AI数据中心增长，SiC和GaN需求看涨
ETRI研究员Bae Sung-beom指出，AI数据中心增长导致全球电力短缺，需采用高电压网络。NVIDIA的800V直流架构推动数据中心采用SiC和GaN等化合物半导体以提升效率。
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SiC和GaN在高压高功率场景的应用趋势，长期利好功率半导体需求。
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ETRI研究员Bae Sung-beom指出，AI数据中心增长导致全球电力短缺，需采用高电压网络。NVIDIA的800V直流架构推动数据中心采用SiC和GaN等化合物半导体以提升效率。
SiC和GaN在高压高功率场景的应用趋势，长期利好功率半导体需求。
Yole预测xEV功率器件市场2031年将达145亿美元，SiC MOSFET年复合增长率达21.5%。受800V高压架构普及及中国BEV需求驱动，SiC和GaN技术份额快速提升，但SiC制造端面临产能过剩压力。
SiC与GaN需求持续扩张，高压器件前景广阔；关注：SiC制造端产能过剩风险可能抑制价格涨幅。
华泰证券研报指出，随着AI超节点机柜功率突破500kW，800V直流方案正从优选走向必选。这一趋势将推动HVDC、SST及功率半导体需求。
相关电源厂商及功率器件公司。
SemiAnalysis预测英伟达原生800V架构部署将推迟至2028年。此举引发市场对AI电源供应链增长前景的担忧。
推迟可能影响相关电源组件的短期需求预期。
TrendForce数据显示，2026年Q1全球牵引逆变器装机量同比增长1.9%，800V平台装机量激增21%。这一增长主要由高压架构普及及SiC逆变器渗透率提升驱动。
需求韧性支撑SiC及高压逆变器供应链前景。
NVIDIA Vera Rubin与Google率先采用800V HVDC架构，Delta电子预计将受益于机架电源系统及液冷需求。随着AI数据中心功耗激增至每机架1MW，800V高压直流成为关键升级方向。
HVDC及液冷基础设施供应商将迎来产能扩张机遇。
VIS、英飞凌、TI等厂商正调整SiC与GaN在数据中心及800V架构中的供应链策略。AI数据中心面临功率密度瓶颈，迫使SiC和GaN进入大规模部署阶段。
SiC/GaN在800V架构中的竞争格局变化，但缺乏具体价格或短缺数据。
文章指出AI竞争正转向能源竞争，强调宽禁带功率半导体在800V AI数据中心架构中的关键作用。随着算力需求提升，SiC和GaN成为未来数据中心能效优化的核心组件。
宽禁带半导体在AI基础设施中的长期需求增长趋势。
IDTechEx预测，到2036年，SiC MOSFETs将成为电动汽车功率电子应用的主流技术。这一转变由电动汽车、AI数据中心和可再生能源对更高效率和功率密度的需求驱动。
SiC和GaN采用加速预计将推动未来十年的需求增长。
DeepSeek明确背书华为昇腾950超节点，东方证券预计2026年为国产超节点规模放量元年，华勤技术相关项目收入有望超百亿元。背景是MoE模型参数年增10倍，驱动算力集群进入超节点时代以突破通信墙。
报告预示交换芯片、液冷、服务器ODM、供电等全链条将迎来结构性需求增长，但未提供直接影响现货价格的短缺或产能数据。
英飞凌预测AI数据中心功率半导体单千瓦价值将达150美元。随着AI服务器算力规模从500千瓦升级至兆瓦级，对功率器件的需求持续攀升。
功率半导体在AI算力基建中的价值量提升，利好相关供应链。
行业共识认为AI数据中心800V供电系统中氮化镓(GaN)的采用增速将超过碳化硅(SiC)。英飞凌和德州仪器作为IDM正持续扩大生产。
此为长期技术趋势分析，未提供影响近期供需或价格的量化数据。
英诺赛科预计其散热和功率器件业务将在2026年实现增长，AI服务器相关产品届时将占其产品组合的25%。增长动力源于AI数据中心需求上升，公司正关注SiC在高压直流领域的扩张机会。
/利多/关注: 此为远期市场展望，未提供影响当前现货供应或价格的明确数据，对交易无直接方向性指引。
美国三大电网运营商获批750亿美元输电扩容项目，本土变压器产能不足导致交付周期延长至120周以上。英伟达、谷歌、微软等新一代数据中心架构明确采用固态变压器（SST），其核心部件为功率模块与高频变压器。
北美电力基建与数据中心技术迭代，可能长期拉动对IGBT、SiC MOSFET及高频变压器的需求，但对现货价格的直接影响尚未显现。
TrendForce分析指出，数据中心电源架构正因AI算力需求转向高压直流系统，IT机架电源资本支出占比约3-5%。台达电子与Flex等少数供应商具备覆盖灰白空间的全栈整合能力，而光宝与茂硕等白空间供应商正投资固态变压器等技术。
此为长期技术趋势分析，未提供影响组件现货价格的直接数据或供应事件。
DIResearch报告预测，全球高压DC-DC转换器市场规模将于2026年达20.81亿美元，2026-2033年CAGR为6.92%，主要驱动力为电动汽车。报告列出了主要厂商竞争格局及下游应用细分，但未提供影响当前交易的现货价格、短缺或产能变动数据。
/利多/关注：中性，此为长期市场预测报告，对短期交易无直接指导意义。
Yole报告预计，到2031年化合物半导体衬底和外延片市场将达52亿美元，复合年增长率为14%，主要由汽车电气化（SiC）、射频（GaAs/GaN）和光子学（InP）驱动。尽管部分细分市场存在短期价格压力，但电气化和AI基础设施扩张支撑了长期需求。
此为长期市场预测，未提供影响当前交易的具体价格、短缺或库存数据。
IDTechEx报告分析800V电动汽车平台趋势，并预测其对碳化硅和氮化镓功率半导体需求的影响。该分析基于对电动汽车动力总成技术演进的长期展望。
此为市场趋势背景信息，未提供影响短期交易的产能、价格或库存具体数据。
文章分析800V高压平台商业化将成为电动汽车制造商的关键增长战略。此举旨在解决充电不便与续航里程短等消费痛点。
长期看或提升对车规级IGBT、SiC功率器件需求，但无具体供应事件或价格变动，短期交易影响中性。
IDTechEx报告预计未来十年全球纯电动汽车市场年复合增长率达15%，推高功率半导体需求。背景是车企为提升能效，正加速向800V高压平台及碳化硅功率器件转型。
/利空/关注: 中性，此为长期技术趋势分析，未提及具体厂商产能、价格变动或供应中断，对短期交易无直接指引。
已经到底了
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |