NuAxi Stream - 实时半导体情报

10月22日周四

14 条

18:08影响评分 60
AMD锐龙7 5800X3D十周年纪念版复产：因DDR5价格高企由苏姿丰拍板推动，芯片需适配台积电新一代3D堆叠工艺（初代SoIC产线已关停）
快科技10月22日报道，AMD高级副总裁兼锐龙业务总经理David McAfee在接受采访时透露，锐龙7 5800X3D十周年纪念版的复产是苏姿丰亲自推动的艰难决定。复产的最大技术障碍来自台积电工艺断供：初代5800X3D采用台积电早期SoIC混合键合工艺将3D V-Cache缓存裸片堆叠在CPU计算裸片上，但台积电向第二代3D堆叠技术迁移后初代SoIC产线已关停，AMD必须将芯片适配到新工艺，重新设计封装部分结构、重新验证制造流程并通过大量测试。据McAfee说法，复活的直接原因是DDR5内存价格持续高企，大量玩家仍停留在AM4平台，而AM4主板保有量巨大、DDR4内存价格相对可控，5800X3D凭借100MB超大缓存至今仍是AM4平台最强的游戏处理器；在玩家强烈呼声中苏姿丰最终拍板推动复产计划。十周年纪念版在实际游戏性能上与四年前的原版完全一致。
AMD锐龙7 5800X3D十周年纪念版处理器AMD产能变化
18:05影响评分 60
Nvidia预付资金投资AI供应链，与六家供应商合作将封装基板产能三年提升至2.5倍、中介层晶圆产能提升300%以上、测试产能2027年翻倍及CPO光引擎产能提升至15倍
Nvidia于当地时间10月21日宣布，为满足AI基础设施需求增长，正与三星电机、揖斐电、Amkor Technology、京元电子(KYEC)、硅品(SPIL)及欣兴(Unimicron)合作，通过预付款锁定半导体封装基板、测试及 co-packaged optics(CPO)产能。黄仁勋表示需求巨大但产能受限。基板方面：与揖斐电、三星电机及欣兴扩大协议，三年内将半导体封装基板产能提升至2.5倍；Nvidia已在揖斐电预订数十亿美元产能并预付，目标是其日本小野工厂产能提升至三倍，新增产能预计2028年第一季度全面运营；三星电机将于2026年起从韩国产线供应下一代封装基板，Nvidia将支持其世宗与釜山工厂设备升级及新厂建设；与欣兴签订产能预订协议支持台湾KF工厂扩产，产能自2027年第二季度开始增加，预计2028年中期达到满载。先进封装方面：与Amkor在韩国光州扩产，计划到2028年底将中介层(interposer)晶圆产能提升300%以上。测试方面：向KYEC预付11亿美元预订产能，美国、台湾及新加坡扩产将使2027年总测试产能较2026年水平翻倍；美国新测试工厂计划2027年4月量产，新加坡扩产产线2027年2月量产。CPO方面：与SPIL在台湾扩大光引擎产能，2027年中期提升至15倍，2028年底再翻倍。上述扩产均属计划/预期安排，非已实现结果。
semiconductor package substrates FC-BGA substrates interposersNvidia、Samsung Electro-Mechanics 等 7 家产能变化
17:28影响评分 60
英特尔巨型晶圆厂宣布量产计划：预计应用18A芯片 2028年底前量产
据快科技10月22日消息，英特尔于周三宣布，其位于亚利桑那州的Fab 62工厂已开始安装生产设备，公司预计该工厂将于2028年底前投入运营并实现量产，但尚未透露何时开始大规模量产以及将生产哪些制程节点。Fab 62的框架结构建设早已完成。尽管英特尔14A工艺节点曾被讨论为Fab 62的潜在生产基地，但英特尔尚未正式将Fab 62指定为Intel 14A的生产基地；根据英特尔今年早些时候公布的制造工艺路线图，Fab 62将能够生产采用18A、18A-P和14A工艺节点的芯片。英特尔目前在相邻的Fab 52（已被指定用于Intel 18A生产）生产Intel 18A芯片，而Fab 62有可能容纳更多Intel 18A芯片产能，或用于生产下一代Intel 14A工艺技术，但英特尔尚未确认其在该工厂的计划。该工厂将成为英特尔位于奥科蒂洛园区的第六个大批量半导体制造厂。
Intel 18A Intel 18A-P Intel 14A英特尔产能变化
17:18影响评分 60
源杰科技股价今日大跌，公司称订单交付正常，数据中心CW激光器需求旺盛，二期项目约12.51亿元投资预计2026年底至2027年初形成产能
今日光通信板块整体回调，源杰科技股价出现大跌。公司方面表示，目前生产经营活动、订单交付、产能扩建等工作正常开展。公司相关公开信息显示，面向数据中心领域的CW激光器是今年交付的主力产品，市场需求旺盛。公司产能扩充正按业务需求推进，并于近期披露了光电通讯半导体芯片和器件研发生产基地二期项目进展：项目投资总额约12.51亿元，土建工程、部分洁净室及相关配套设施已完成建设，首批生产设备预计近期开始进厂，后续将进行设备调试，预计2026年底至2027年初开始形成产能。
CW激光器源杰科技产能变化
16:14影响评分 58
TrendForce：美光计划于2027年开始量产1-delta nm工艺，将接替其当前主流的1-gamma nm工艺；NAND方面拟于2H27爬坡量产G11世代
TrendForce指出，美光计划于2027年开始量产其1-delta（1δ）nm工艺，该工艺将接替其当前主流的1-gamma（1γ）nm工艺。在此转型之外，美光打算继续扩展其6F²架构，然后直接转向3D DRAM，跳过中间的4F²架构；相比之下，韩国和中国的DRAM制造商仍计划采用4F²架构，凸显主要供应商在工艺技术路线图上的分歧日益扩大。美光还在开发针对AI解决方案优化的内存方案，包括vHBM和vEIM，以与SK海力士的3D HBM和三星的zHBM竞争。在NAND闪存方面，美光正准备于2027年下半年（2H27）爬坡量产其G11世代；通过采用晶圆键合并堆叠超过400层，G11预计可提供两倍于G9的位元密度，并目标实现1.5倍的I/O速度提升。TrendForce认为这些进展将使美光缩小与铠侠（Kioxia）和长江存储（YMTC）的技术差距——这两者是混合键合架构的早期采用者——并在NAND性能对AI驱动的市场日益关键的背景下增强其竞争地位。上述均为计划或预期，尚未量产实现。
1-delta nm DRAM process vHBM vEIMMicron产能变化
15:51影响评分 60
英伟达宣布联合六家供应链伙伴扩产，计划三年内把自有产品基板产能提高到2.5倍
快科技10月22日消息，英伟达宣布联合六家供应链伙伴扩产，覆盖基板、先进封装、测试和光引擎四个环节，理由是需求和产能之间的缺口已经拉得太大。基板是重头：英伟达计划用三年时间把自有产品的基板产能提高到2.5倍，具体落在三家供应商——揖斐电（IBIDEN）在日本大野市的工厂拿到数十亿美元级别的产能预留预付款，目标把该厂产能提到现在的3倍，新增部分预计2028年第一季度开始爬坡；三星电机首次进入英伟达基板供应链，先用韩国现有产线产能顶上，同时配合世宗和釜山两地新厂建设，到2028年分配给英伟达的部分预计占其封装基板年产能相当大一部分；欣兴电子（Unimicron）在中国台湾的KF基板扩产拿到产能预留协议，新增产能2027年第二季度启动，2028年年中达到满产。先进封装交由安靠（Amkor），双方计划在韩国扩产，目标到2028年底把中介层晶圆产能提高3倍以上。测试方面，英伟达预计半导体测试总产能从2026年到2027年翻倍，北美、中国台湾、新加坡三地同时扩建；英伟达给京元电子（KYEC）11亿美元（快科技注：约73.6亿元人民币）产能预留预付款，用于美国新测试厂和设备，目标2027年4月量产，新加坡测试业务预计2027年2月量产。光引擎方面，英伟达与硅品精密（SPIL）在中国台湾合作扩产，目标2027年年中把产能扩到15倍，2028年底再翻一倍，为共封装光学铺路。上述均为计划目标而非已完成产能，目前英伟达未披露这一轮扩产总额度，各项目具体投资规模和各地新增产能数字也未公布。
基板 KF基板封装基板英伟达、揖斐电（IBIDEN）等 7 家产能变化
15:12影响评分 60
三星电机将获特斯拉、英伟达合计3.7万亿韩元投资，共建AI芯片基板产线
据22日业内消息，特斯拉、英伟达将分别出资1.1万亿韩元、2.6万亿韩元（合计3.7万亿韩元），与三星电机共建FC-BGA（倒装芯片球栅阵列基板）产线，这是面向AI半导体的新一代封装基板；当前FC-BGA已成为AI供应链新瓶颈，两家企业敲定对三星电机工厂的投资。三星电机已和特斯拉签署FC-BGA长期供货协议，并在世宗工厂新建专属产线；按照约定，特斯拉出资约1.1万亿韩元，用于产线扩建与设备投入，换取中长期稳定供货保障。这批基板将供给特斯拉自动驾驶电动车、人形机器人Optimus搭载的AI芯片。（新浪财经）
FC-BGA（倒装芯片球栅阵列基板）三星电机、特斯拉等 3 家产能变化
11:22影响评分 60
英特尔开始在亚利桑那州Fab 62安装设备，并推进俄亥俄州项目建设，AI数据中心处理器需求增强
英特尔正在推进其长期拖延的美国半导体制造项目：亚利桑那州Fab 62工厂正在进行设备安装，俄亥俄州工地建设持续推进。原文说明，这一进展发生在AI数据中心处理器需求增强之际，支撑该公司扩大产能并强化其代工业务的努力。原文未说明具体扩产量或投产时间。
AI data center processorsIntel产能变化
10:30影响评分 55
Sibelgo将在北卡罗来纳州新建石英工厂，把美国芯片本土化延伸至原材料领域（宣布的扩产计划）
美国商务部长Howard Lutnick宣布，工业矿物公司Sibelgo将在北卡罗来纳州新建一座石英工厂，以扩大半导体相关制造业务；此举正值特朗普政府推动将更多芯片供应链带回美国本土之际。该事件为宣布的扩产计划，原文未说明原因，未提及产能数字或时间表。
quartzSibelco产能变化
09:59影响评分 60
Nvidia于10月21日称正与六家供应链伙伴合作扩大基板、先进封装、测试及光引擎产能
Nvidia于10月21日表示，该公司正与六家供应链伙伴合作，以扩大基板、先进封装、测试及光引擎的制造产能，以满足其加速计算和AI工厂平台日益增长的需求。文中未说明新增产能的具体规模、投资金额或时间表。
substrates advanced packaging testingNvidia产能变化
09:05影响评分 62
据报道特斯拉将投资1.1万亿韩元锁定三星电机基板产能；英伟达也做出承诺
据每经（Maeil Business Newspaper）援引业内消息报道，三星电机（Samsung Electro-Mechanics）预计将获得特斯拉与英伟达合计3.7万亿韩元的投资，以扩大先进芯片基板产能；该报道属于媒体报道，投资为据报道的承诺。该公司已与特斯拉签署长期倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板供货协议，并在其世宗（Sejong）工厂扩建专用产线。基板预计用于特斯拉自动驾驶电动车和Optimus人形机器人的AI芯片，协议为期五年，自2029年至2033年。特斯拉将出资约1.1万亿韩元以换取基板供应保障；该资金是三星电机9月公布的4.27万亿韩元世宗投资计划的一部分。世宗工厂新FC-BGA基板生产设施建设预计于2027年底完工，2028年上半年进行设备安装和试运行，下半年量产，2029年开始向特斯拉交付。据TechNews报道，英伟达还通过与供应商的合作扩大全球基板产能，目标是在未来三年内将总IC基板产能提升至当前水平的2.5倍：在日本，英伟达已向Ibiden支付数十亿美元的产能预留预付款，Ibiden小野（Ono）工厂目标将产能提升至三倍，新增产出预计2028年第一季度开始爬坡；在韩国，三星电机正扩建世宗和釜山设施，到2028年英伟达预计占其年封装基板产能的显著份额，英伟达未披露投资金额，但每经报道称该承诺据信价值约2.6万亿韩元；英伟达还通过产能预留协议支持台湾欣兴（Unimicron）扩大KF基板产能，新增产出预计2027年第二季度开始，2028年年中达到满产能。此外，三星电机于10月19日披露一项3605亿韩元合同，在2027年全年向一家未披露的全球客户供应存储半导体封装基板，因商业保密未透露客户身份（据Chosun Biz）。此轮扩产背景是高端FC-BGA产能集中在少数供应商手中，包括三星电机、日本Ibiden和台湾欣兴；每经援引的行业估计称Ibiden市场份额超过70%，三星电机正努力缩小差距。
FC-BGA substrate memory semiconductor package substrate KF substrateSamsung Electro-Mechanics、Tesla 等 5 家产能变化
07:52影响评分 60
台湾科技供应链瞄准得州，规划设立美国首个产业聚落
据台湾经济部长龚明鑫近期接受外媒采访时透露，台湾计划与台湾区电机电子工业同业公会（TEEMA）合作，在美国兴建多个工业园区，得克萨斯州被选为首个地点，以协助台湾AI及半导体供应商建立当地制造据点。该内容为规划性质，文中未说明具体投资金额、时间表或厂商名单，原文未说明原因之外的具体推动细节。
Taiwan Electrical and Electronic Manufacturers' Association (TEEMA)产能变化
06:51影响评分 60
三星电机与英伟达将扩大FC-BGA生产
三星电机于10月21日宣布，已与英伟达签署战略性业务合作协议，供应半导体封装基板。双方将共同投资，在三星电机的世宗和釜山工厂建立人工智能（AI）半导体封装基板的专用生产设施；通过客户支持投资扩大封装基板生产线的计划自2026年上半年以来一直在考虑之中，如今通过与英伟达的合作得以成形。产品包括用于AI计算芯片以及数据中心内实现芯片间高速连接的网络交换机的倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板。三星电机将从其韩国生产设施供货，根据自2026年开始的多年期安排供应下一代基板。供应量预计自2026年起以两位数的年增长率增长；到2028年，英伟达相关生产预计将占公司总产能的相当大份额。基板还将嵌入包括多层陶瓷电容器（MLCC）和硅电容器（Si-Caps）在内的被动元件，用于控制超高速计算中产生的电源噪声并最大化电源效率。此为计划/预期状态，扩产实施尚待推进。
FC-BGA substrates MLCCs silicon capacitors (Si-Caps)Samsung Electro-Mechanics、Nvidia产能变化
03:35影响评分 60
Intel在亚利桑那Fab 62开始安装生产设备，计划2028年底前量产，未分配节点；并确认High-NA EUV已纳入大规模生产
Intel于2026年10月21日（周三）宣布，已开始在其亚利桑那州Fab 62安装生产设备，该工厂按计划将在2028年底前实现量产；但公司未披露开始大规模生产的具体时间、计划晶圆产能及所需资本支出，也未正式将Intel 14A分配给Fab 62（Fab 62仍处于未分配状态，而Fab 52已被指定用于Intel 18A）。据Intel今年早些时候披露的路线图，Fab 62可生产18A、18A-P和14A节点的芯片。Intel同时确认已将High-NA EUV光刻技术整合进大规模生产（HVM），用于在俄勒冈州D1X工厂生产Panther Lake CPU的部分tile；但Intel未明确确认High-NA EUV扫描仪目前是否仅生产与Low-NA EUV相同的电路。此外，俄亥俄州New Albany的Ohio One制造园区最近安装了首座fab的第一根大型结构桁架，但Intel未提供更新的建设时间表，也未披露该fab何时开始运营、将采用何种工艺技术或产能规模。原文未说明原因（此为产能扩张进展，非价格或中断事件）。
High-NA EUV lithography Intel 18A Intel 18A-PIntel产能变化

10月21日周三

6 条

23:30影响评分 58
马斯克称ASML等关键半导体设备供应商已加快向Terafab发货，目标2028年第三或第四季度在得州Gibbons Creek工厂量产芯片，时间表'高度理想化'且存在'很大误差'
埃隆·马斯克于10月20日在X平台上SpaceX 2026年第三季度财报电话会议的直播中表示，ASML及其他关键半导体设备供应商已加快向Terafab半导体制造设施（特斯拉与SpaceX的联合巨型项目）发货，以支持其激进的时间表。他说公司目标是到2028年第三或第四季度在位于得克萨斯州Gibbons Creek的主要工厂实现芯片量产，并强调该时间表'高度理想化'且带有'很大误差'；SpaceX计划于2027年第二季度前后在得州奥斯汀的研发制造工厂生产首个实验性测试芯片。Terafab将采用基于英特尔14A制程节点的传统极紫外（EUV）光刻系统；英特尔于2026年4月正式加入Terafab项目以共同开发和重构硅制造技术。据非官方消息，Terafab首台EUV设备原定于2027年年中交付，目前尚不清楚这是否就是马斯克在广播中所指的加快交付的时间表。其他主要供应商包括美国设备制造商应用材料、泛林研究和科磊（KLA）以及日本的东京电子；特斯拉和SpaceX还在与约10家韩国设备制造商洽谈，包括以先进封装设备著称的Hanmi Semiconductor和高压氢退火设备制造商HPSP。马斯克还概述了其AI公司的算力目标：预计到2026年底有25-30亿瓦（GW）算力投入使用，到2027年底总计达到13 GW，并计划到2027年第二季度末使一个44万GPU的英伟达'Vera Rubin'训练集群上线。该事件属于计划/目标状态，尚未实现量产。
EUV lithography systems logic chips memoryASML、Tesla 等 11 家产能变化
23:00影响评分 55
英特尔评论文章：亚利桑那Fab 62建设与工具安装进行中预计2028年底投运俄亥俄项目达成新结构里程碑
英特尔代工（Intel Foundry）的一篇评论文章称，引用美国半导体行业协会（Semiconductor Industry Association）数据，美国在全球半导体制造中的份额从1990年的37%降至2022年的10%。文章称，英特尔亚利桑那州Fab 62的建设和工具安装正在进行中，预计2028年底投入运营，同时其俄亥俄州项目达到了又一个结构里程碑；文章强调建设进展是为未来需求做准备的信号，但最终影响将取决于执行、客户采用和制造竞争力。文章还称，英特尔与49个州的4,500多家供应商合作，每年在美国国内的支出超过290亿美元。以上为评论文章内容与英特尔的表述，属计划中/进行中的建设，并非已实现的产能结果。
advanced semiconductorsIntel、Intel Foundry产能变化
20:00影响评分 60
苹果将更多iPhone零部件生产转移至美国：Qnity将为iPhone 18 Pro可变光圈摄像头在美国生产薄膜
苹果于2026年10月21日宣布扩大其美国制造计划：Qnity Electronics（总部位于特拉华州，2026年3月加入该计划）将在美国为iPhone 18 Pro主摄像头的可变光圈生产先进薄膜；苹果还与宾夕法尼亚州的Perryman Company签署协议，为可折叠iPhone Duo供应钛材，承诺三年内金额最高达1亿美元。据苹果称，其最新iPhone中近100个零部件来自美国公司，iPhone Duo和iPhone 18 Pro的美国产零部件供应商分布在超过十二个州。其中：Broadcom在科罗拉多州Fort Collins工厂正在扩建和现代化，投资15亿美元（2026年7月宣布），多年协议覆盖超过150亿颗美国制造芯片；Corning位于肯塔基州Harrodsburg的工厂到2026年底将生产全球销售的iPhone和Apple Watch的全部盖板玻璃；Coherent从得克萨斯州Sherman工厂供应Face ID用VCSEL激光器；TSMC亚利桑那州晶圆厂预计2026年为苹果生产超过1亿颗芯片，北园区建设正在进行中；Amkor于2025年9月在亚利桑那州Peoria为其首个大批量封装测试厂动工，今年开始建设厂房外壳，苹果将是其首批客户之一，前两期预计雇用超过3,500人。苹果还在休斯敦开设了先进制造中心，并将在这座同样组装AI服务器的工厂于今年开始制造Mac mini。该计划是苹果对美国的6,000亿美元、四年期制造与创新承诺的一部分。
variable aperture camera films titanium RF componentsApple、Qnity Electronics 等 8 家产能变化
19:18影响评分 60
富士胶片在平泽准备EUV光刻胶量产：设备已于2025年10月运行、部分产品通过客户认证，尚未全面量产；另在天安扩建CMP抛光液产能约30%，2027年上半年投运
日本富士胶片正在扩大极紫外(EUV)光刻胶产能，以深化与三星电子的合作。公司在美国子公司总裁Brian O'Donnelly表示，富士胶片正在平泽生产EUV光刻胶，尽管尚未进入全面量产，但部分EUV光刻胶产品已通过主要客户的认证测试。富士胶片在静冈（日本，先进光刻胶开发与生产主基地）和平泽（韩国，邻近三星，用于最先进产品）两地扩建了EUV光刻胶生产设施，两地EUV光刻胶生产与检测设备于2025年10月开始运行。原文未明确说明平泽工厂何时进入全面量产。公司称人工智能（AI）正在推动2纳米及以下工艺材料需求，先进制程扩张增加了ArF和EUV光刻胶需求，此为扩张的原因。此外，富士胶片还在三星天安园区附近扩建CMP抛光液产能，计划增产约30%，新增设施定于2027年上半年开始运行，该公司在铜互连CMP抛光液领域持有全球最大市场份额。富士胶片还计划在美国得克萨斯州卡罗尔顿（邻近三星Taylor厂）等地布局，并考虑在韩国进一步扩充制造布局的多种方案。
EUV photoresist ArF photoresist CMP slurryFujifilm、Samsung Electronics产能变化
19:18影响评分 58
LS Electric瞄准日本企业主导的半导体自动化市场，寻求在美国和东南亚等海外市场扩大半导体工厂自动化业务
据行业消息人士10月21日称，LS Electric正寻求在美国和东南亚等海外市场扩大其半导体工厂自动化业务。多年来，该公司一直试图进入用于在半导体工厂内搬运物料的空中走行式无人搬运车（OHT）系统的控制系统和驱动部件市场，尽管其提供运动控制器、伺服驱动器和电机，但其在国内的供应实绩仍然有限。日本企业长期主导OHT设备与控制部件市场：Daifuku和Murata Machinery在成套OHT系统上占据先发地位，三菱电机等供应商以专有通信协议提供控制系统和驱动部件，使替换整套现有系统的门槛很高；韩国方面，三星电子子公司SEMES在2010年代成功开发国产OHT设备，随后有SFA和MX Robotics（前身SMCore）等公司。行业人士称，半导体厂商在下达设备订单时常指定关键OHT部件供应商，在韩国主要使用三菱电机产品，欧洲也使用西门子产品。据市场研究机构QY Research，全球半导体自动物料搬运系统（AMHS）市场预计将从2025年的37.09亿美元增长到2032年的59.88亿美元，同期OHT在整体市场中的份额预计从46.86%升至48.91%。LS Electric表示，正寻求在国内外半导体公司于美国和东南亚建设新工厂时供应成套可靠自动化产品，并先在汽车和电池产线领域积累实绩、验证其自动化控制技术的可靠性。
overhead hoist transport (OHT) systems OHT control systems drive componentsLS Electric、Daifuku 等 8 家产能变化
19:18影响评分 60
Taesung在台湾TPCA Show 2026展示FC-BGA与玻璃基板设备，天安新厂产能超安山工厂六倍
Taesung于10月21日表示，其参加10月20日在台湾台北开幕的TPCA Show 2026，展示用于制造FC-BGA基板和玻璃基板的关键工艺设备技术，包括用于孔填充的铜电镀设备和表面处理技术，以及玻璃基板的TGV加工设备和垂直显影、蚀刻、电镀系统。该公司称该设备用于制造更大、更高层数的FC-BGA基板，且AI服务器与高性能半导体市场正在扩大。Taesung近期已签署协议向一家全球主要半导体封装基板制造商供应FC-BGA设备，并收到一家韩国主要基板制造商的意向书(LOI)，拟购买用于SOCAMM模块生产的铜电镀设备；目前正与国内外客户就玻璃基板设备的量产供应进行最终阶段的洽谈。为满足不断增长的需求，Taesung已在新天安工厂建立量产体系，其产能超过现有安山工厂的六倍。今年TPCA Show吸引约670家全球公司，占用1830个展位。
FC-BGA substrates glass substrates SOCAMM modulesTaesung产能变化

Analog	$0.68	−5.9%
连接器	$0.75	+0.2%
CPU	$386.74	−21.3%
DDR4	$88.40	−0.2%
DDR52026-W13	$14.89	−11.2%
GPU	$478.20	+8.2%
MCU	$0.68	−61.7%异常波动
MLCC	$0.01	+54.0%异常波动
MOSFET	$0.12	−82.8%异常波动
PMIC2026-W13	$0.44	−12.5%
SSD/HDD	$288.43	暂无

NuAxi Stream - 实时半导体情报

10月22日周四

AMD锐龙7 5800X3D十周年纪念版复产：因DDR5价格高企由苏姿丰拍板推动，芯片需适配台积电新一代3D堆叠工艺（初代SoIC产线已关停）

Nvidia预付资金投资AI供应链，与六家供应商合作将封装基板产能三年提升至2.5倍、中介层晶圆产能提升300%以上、测试产能2027年翻倍及CPO光引擎产能提升至15倍

英特尔巨型晶圆厂宣布量产计划：预计应用18A芯片 2028年底前量产

源杰科技股价今日大跌，公司称订单交付正常，数据中心CW激光器需求旺盛，二期项目约12.51亿元投资预计2026年底至2027年初形成产能

TrendForce：美光计划于2027年开始量产1-delta nm工艺，将接替其当前主流的1-gamma nm工艺；NAND方面拟于2H27爬坡量产G11世代

英伟达宣布联合六家供应链伙伴扩产，计划三年内把自有产品基板产能提高到2.5倍

三星电机将获特斯拉、英伟达合计3.7万亿韩元投资，共建AI芯片基板产线

英特尔开始在亚利桑那州Fab 62安装设备，并推进俄亥俄州项目建设，AI数据中心处理器需求增强

Sibelgo将在北卡罗来纳州新建石英工厂，把美国芯片本土化延伸至原材料领域（宣布的扩产计划）

Nvidia于10月21日称正与六家供应链伙伴合作扩大基板、先进封装、测试及光引擎产能

据报道特斯拉将投资1.1万亿韩元锁定三星电机基板产能；英伟达也做出承诺

台湾科技供应链瞄准得州，规划设立美国首个产业聚落

三星电机与英伟达将扩大FC-BGA生产

Intel在亚利桑那Fab 62开始安装生产设备，计划2028年底前量产，未分配节点；并确认High-NA EUV已纳入大规模生产

10月21日周三

马斯克称ASML等关键半导体设备供应商已加快向Terafab发货，目标2028年第三或第四季度在得州Gibbons Creek工厂量产芯片，时间表'高度理想化'且存在'很大误差'

英特尔评论文章：亚利桑那Fab 62建设与工具安装进行中预计2028年底投运俄亥俄项目达成新结构里程碑

苹果将更多iPhone零部件生产转移至美国：Qnity将为iPhone 18 Pro可变光圈摄像头在美国生产薄膜

富士胶片在平泽准备EUV光刻胶量产：设备已于2025年10月运行、部分产品通过客户认证，尚未全面量产；另在天安扩建CMP抛光液产能约30%，2027年上半年投运

LS Electric瞄准日本企业主导的半导体自动化市场，寻求在美国和东南亚等海外市场扩大半导体工厂自动化业务

Taesung在台湾TPCA Show 2026展示FC-BGA与玻璃基板设备，天安新厂产能超安山工厂六倍

芯片拆解室已拆 1 台

器件价格指数NPI，较上期

热门器件

NuAxi Stream - 实时半导体情报

10月22日 周四

10月21日 周三

芯片拆解室已拆 1 台

器件价格指数NPI，较上期

热门器件

10月22日周四

10月21日周三