容百科技拟投36.03亿元建襄阳20万吨钠电正极项目，尚需股东会及发改委等审批
容百科技计划投资约36.03亿元在襄阳建设年产20万吨钠电正极材料一体化项目，预计2026年11月开工，建设周期12个月。项目已获董事会通过，尚需股东会审议及发改委备案、环评安评能评等前置审批。公司现有NFPP钠电正极产能1.8万吨/年，已与客户签署6.4亿元预付款协议。
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容百科技计划投资约36.03亿元在襄阳建设年产20万吨钠电正极材料一体化项目，预计2026年11月开工，建设周期12个月。项目已获董事会通过，尚需股东会审议及发改委备案、环评安评能评等前置审批。公司现有NFPP钠电正极产能1.8万吨/年，已与客户签署6.4亿元预付款协议。
快科技10月23日消息，根据Trendforce最新DRAM市场报告预测，2027年面向PC市场的内存供应将出现收缩，消费端DRAM不仅更贵，也更难买到。报告指出2026年的内存涨价主要由需求端驱动，AI数据中心凭借资金大量采购闪存和DRAM，三星、美光和SK海力士的产品价高者得，虽然三大厂产能拉满，但价格仍在飙升。Trendforce分析指出，2027年可能供应端也恶化，2029年新一波晶圆厂建成投产前产能增幅有限；分析师明确预测PC市场DRAM供应量将下降。DDR市场内部竞争加剧，所有厂商的AI工作站产品线使用与消费级显卡相同的GDDR芯片，用量却是三倍，且随AI模型规模增长继续扩大；NVIDIA DGX/RTX Spark和AMD Strix Halo的内存容量相当于八台普通消费笔记本，消耗同样的LPDDR。Trendforce此前预测内存年底涨幅15%至20%，但高价对需求的抑制效应可能成为回旋镖，2026年延迟的购买需求将在2027或2028年集中释放，届时供应不足以承接。以上供应收缩与需求释放均为预测，尚未成为已实现事实。
据Counterpoint Research近期披露，中国闪存芯片制造商长江存储（YMTC）正将技术布局从NAND闪存扩展至DRAM领域，正在开发数据传输速率达9600 MT/s的LPDDR5X低功耗内存产品，并计划在武汉第三座晶圆厂推进量产。新方案计划采用垂直沟道晶体管（VCT）和4F²存储单元架构（传统DRAM通常为6F²布局），以缩小存储单元占用面积、提升集成密度。此前，长江存储自2025年10月起已在第二座晶圆厂开展第二代16Gb LPDDR5内存的研发和测试，目标速率为7500 MT/s，相关产线月产能约为5000片晶圆，该项目仍处于研发与测试阶段，未进入大规模商业生产。报道明确指出，现有资料描述的是研发目标和未来生产规划，并未证实9600 MT/s产品已完成验证或正式进入量产，且目前没有明确的量产时间表、产量数据或制造良率信息，产品还需通过终端厂商验证才能进入设备供应链。另据报告，长鑫存储（CXMT）也在探索4F²架构，并计划在2026年底前推出基于该架构的DDR5注册双列直插内存模块，同样面临技术验证和量产可行性不确定性；美光科技此前曾公开质疑4F²结构在进一步微缩中存在根本性问题。Counterpoint认为，长江存储9600 MT/s产品的研发进度、客户验证情况和第三座晶圆厂量产执行情况是后续重点观察指标。原文未说明原因方面的明确单一动因，仅提及AI数据中心扩张带动高带宽内存、服务器DRAM和固态硬盘需求增长的行业供需背景。
据Counterpoint Research，主打NAND Flash的长江存储(YMTC)自2025年10月起在其Fab 2以每月约5,000片晶圆的规模生产运行速度为7,500 MT/s的16 Gb LPDDR5X DRAM。该公司目前正筹备在其Fab 3开始量产速度达9,600 MT/s的LPDDR5X存储器，采用垂直沟道晶体管(VCT) 4F²单元结构技术。量产尚处于筹备阶段，属于计划中事项。
据ZDNet Korea于10月23日援引业内消息人士报道，三星电子已追加订购设备，用于填满其位于美国得克萨斯州泰勒的首座代工晶圆厂剩余空间，此举将使该厂2nm产能于2027年下半年提升至每月20,000片晶圆。该事件为计划中的扩产，文章未说明扩产的具体原因。
据IT之家10月23日援引韩媒ZDNET Korea当日报道，三星电子晶圆代工业务近期为美国得克萨斯州泰勒市生产基地的首座晶圆厂追加采购对应每月6000片晶圆产能的制造设备。泰勒首座晶圆厂设计产能为每月2万片晶圆，当前尚未达到该目标；随着新设备从今年底开始逐步引进，该晶圆厂有望在2027年下半年达到设计产能目标。同时，在首座晶圆厂日趋完善的情况下，三星晶圆代工计划于11月启动泰勒第二晶圆厂的施工，该项目预计2030年投产，以进一步提升三星电子在美先进制程产能。
Rapidus董事长东哲郎表示，这家日本芯片制造商大体上仍按计划在2027年下半年开始2纳米芯片的量产。他表示，争取客户仍是关键挑战，预计初始需求主要来自美国，那里与人工智能相关的需求强劲。量产计划为计划状态，尚未实现。
联讯仪器公告称，公司面向800G、1.6T高速光模块测试的采样示波器、误码分析仪、时钟恢复单元等核心测试仪器为公司2026年交付的主力产品，市场需求旺盛，生产扩充正按业务需求推进，相关生产建设按既定安排实施，整体进展符合预期。公司称系全球第二家推出1.6T光模块全部核心测试仪器的厂商，亦为国内极少数能够量产供货400G、800G、1.6T高速光模块核心测试仪器的企业之一。面向下一代速率，公司新一代采样示波器及配套时钟恢复单元可满足2.4T/3.2T眼图测试需求，支撑该性能的自研采样保持芯片已成功流片，按计划将于2026年下半年向行业头部用户送样验证。公司在功率器件测试、集成电路电性能测试、存储芯片测试领域的产品研发与客户拓展工作正常开展。原文未说明其他原因。
源杰科技披露近期生产经营情况，表示公司产能扩充正按业务需求推进。原文未提供具体扩产规模、涉及产品线、时间表或金额等细节，也未说明除业务需求外的其他原因。
新易盛披露近期生产经营情况，表示在手订单充足，订单交付及产能扩充正按业务需求推进。原文未说明具体产品、产能规模或金额，也未说明原因。
源杰科技公告称，公司目前生产经营活动、订单交付及产能扩建等工作均正常开展，内部生产经营秩序正常，产能扩充正按业务需求推进。光电通讯半导体芯片和器件研发生产基地二期项目的土建工程、部分洁净室及相关配套设施已完成建设，首批生产设备预计近期开始进厂，后续将进行设备调试，预计2026年底至2027年初开始形成产能，整体项目进展符合预期。
特斯拉和英伟达据报道将投资合计3.7万亿韩元（28亿美元），以帮助三星电机扩大韩国的Ajinomoto Build-up Film（ABF）基板生产设施。此举反映了全球科技公司为AI应用获取高性能半导体基板稳定供应的日益增长的努力。
10月23日，据报道，三星电子计划利用印度政府新推出的手机制造计划，提高在印度生产的手机出口量；该计划将为新增出口提供更高补贴。三星正考虑扩大印度产能，包括追加投资。此外，如果全球手机市场因存储芯片成本高企而持续收缩，公司也可能将部分产能从越南等国家转移至印度。上述产能扩张与转移均为计划或考虑中的事项，尚未实施。
宇树科技（Unitree Robotics）G1人形机器人累计产量达10,000至20,000台，并持续扩大其人形机器人生产，但公司仍在产能和人工智能（AI）技术方面面临挑战，同时致力于扩大生产以实现广泛应用。扩产为计划中/进行中的状态，尚未表明挑战已解决。
LG Display在10月22日的第三季度财报电话会议上介绍了其新的OLED图案化工艺FLiPP，并将其定位为对竞争对手大型IT OLED工厂的回应方案，但公司尚未承诺建设产线。高管明确表示："该投资的规模或时机以及生产尚未最终确定"。因此这属于尚未落地的规划/提案，不构成已确认的扩产。
三星电子晶圆代工业务计划于2026年推出第二代8LPU+平台，将其已超过八年的8纳米制程延伸至另一世代。该举措瞄准汽车电子、机器人和边缘AI芯片的需求，同时利用现有深紫外（DUV）产线以控制晶圆成本。此为计划，尚未落地。
Powerchip Semiconductor Manufacturing（PSMC）正急速扩张其3D AI代工业务，评估在台湾、新加坡和日本新建工厂，并探索与客户的战略合资。其产品组合包括集成无源器件（IPD）、中介层、晶圆对晶圆（WoW）技术和晶圆后加工（PWF）服务；随着AI服务器功耗上升，IPD需求预计在2028年前保持可见。扩产为计划阶段，尚无落成或量产事实。
德国默克计划将二氧化钼二氯（MoO₂Cl₂）前驱体的应用从NAND闪存扩展至DRAM和逻辑半导体。默克电子薄膜材料业务高级副总裁Bing Han在10月21日于江南Sono Felice Samsung举行的记者会上表示，随着器件结构微缩，铜和钨的导电性问题将推动钼的更多采用。默克已在忠清北道阴城建成了钼前驱体生产设施，该设施将与其在安山的材料输送系统（CHEMKEEPER Vapor 200）整合，以交钥匙方案形式提供。该扩建使用2023年收购的M Chemicals现有工厂附近的土地，此前该场地生产铪基高介电常数前驱体；建设于2024年开始，设施在两年内具备运营条件。Han表示规划中的产能足以满足韩国客户的全部需求，但公司未披露具体产能或投资数字，并计划最终将支持范围扩展到亚洲各地客户。背景方面：三星电子已于2024年在其200层NAND中采用钼，SK海力士也在其300层NAND中用钼替换了部分字线材料；Lam Research、东京电子和应用材料是钼沉积设备供应商。Hein表示正与客户评估产能，以应对半导体材料消耗量未来五年内可能翻倍的情况。
LG Display在10月22日举行的第三季度业绩电话会议上表示，公司计划根据电视和显示器市场需求及内部最优生产组合，逐步重启闲置的OLED面板产能，理由是对大尺寸OLED面板的需求增加、运营设施稼动率持续上升。公司预计2026年大尺寸OLED面板出货量同比增长约20%，达到700万片区间的上限，该数字包括电视和显示器面板；其中显示器面板预计占2026年总出货量约20%，高于2025年的低十几百分比区间。LG Display预计凭借WOLED技术的游戏显示器产品线，大尺寸OLED业务在2027年将继续增长，同时计划提高现有生产基础设施利用率并降低制造成本。第四季度方面，公司预计面板总出货面积环比增长约10%（受季节性需求带动），但由于半导体和原材料价格上涨以及终端需求的不确定性，单位面积平均售价的涨幅预计仅为低个位数百分比。
英特尔表示，位于美国亚利桑那州钱德勒市奥科蒂洛园区的Fab 62已进入设备安装阶段，厂房建设和生产设备进场正同步进行，公司预计该厂在2028年底前开始运营；英特尔代工部门首席技术与运营官纳迦·钱德拉塞卡兰称这是公司在奥科蒂洛园区的第六座高产能制造厂。Fab 62的具体制程尚未公布，英特尔尚未确认任何方案，也未公布该厂产能和客户安排；作为参照，相邻的Fab 52已采用18A制程生产，18A采用RibbonFET全环绕栅极晶体管与PowerVia背面供电技术，英特尔称其已于2025年进入高产量生产。美国扩产计划还在其他地区推进：俄亥俄州新奥尔巴尼的Ohio One园区已为首座晶圆厂安装第一根大型结构桁架，加州圣克拉拉的新光罩制造设施已举行奠基。另据CNBC报道，英特尔正与SK海力士洽谈，可能将俄亥俄州未完工厂区的一部分出租用于在美国生产存储芯片，双方均未证实这项谈判，具体租赁范围和计划也尚未公布。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |