计划在未来几年在该地区投资超过370亿美元。
TDK 推出 Micronas HAR 3025 双芯片抗 stray-field 稳健电机位置传感器，具备冗余设计、ASIL D 就绪（SEooC），符合 ISO 26262:2018 和 ISO 11452-8:2015 标准，样品已可获取，量产计划于 2027 年上半年开始。原文未说明原因。
CXMT总裁曹坤宇宣布，公司首款4F² DRAM产品将是服务器DDR5 RDIMM，预计年底前推出；该宣布在Integrated Chips and Chiplets Conference上周六发表，文章发表于2026年10月13日。该内存采用垂直晶体管将电池占地面积在纸上减少约三分之一，但尚未公布速度或容量。CXMT预计将销售一种仅在三星和SK海力士研究论文中出现的存储单元。原文未说明原因。
Intel 提出开放软件蓝图，将开放软件定位为连接 CPU、GPU、数据和业务应用的结缔组织，强调对熟悉框架（如 PyTorch、SGLang、vLLM）的上游贡献，旨在实现“Day 0 准备”，即让新模型通过开发者已有的工具快速可用；Intel 将 Xeon 描述为推理的运营基础，扩展到分离前填充和解码的分离推理，并将微服务和企业代理工具包视为过渡的构建块；文章指出这是蓝图，尚未证明执行。
MangoBoost于Oct. 12发布AI推理平台Mango Inference，并在7月首次亮相。公司定价比竞争对手低超过20%，计划在明年第一季度在首尔江南区建设1MW AI数据中心，后续可扩至5MW，GPU由AMD供应，内存由三星电子和SK海力士提供。MangoBoost瞄准明年收入超过1000亿韩元，预计今年收入约100亿韩元，公司成立于2022年。
Infineon 推出 XDP8HD40S-1 高压热插拔控制器，专为下一代 AI 服务器电源架构中的数字电源路径保护和监控设计，工作电压为 ±400 V 和 800 VDC，样品计划于 2027 年第二季度可用。
GlobalFoundries以称为FDX Fusion的方案重回先进节点竞赛，该方案基于全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）技术。背景方面：2018年，GlobalFoundries曾宣布无限期停止其7 nm节点开发，原文将此归因于节点设计成本日益高昂（需要数十亿美元投资）、复杂度提升以及许多厂商遇到良率与制造困难；此后该公司继续开发不专注于更小晶体管尺寸的独特半导体方案。原文称FDX Fusion通过在沟道下方创建全绝缘层进一步强化衬底隔离，可实现超低功耗存内计算、嵌入式非易失性存储（如eMRAM）的无缝集成以及高效密集逻辑设计。GlobalFoundries声称FDX Fusion在尺寸方面具备7 nm级节点特性，且晶体管密度为第一代22FDX节点（22 nm级设计）的两倍。上述性能数据为公司声称，事件状态为公布/计划性质。
iC-Haus宣布将以机器人为重点参加electronica（慕尼黑，2026年11月10–13日，C5馆420展位）和SPS 2026（纽伦堡，2026年11月24–26日，4A馆146展位）两场展会，展示用于轴、关节、夹爪等定位感测与电机控制的高集成编码器和传感器iC。展品亮点包括用于空心轴应用（如机器人关节）中位置感测的新型iC-MUE磁性绝对值编码器SoC、用于光学测量系统（包括基于三角测量的距离与物体检测）的激光二极管驱动器，以及面向高性能电机反馈系统的iC RT2624 26位光学编码器方案。该消息为产品展示层面的背景信息，原文未说明任何价格、供应或需求变化，亦未说明原因。
RCA 在 1976 年 2 月宣布了 1802 单芯片微处理器。该芯片的样品早在 1975 年内部即可获得。相比之前的两芯片 1801，1802 将硅占地面积从 120,000 平方密尔降至 40,000 平方密尔，实现了 3 倍的硅面积减少，同时增加了 10% 或 15% 更多功能。
Vertiv于10月8日表示，其2.3兆瓦CoolChip冷却液分配装置（CDU）型号符合NVIDIA DSX Ready CDU计划的要求。该计划允许建设AI工厂的运营商识别符合NVIDIA DSX相关要求的电源和散热产品；对CDU供应商而言， individual产品通过NVIDIA CDU自我资格认证套件进行评估，以确定是否满足适用的功能要求。由于验证由供应商自行进行，采用该产品的客户必须单独评估CDU是否满足其设施的设计、系统配置和运行要求。该2.3MW Vertiv型号属于Vertiv液-液CDU产品组合，支持直接芯片（D2C）冷却和后门热交换器应用，并设计为可安装在机架排末端或数据中心机房周边。其他已获得NVIDIA DSX Ready认证的CDU供应商还包括LG电子、LiquidStack和施耐德电气。
据一财全球报道，CXMT总裁曹勘宇在10月10日的集成电路与Chiplet大会上介绍了该公司的4F² DRAM架构，并计划在年底前推出基于该技术的下一代DDR5 RDIMM（属计划，尚未证实量产）。据MyDrivers解释，业界目前采用6F²设计（每个存储单元占最小特征尺寸平方的六倍），4F²将其缩减至四倍，有望在相同面积内将存储密度提升30%–50%；CXMT方案的核心是垂直环绕栅极（VSG）晶体管，可改善静电控制并降低漏电流和短沟道效应。曹勘宇称CXMT已拥有超过300个与4F²架构相关的已公开专利族。另据TrendForce，CXMT在2026年第二季度全球DRAM营收排名第四，市场份额从前一季度的7.6%升至9.5%，落后于三星（39.4%）、SK海力士（24.9%）和美光（23.3%）。同期，三星在ISSCC 2026上展示了结合4F²单元与晶圆级混合键合的16Gb原型，但据报优先推进混合键合商用化，该技术预计2028年前不会上市，4F²整合尚无明确时间表；Wccftech报道称三星考虑在其B1b工艺（据报更名为D0a）中采用4F²，SK海力士也在推进垂直栅极（VG）4F² DRAM。据Money Today，CXMT即将推出的产品可能仅部分采用4F²技术，实现大量产仍是另一道门槛。
Monolithic Power Systems (MPS) 应用工程师 Joan Mampel 撰写的技术文章，介绍了一种结合堆叠输出拓扑与加权反馈网络来改善多输出反激变换器交叉调整率的实用设计。该设计基于 MPX2002（集成650 V原边控制电路和150 V副边同步整流驱动，采用容性隔离替代光耦并支持准谐振工作），从85 V AC至265 V AC输入生成四路输出：主调整+5 V输出、堆叠+12 V输出、后调整+3.3 V输出（由MP2332H同步降压变换器从+12 V轨降压获得，开关频率约1.2 MHz，选用MPL-AL4020-2R2电感）以及低电流-12 V辅助输出（由变压器独立绕组经MP2015A LDO产生，LDO输入范围2.5 V至24 V）。文章给出的关键设计参数包括：选用62 µF/450 V输入母线电容（最小直流母线电压限定为85 V DC，最高环境温度90°C，最大输出功率25 W），+5 V输出原副边匝比N_PS1=12（最大占空比限制45%，实际最低输入电压下原边占空比41.62%），+12 V输出匝比N_PS2=8，-12 V输出匝比N_PS4=4，开关频率70 kHz，磁化电感479 µH，最大额定峰值电流1.32 A，最低线输入平均电流0.33 A，输入峰值电流1.99 A，加权反馈实现+5 V输出70%调整率和+12 V输出30%调整率。文章称实验结果评估了所实现的交叉调整率、输出电压精度和整体变换器性能，并验证该架构是多输出辅助电源的实用方案。此为设计技术背景内容，不涉及价格、产能、库存或政策事件，原文未说明原因一项不适用（无事件原因需说明）。
Keysight Technologies(NYSE: KEYS)宣布推出Velocity 4900系列Layer 1自动化交换机，用于在网络测试实验室中通过软件控制实现物理连接自动化，服务对象包括支持AI、6G及下一代服务的网络与基础设施测试。该系列首批两款型号：Velocity 4902为高速Layer 1自动化交换机，支持100 Mbps至100 Gbps以太网速率，配备72个QSFP28端口，通过breakout支持288个连接；Velocity 4906为高密度Layer 1自动化交换机，配备288个SFP28端口，支持100 Mbps至25 Gbps以太网速率。两款交换机均提供超低延迟、完全透明的Layer 1交换矩阵，支持单模光纤、多模光纤、直连铜缆和有源光缆，并具备端口镜像诊断与一对多流量复制功能。据原文，该产品旨在解决测试实验室依赖手动布线和物理拓扑变更导致的设备利用率不足、测试缓慢等问题。Velocity 4902和4906已可立即下单，首批交付计划于2027年1月进行。
这是一篇由西门子数字工业软件Calibre Design Solutions产品工程师Bhanu Pandey撰写的技术评论文章，主题为模拟/混合信号(AMS)验证中的“浮动网络(floating net)”结构缺陷。文章引用Wilson Research Group / Siemens EDA功能验证研究称，首次流片成功率处于历史低位，近68%的设计需要两次或更多次流片，而AMS验证仍是导致重新流片的主要来源之一。文章解释浮动网络的成因（断电模式下节点失去低阻抗通路、由寄生电容上的俘获电荷决定电压、漏电流导致电压漂移，可能引发闩锁或永久性物理损坏），并列举SPICE仿真无法捕获该缺陷的三个原因：收敛处理(gmin stepping)掩盖缺陷、时间尺度问题、测试激励覆盖不足。文章以内部标注为“VICTIM”网络的设计案例说明缺陷在仿真中被掩盖但在硅片中造成大电流尖峰、损坏输出级并导致昂贵的现场失效和重新流片。文章主张采用自动化结构分析（如Calibre Insight Analyzer）在流片前检测浮动网络，将可靠性验证左移，但未涉及任何价格、供需、产能或采购相关信息，属于背景性技术内容。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |