台湾计划新增25座合计26GW燃气发电机组，以满足半导体产业与AI数据中心用电需求并保障未来至少10年电力供应
台湾经济部计划新增25座燃气发电机组，合计装机容量26GW，以满足半导体产业与AI数据中心日益增长的电力需求，目标是确保未来至少10年电力供应充足。此为计划，尚未实施。
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台湾经济部计划新增25座燃气发电机组，合计装机容量26GW，以满足半导体产业与AI数据中心日益增长的电力需求，目标是确保未来至少10年电力供应充足。此为计划，尚未实施。
据快科技10月18日消息，博主硬件茶谈透露，微星和华硕工厂方面人士表示，本月和下月几乎都没有显卡货源，且微星、华硕看不到NVIDIA的芯片供给日期，RTX 5090和RTX 5080直接断货，显卡还将继续涨价。近日有消息称NVIDIA已停产RTX 5090并将GB202产能转向AI数据中心和专业GPU，随后NVIDIA确认RTX 5090未停产但承认供应受限。原文给出的核心原因是芯片产能转向AI和专业卡：GB202既是RTX 5090的核心GPU，也用于售价高达16000美元的RTX Pro系列，NVIDIA将有限产能优先供给高利润产品线，游戏卡渠道供给收紧。
10月18日，大众安徽新款与众06、07上市，主打运动风格与智能驾驶。06售价12.99‑16.99万元，07售价10.99‑14.99万元。两款车均搭载地平线征程6H智驾芯片（420TOPS）及激光雷达，新增77.5kWh大容量电池，续航达630km/670km。
在2026年开放计算项目（OCP 2026）全球峰会上，英特尔展示了硅光子技术发展蓝图，数据中心系统与解决方案公司副总裁尼克·杜贝将硅光子形容为下一代系统架构的“黄金之锤”，并称英特尔是目前唯一能够大规模量产300毫米磷化铟（InP）硅光子晶圆的高产能代工厂。原因方面，源文称传统铜线互连正日益逼近物理极限，在传输距离、封装边缘带宽密度及每比特传输能耗等方面面临瓶颈，数据中心架构需向光互连演进，能耗目标推进至低于5皮焦耳每比特。英特尔指出，当前光学收发器市场中激光芯片与磷化铟材料产能长期供不应求，其将磷化铟光源技术直接整合进300毫米硅晶圆制程以提升制造效率与产能规模；自2016年投入商用以来，已累计出货超过800万个光学收发器和3200万个集成激光器。英特尔正依托300毫米硅光子制程与集成磷化铟光源技术推动共封装光学（CPO）与近封装光学（NPO）发展。
据报道，日本经济产业省近日宣布，已批准台积电在熊本县第二工厂生产3纳米制程先进半导体的计划，这将是日本国内首度制造3纳米制程晶片。根据新生产计划，3纳米制程晶片的月产能为6000片。台积电原拟在该工厂制造6纳米与12纳米等制程的半导体，本次更改生产计划的原因是研判到AI需求增加，因而切换成更高性能的产品。该事项目前处于获批计划阶段，尚非已实现的生产结果。
10月18日消息，据日本经济产业省官网公示，台积电控股的在日合资子公司JASM第二晶圆厂转产3nm的计划已获批准。该厂原规划生产40nm、12nm、6nm，总月产能6.3万片晶圆（40nm月产1.5万片、12nm和6nm合计月产4.8万片），现调整为仅生产3nm，月产能6,000片晶圆，项目预计2028年12月完工，同月投产。原文未说明调整原因。JASM同时调整了已量产的第一晶圆厂规划：原计划生产22/28nm和12/16nm芯片，设计产能5.5万片晶圆；现舍弃12/16nm节点，调整为月产4.5万片22/28nm晶圆和5,000片40nm晶圆。
美光正在推进面向物理 AI 的专用存储芯片——边缘推理内存（EIM）的研发，旨在降低数据处理延迟并提高带宽。该芯片架构是在逻辑芯片之上垂直堆叠低功耗内存（LPDDR），美光正在推进将其集成至 LPDDR6 方案的技术研发。业内预计量产时间在 2028 年下半年。美光表示将与机器人制造商、芯片方案商及超大规模云服务商深度协同合作。
英伟达个人计算业务高级副总裁 Jeff Fisher 在台北 RTX Spark 活动中否认 RTX 5090 停产传闻，称该显卡仍是重要核心产品并将继续供货；同时承认当前供应链产能受限，英伟达正努力推动产品进入市场。来源未说明产能受限的具体原因。时间：2024年10月17日消息（Fisher 昨日即10月16日发言），此前有消息人士于10月10日爆料称英伟达可能将 GB202 芯片转向 RTX PRO 专业卡并推出24GB RTX 5080，但未获官方证实；Micro Center 曾将 RTX 5090 标记为“不再销售”，但这不等同于正式停产。
三星据报道将于今年11月在得克萨斯州泰勒为其第二座芯片厂（Taylor Fab 2）动工，量产目标定在2030年。DigiTimes援引韩国The Guru报道称，Fab 2面积约为270万平方英尺。三星似乎也已在10月15日厂址附近的一场活动上确认了该时间安排，三星Austin Semiconductor的Jonathan Taylor表示建设应于下月初启动，且Fab 2将比Fab One大1.5倍。Fab 2将采用的工艺尚未公布。作为背景，第一座泰勒厂（Fab 1）已大幅超出其原定的2024年目标，目前正进行分阶段认证，已安装设备开始运行；Fab 1采用EUV光刻用于三星2nm工艺，计划2026年底投入运营、2027年量产；其最知名客户为特斯拉，双方签署了至2033年、金额165亿美元的AI6芯片协议，三星还将在得州为特斯拉以2nm工艺生产AI5；两座厂之间订单如何分配尚不明确。三星计划在得州中部投资超过370亿美元，并获得最高47.45亿美元的CHIPS法案资金支持。鉴于Fab 1耗时之久，原文指出2030年量产目标将在很大程度上取决于需求。
台积电董事长兼CEO魏哲家在近期投资者电话会议上表示，评估需求超过可用供给，公司正通过新建工厂、设备转换、生产率提升和跨技术代际的柔性制造来应对。第三季度营收达467亿美元，并以美元计预计2026年营收增长约44%（此为预测而非已实现结果）。台积电描述全球有近20座晶圆厂处于开发中，包括尖端制造和先进封装项目；公司还预计其N2技术家族的年产能将在2027年增加逾一倍（预期）。魏哲家称，尽管历史惯例是在一个技术代达到目标规模后避免进一步扩产，公司仍在扩大3纳米产能。台积电列出了台湾、亚利桑那和日本的制造计划，并对得克萨斯州进行初步评估；魏哲家将美国扩张与客户要求联系起来，并表示制造地点可能影响定价。他还指出后端封装产能存在一些短缺，并提到与GlobalFoundries的合作；同时公司团队正在核查美国数据中心建设和电力供应情况，因芯片部署依赖基础设施。魏哲家并警告，元器件价格上涨和经济不确定性正给消费者和价格敏感市场带来压力。
据推文（发布于2026年10月16日 8:59 AM）援引TrendForce内容：台积电（TSMC）此前已释放未来3年资本支出（capex）大幅提高的信号，外资券商目前预测其2027年资本支出将达800亿–850亿美元，高于2026年的600亿–640亿美元；UBS的预测更激进，预计2028年资本支出达1050亿美元。以上均为券商预测数字，属计划/预期性质，并非已实现结果；该推文还提及分析师关注台积电的2nm、CoWoS、定价能力与利润率，但正文未说明资本支出上调的原因。
台达电子（Delta Electronics）董事长Ping Cheng于2026年10月15日在2026天下领袖论坛（2026 Global Views Leaders Forum）上表示，世界正在进入电气化时代，AI数据中心与电动车推动电力需求超出可用供给（原文将此作为AI电力缺口的明确原因）。台达计划将其业务重点从电力消费扩展到涵盖发电、输电、配电、储能与用电的一体化微电网架构，并以固体氧化物燃料电池（SOFC）与固态变压器（SST）作为其关键产品。该事项属于公司业务方向扩张计划，原文未说明具体投资金额或时间表。
台积电3Q26财报后，外资券商发布解读：台积电将2026年营收增长展望上调至44%（同比），并预计4Q26再创单季纪录，同时维持2026年资本支出指引在600亿–640亿美元，但示意未来三年支出显著提高；文中指出，在半导体设备价格上涨背景下，台积电承认"设备通胀是真实的"，为资本支出进一步增加埋下伏笔。券商据此上调资本支出预测：UBS最乐观，预计2027年支出同比增长约45%至900亿美元，2028年再增至1,050亿美元；Morgan Stanley根据对设备供应商的初步查核，预计2027年EUV机台订单可能翻倍、2028年再增25–30%，并将2027/2028年资本支出估计分别上调至830亿和920亿美元；Goldman Sachs与BofA Securities均预计2027年支出达850亿美元。以上均为计划/预测，尚非已实现支出。产能方面：台积电计划加速2nm量产并扩建3nm产能（后者规划四座晶圆厂）；2nm营收占比从上季3%升至3Q26的8%，管理层预计2027年产能"将增加超过一倍"。毛利率承压：4Q毛利率指引65–67%，较3Q的66.4%上行空间有限（券商评估归因于2nm爬坡拖累盈利）；Citi、UBS与Goldman Sachs均预测2026年毛利率66.6%，2027年升至66.7–68.9%，2028年达67.1–68.9%。定价方面：Daiwa预测台积电以8英寸约当晶圆计的平均售价从2026年的3,513美元升至2027年的4,034美元、2028年的4,231美元；UBS模型更乐观，预计2026/2027/2028年分别为3,691/4,417/5,177美元。先进封装：Aletheia预计台积电尖端晶圆营收2026–2028年翻倍、先进封装营收同期增至四倍；Goldman Sachs预测CoWoS产能2026年达127.5万片晶圆（约每月10.6万片），2027年同比激增114%至273万片（每月22.75万片），2028年再增27%至348万片（接近每月29万片）。
据ZDNet援引业内消息，三星考虑为OLED Galaxy智能手机所用显示驱动IC（DDI）增加GlobalFoundries作为第二家代工伙伴，可能结束UMC的独家代工地位；GlobalFoundries代工的DDI最早或于2027年底出现在Galaxy智能手机中，部分中低端Galaxy A系列机型或率先采用，三星据报正在评估GlobalFoundries的22nm或28nm节点，其在新加坡和德国拥有兼容制造设施。背景原因：自2025年下半年以来成熟制程需求超过供给，UMC无法承接额外订单；据ZDNet，三星在7月发布Galaxy Z Fold8后因需求超预期要求加快DDI生产，但UMC因22nm DDI产能已达上限而无法满足，三星因此将9月Galaxy Z Fold8零部件计划产量削减10%，将延后产量移至10月。另据Economic Daily News，机构投资者预计UMC 12英寸产能利用率到2026年底达93%，受三星System LSI与联咏22/28nm DDI订单及55/65nm Apple Mac相关芯片需求支撑；TrendForce称部分产能受限的12英寸成熟制程节点2026年第二至第三季度出现5–10%涨价迹象，2027年预计更大范围涨价。以上均为报道/评估或预期，非已确定事项。
西门子支持Skeleton在美国进行AI电力制造扩张，该扩张为计划性质，原文未说明投资金额或时间表。同时，Skeleton的超级电容器达到UL认证的3,500 A峰值电流，面向AI数据中心应用。原文未说明原因。
10月15日世界储能大会上，工业和信息化部副部长熊继军提出进一步完善产能预警机制，加快从规模扩张向质量效益为导向转变。同日海辰储能宣布累计出货突破200GWh（2025年8月突破100GWh），公司称四小时及以上长时储能订单已接满至2027年底，重庆、山东基地均有相应订单支撑；重庆基地1175Ah第二代产品产线正在爬坡、期待今年底实现满产，对应下一代八小时储能产品的1300Ah产线已开始建设（属计划/在建状态）。中国汽车动力电池产业创新联盟10月15日数据显示，9月我国储能电池销量为73.5GWh，同比增长104.4%，快于同期动力电池35%的增速。亿纬锂能累计储能出货去年12月达150GWh，628Ah电芯已规模化量产，搭载该电芯的Mr.Giant系统定位于四小时及以上应用。海辰储能管理层称单纯依靠扩产规模的降本红利会逐步收窄，增量将更多来自四小时及以上储能和数据中心等新场景，客户采购正从电芯向系统延伸，海外走向交流侧及整站交付。上述扩张与新产品方案均为计划或在建事项，原文未说明其对价格的影响。
ASML于2026年10月14日发布2026年第三季度财报，称AI热潮带来的空前支出与投资并未放缓，客户已在排队为其先进芯片制造设备下单2029年和2030年的产出；CEO Christophe Fouquet表示，尽管公司在7月宣布了2027年提升产能30%、2028年再提升30%的计划，公司将难以满足需求。公司还确认将从2027年起提价，全部效果将在2028年显现。Q3 2026财报显示净利润为49.6亿欧元，净销售额为117亿欧元；公司预计第四季度销售额为142亿至152亿欧元（159亿至170亿美元），并将全年销售预期从至少430亿欧元上调至440亿–450亿欧元。周三ASML股价上涨2%，今年迄今累计上涨近70%，市值达5860亿欧元，成为欧洲市值最大的公司。此外，据Reuters报道，据报道Terafab将于2027年中期从ASML收到其首台EUV芯片制造工具；CFO Roger Dassen称仍在评估该（Terafab）机会的确切规模。
摘要：TSMC 首席执行官 C.C. Wei 在 2026 年 10 月 15 日（星期四）的确认中表示，公司正在考虑在美国亚利桑那州以外扩大产能，得克萨斯州是其中一个选项；已派团队到得克萨斯进行评估，并与一位正在尝试建造名为 Terafab 的晶圆厂的客户（埃隆·马斯克）进行了讨论。若 TSMC 加入该项目，将坚持由 TSMC 运营该晶圆厂。目前双方仍在讨论中，尚未达成任何协议。
据消息人士透露，马斯克旗下芯片项目Terafab可能在明年年中迎来其首台EUV光刻设备。研究机构SemiAnalysis此前预计Terafab建筑将在15个月内竣工，并需要六个月的时间来安装设备和生产设施。此外，Terafab最初的芯片预计仍将使用传统芯片设备，以配合英特尔的14A工艺。上述时间与设备安排均为消息人士透露及第三方机构的预计，项目尚处计划阶段，原文未说明原因。
日本计划向GlobalFoundries投资最高210亿美元，在纽约州马耳他地区建设两座300mm半导体晶圆厂。首笔约100亿美元投资将用于加速第一座300mm晶圆厂的建设，该厂预计将在2029年投产，年产能约90万片300mm晶圆；第二座厂需再投约100亿美元，产能相当。两座厂合计将显著提升美国半导体制造能力，并预计创造约2.7万名建设及生态链岗位以及超过1000名高技术制造岗位。此举是日本向美国投资5500亿美元协议的一部分，作为回报，美国将对日本汽车等进口的关税从至少25%降至15%。目前该投资仍处于规划阶段。
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全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
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| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |