2026年OCP全球峰会（10月12日至15日，圣何塞）显示焦点从开放服务器硬件转向开放AI基础设施，机架级标准化正扩展至AI工厂系统级协同设计
2026年OCP全球峰会于10月12日至15日在加利福尼亚州圣何塞举行，峰会凸显行业焦点从开放服务器硬件转向开放AI基础设施；机架级标准化目前正扩展到AI工厂的系统级协同设计。原文未说明原因。
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2026年OCP全球峰会于10月12日至15日在加利福尼亚州圣何塞举行，峰会凸显行业焦点从开放服务器硬件转向开放AI基础设施；机架级标准化目前正扩展到AI工厂的系统级协同设计。原文未说明原因。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
北京恒州博智（QYResearch）于2026年10月发布《2026年全球镍及镍合金电镀产品行业总体规模、主要企业国内外市场占有率及排名》报告。据QYResearch调研统计，2025年全球镍及镍合金电镀产品市场销售额达到108亿元，预计2032年将达到150.5亿元，2026-2032年复合增长率（CAGR）为4.9%。报告覆盖全球及中国市场占有率、收入份额、企业排名、三年数据对比、产能、销量、价格及市场份额等指标，并列出上村化工、安美特、Dupont、麦德美乐思、奥野制药工业株式会社、日本JCU、光华科技等主要企业；产品类型包括镀镍产品和镀镍合金产品，应用领域涵盖半导体、PCB、汽车、装饰、光学器件、航天航空、电器、工业机械、石油化工等。该内容为市场研究报告数据及预测，非价格波动或供需事件。
FADU宣布于10月19日实现第三季度收入1436亿韩元、营业利润363亿韩元，较上季度增长96%和124%；收入同比增长460%，营业利润转正。截至10月，公司基于监管披露获得约4563亿韩元新订单，是其2025年全年收入924亿韩元的四倍多，增长源于全球科技巨头和主要云服务提供商对用于AI基础设施的内存需求上升。FADU已完成下一代PCI Express Gen6固态硬盘（SSD）控制器的开发，计划年底开始全规模销售，同时开发面向2028年向客户交付样品的Gen7控制器。在2026年10月15日的开放计算项目（OCP）全球峰会上，FADU发布了文件语义SSD（FS-SSD）技术，使SSD能够理解数据结构的意义和上下文。公司还在扩展产品组合，超越功率管理集成电路（PMICs）和防掉电保护IC（PLP ICs），将半导体设计能力延伸至AI数据中心的数据信号恢复和高速信号解决方案。
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
36氪获悉，中金指出，当前的投资预期还不至于给全球科技行业的景气度构成全面压力。中金表示，在不同竞争格局下，供给扩张对ROE和景气度的影响将有所差异：未来两年供给环境相对有利、资本回报和景气度相对受益的主要是中国半导体设备和电网设备；面临较大考验的是全球数字芯片设计。中国光模块、美国光模块和PCB可能阶段性受益；美国有色金属则可能阶段性承压。
华泰证券发布A股策略观点称，宽基ETF放量为低位指数提供托底，但历史上此类放量更可能是左侧信号，建议防守为主，并在三季报中寻找盈利环比加速的板块。该策略指出上周A股先跌后稳、整体缩量，AI硬件领跌；AI链回调是全球现象，AI业绩弹性与融资可持续性受质疑；避险情绪仍强，食饮、银行逆势收涨；三季报披露尚早，但市场对单季盈利环比加速的个股定价偏积极，可作为短期交易线索。配置上，建议保持低波红利等防御底仓；AI链关注PCB环节及光器件、半导体设备中的个股，AI链外关注通用及专用设备、风电与电网设备、航运、玻纤化纤、医疗服务等板块。本条为券商策略观点，非价格变动或供给事件。
本文为中金公司2026年10月19日发布的研报《AI高景气能否经住供给考验？》。报告以标准化未预期盈利（SUE大于1）定义高景气行业，测算显示美股电气设备、半导体及设备、电子、软件以及A股电子等板块景气度较高；认为景气上行源于需求打开增长空间、供给约束放大回报弹性。报告从相对投资强度（RI）和新增融资两个维度衡量供给扩张：2026年RI较高的行业包括全球半导体存储、全球半导体代工、美国建材、美国PCB、美国光模块等；新增融资超过50%分位数的仅有全球半导体代工和美国半导体设备（两者处于历史68%分位数），投资强度大且融资强度也大的行业只有全球半导体代工。报告引入行业收入集中度（HHI）并以1997~2025年数据实证：中低集中度组中相对投资强度与下一期ROE及SUE变化呈负相关，高集中度组则转为正相关；历史案例显示美国半导体设备1998年RI达0.535（历史89.7%分位），至2001年ROE累计下降28.0个百分点，美国PCB 2000年RI达0.324（89.7%分位），一年后ROE下降63.2个百分点，而2001年全球半导体代工HHI达4289、RI为0.250（82.8%分位），一年后ROE反而提高7.5个百分点。基于2026年和2027年市场一致预期的测算，报告结论为：当前投资预期尚不至于对全球科技行业景气构成全面压力；未来两年供给环境相对有利、资本回报和景气度相对受益的主要是中国半导体设备和电网设备，面临较大考验的是全球数字芯片设计；中国光模块、美国光模块和PCB可能阶段性受益，美国有色金属可能阶段性承压。
快科技10月18日消息，海外用户DallasGrave继为RTX 5090加装两个8pin接口分担16pin原装接口负载后，推出全新设计，在PCB上焊接四个8pin接口，可完全脱离原装16pin接口独立供电；新PCB直接焊接在显卡供电触点上，可与原有12V-2x6接口并联使用，也可完全独立运行。DallasGrave表示设计采用保险丝连接和等长PCB走线分配电流，600W负载下每根导线电流约4.1至4.4A，相比标准16pin接口几乎减半；该方案已在分流改装的显卡上测试至800W，PCB温度达到45°C。原文指出，RTX 5090自发售以来12V-2x6接口熔毁事故反复出现，主要原因是显卡功耗高达575W，逼近接口600W理论上限，未完全插紧或极端负载下容易过热熔毁。DallasGrave正在为多款显卡设计适配版本，团队还在开发可选的主动监控模块和定制背板；改装计划通过邮寄服务提供，12月还将在拉斯维加斯开设实体店提供当日安装。DallasGrave还承认，原计划出售预改装RTX 5090的方案已行不通，因为库存预计即将售罄。
Intel于10月16日发布Intel Inference Microservice软件，旨在最大化其Xeon服务器CPU上的AI推理性能。该容器化软件可快速针对CPU优化大语言模型（LLM），包含运行开源LLM所需的代码库、引擎和配置；启动时会检测Intel处理器并应用经验证和调优的AI推理设置，降低对AI推理优化专家的依赖。OpenAI SDK、LangChain、LlamaIndex、LiteLLM和Haystack等主流AI框架支持OpenAI API规范，该软件默认使用开源vLLM作为推理引擎。原文指出，此前针对硬件优化现有LLM需要一周时间，计算精度、跨CPU核心的负载分配、跨NUMA节点的内存分配及硬件指令集选择等设置因AI模型与处理器组合而异。Intel还计划将Inference Microservice支持扩展至其整个GPU产品线，包括面向AI推理设计的D-series GPU（此为计划）。
快科技10月17日报道，Bolt Graphics于当地时间10月13日宣布完成Zeus架构GPU测试芯片调试工作。测试芯片在台积电12nm工艺上流片，面积仅6mm²，A0步进回片未发现任何功能问题，功耗仅1.4W，从通电到通过功能测试不到24小时。Zeus架构集成了专用电磁仿真硬件，是首个在硬件层面执行麦克斯韦方程组的商用GPU架构。据Bolt宣称，Zeus 1C路径追踪性能可达RTX 5090的2.5倍，4C版本可达10倍；FP64电磁仿真测试中，4C版本性能号称是英伟达B200的300倍。商用产品计划采用台积电N5P制程，预计2027年第一季度开放开发者访问权限，2027年底向早期访问客户交付首批产品，2028年启动PCIe AIC和服务器量产并全面上市。Bolt指出选择N5P是为了避免与AI芯片争抢晶圆产能。需注意的是，目前所有性能数据均来自Bolt官方对测试芯片或早期原型的宣称，并非第三方对量产产品的独立实测；从测试芯片到商用GPU之间，仍需完成完整的设计收敛、软件生态建设与客户验证。原文未说明原因。
据 IT之家 10 月 17 日消息，GPU 初创企业 Bolt Graphics 当地时间本月 13 日宣布，已完成 Zeus 架构 GPU 测试芯片的调试工作，为商用产品的 2028 年发售打下基础。该测试芯片在台积电 12nm 工艺上流片，尺寸仅 6mm²，A0 步进回片未发现任何功能问题，功耗 1.4W。Bolt 的 Zeus 架构集成专用电磁仿真硬件，同时可加速路径追踪图形负载，适用于物理 AI 等复杂计算场景。商用 GPU 芯片将采用台积电 N5P 制程工艺，预计 2027Q1 开放开发者访问权限、2027 年底向早期访问计划客户提供首批产品、2028 年启动 PCIe AIC 和服务器量产并于同年全面上市。
据10月16日消息，韩国固态硬盘主控与方案企业 FADU 在 2026 OCP 全球峰会上发布了世界首款 FS-SSD（文件语义固态硬盘）。FS-SSD 内置文件处理固件，配套嵌入文件请求的 NVMe 命令，使 SSD 能理解和管理文件、可直接同加速器通信，略过 CPU、内存和软件层；传统结构中加速器访问存储文件需经 CPU 中介，带来更高延迟和 CPU 负载。FADU 计划将 FS-SSD 发展成为基于 DPU 的无主机存储服务器和可扩展文件存储解决方案（该计划为规划，尚未实现）。FADU 此次还展示了其 PCIe Gen6 SSD 主控 FC6161 "Sierra"，其性能达到上代产品的 2.5 倍；整盘顺序写入功耗＜28W，空载功耗＜5W；主控读取功耗＜6W、写入功耗＜7W。
AI服务器追踪数据显示，半导体测试接口供应商与芯片设计公司之间呈现出明显的同步增长轨迹。原文说明原因为人工智能(AI)、高性能计算(HPC)以及定制ASIC开发的激增；截至2026年9月，这两个领域均实现了显著的同比营收增长。原文未给出具体公司名称或具体增长百分比数字。
SK海力士于周五表示，已展示其下一代人工智能（AI）内存技术，旨在将AI基础设施的边界扩展到传统高带宽内存（HBM）之外；相关技术于当地时间周二至周四在美国加州举行的OCP全球峰会2026上发布。该公司展区分为两部分：前区为“存储展区”，展示旗舰产品；后区为规模更大的“系统演示区”，重点呈现支持下一代服务器生态系统的存储解决方案。高级副总裁Kim Ho-sik介绍了MARS（以存储为中心的AI机架级系统），这是一种解耦式机架级架构，旨在实现计算资源与存储资源的无缝协同；并重点介绍了高带宽闪存（HBF）取得的进展。该公司还发布了基于Compute Express Link（CXL）3.2标准的第二代256GB存储产品，与上一代产品相比带宽提升至两倍以上，能效提高约30%。
台湾微控制器(MCU)厂商Holtek Semiconductor于10月15日发布2026年产品路线图，聚焦四大核心领域：智能保护、绿能与智能控制、边缘AI运算及通用应用。标题称其AI服务器散热订单有望推升2027年营收。
据Counterpoint Technology Market Research，在AI驱动的NAND需求进入超级周期的背景下，长江存储(YMTC)预计将成为增长最快的存储供应商：其2026年营收预计增速比整个行业及其同行快六倍，因为公司正积极扩张服务器相关业务。该内容为市场研究机构的预测，并非已实现业绩；文中未说明具体原因以外的细节。标题显示YMTC押注高端eSSD以与三星竞争。
据快科技10月16日消息，在俄罗斯索契举办的Microelectronics 26（ME26）微电子论坛上，俄罗斯本土芯片厂商集体亮相，以运行游戏的方式演示产品（该论坛为展会演示事件，原文未涉及价格或产量数据）。其中，一台仿初代任天堂红白机（NES）外观、名为Ushka的小主机采用Baikal Electronics的BE-U1000微控制器；经拆解确认，BE-U1000内含三颗CloudBear核心，走32位RISC-V架构，即两颗主频200MHz的BR-350加一颗主频100MHz的BM-310，配有256KB闪存和192KB SRAM，外设接口含USB 2.0、I2C、I2S、UART和48条GPIO，封装为10×10毫米QFN-88。真正运行初代《超级马里奥》的是MCST的Elvis Hypercom-U SoC，其拥有四个主频最高1.2GHz的Arm Cortex-A53核心，配双核ELcore-50 DSP和PowerVR GE8300图形处理器，最多可搭8GB LPDDR4内存，支持USB 3.0、千兆以太网、Wi-Fi、蓝牙和HDMI输出。展会上还摆出几台MCST的Elbrus架构整机，但拍照者未说明具体型号，从线索推断可能是Elbrus-16S（16核、主频最高2GHz、最多8通道DDR4-3200、16纳米工艺、120亿晶体管、双路服务器原型内存最高2TB），此为推断而非确认。另有面向迷你主机和笔记本的Elbrus-2S3，同样16纳米、主频最高2GHz、算力196 GFLOPS、支持DDR4-3200和PCIe 3.0，其MP21小板整机功耗可达40W。文中还提到，几年前俄罗斯政府曾下令研发高端游戏主机，但此次展台上未见成果现身。
中信证券研报指出，近期全球存储芯片股价波动加剧，10月份以来表现显著弱于其他板块；除宏观因素扰动（原油价格波动上涨，通胀与利率预期重新抬头）外，产业界对长鑫科技4F²技术进展的关注度上升。研报称，市场担心中国本土晶圆厂在高毛利的服务器DDR5市场形成有效技术破局，动摇海外巨头通过垄断产能维持超高议价权的叙事逻辑。从产业进展看，目前DRAM技术仍以6F²单元结构为主，4F²技术落地需看三星电子和长鑫科技的进展；4F²技术目前仍处于早期验证阶段，后续需观察良率、产量、毛利率、下游客户认证情况等指标，对中短期存储产业影响相对较小。中信证券建议关注HDD、DRAM、NAND赛道中公司的投资机会。
SK海力士参加了2026年10月12日至15日在加州圣何塞举行的OCP全球峰会，展示了下一代内存解决方案并提出以内存为中心的AI时代服务器系统方向。展会现场，SK海力士公开了第二代CMM-DDR5（256GB，基于CXL 3.2），称与上一代相比带宽提高一倍以上（80GB/s）、能效提升约30%；并演示了CXL池化内存在AI代理服务、KV缓存共享等场景的效果。原文说明的背景是：随着AI处理的数据量爆炸式增长，数据瓶颈成为新的挑战。SK海力士还展示了HBM4/HBM4E/HBM3、HBF、服务器DDR5 RDIMM（256GB/128GB/96GB/64GB）及eSSD产品组合。文中另提及去年9月SK海力士与NAVER Cloud签署业务协议，以及PS1110 E3.S与PS1101 E3.S目前处于按序开发中。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |