SECO 模块化视觉 10.1 MX95 进入大规模生产
SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
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SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
台湾半导体封装设备供应商E&R Engineering Corp.宣布开设其马来西亚子公司E&R Semiconductor (MALAYSIA) SDN. BHD.,以扩大封装材料产能。新厂房目前正在进行样品测试与认证,公司称量产预定于明年年初正式启动。该厂预计创造50个本地就业机会,并加强E&R在东南亚的供应能力,为半导体及OSAT客户提供实时技术支持与供应链灵活性。总裁KS Chen表示,开设马来西亚厂房是其载带业务全球布局的里程碑,为应对东南亚客户需求增长,公司将部分生产重心转移至马来西亚并扩大产能。厂长总经理AK Ong称新设施落成使其能更贴近客户提供实时支持。此为计划中的扩产,量产尚未开始。
台积电在10月15日的投资者说明会上宣布,计划在台湾台南新建一座3nm晶圆厂,生产预计于2028年上半年开始。台积电董事长兼CEO魏哲家表示,公司预计未来数年对3nm芯片的需求强劲。该新厂加入已在南部科学园区建设中的另一座3nm厂,后者预计2027年上半年开始量产。海外方面,魏哲家称亚利桑那3nm厂进度超前,设备正在安装,生产定于2027年第三季度开始;日本熊本第二座晶圆厂也将采用3nm工艺,预计2028年开始量产。为支撑3nm需求,台积电正将部分5nm产能转为3nm,并据《自由时报》报道在7nm、5nm和3nm工艺间优化产能。据台南市政府新闻稿,台积电自进驻南部科学园区以来已在该市建成20座晶圆厂及封装测试设施,在台南投资超过1.86万亿新台币(约570亿美元),创造超过11,300个直接就业机会;台积电还已在安定区市有土地上开建一座2nm厂,这是该公司首次在地方政府所有的土地上建厂。台积电与市政府均未披露新3nm厂的投资规模或产能。
华丰科技拟投资约3.62亿元建设高速线模组扩产项目(二期)。该消息为拟建/计划中的扩产项目,原文未说明项目动工时间、建设周期、产能规模或达产时间等细节,也未说明扩产原因。
据公开报道,闻泰科技旗下安世中国通过与中国战略合作伙伴达成合作,已实现MOSFET、逻辑IC等产品在12英寸晶圆平台升级;在晶体管与保护器件方面,部分产品已成功实现12英寸晶圆工艺平台的研发和量产,为全球首家掌握该项核心技术与生产能力的企业,12英寸单片有效芯片产出较8英寸提升约2.2至2.4倍,车规器件交付周期由12至16周压缩至4至6周。文章并援引中国汽车工业协会数据称,传统燃油车单车所需芯片约600至700颗,电动车约1600颗,智能汽车提升至3000颗左右,新能源汽车功率半导体单车价值量约为传统燃油车的2至3倍;在功率半导体行业整体供需偏紧、价格上行的背景下,本土晶圆直供与东莞封测构成的供应链闭环使MOSFET、逻辑IC等产品的本土交付确定性显著增强。原文未说明原因。
据天眼查App显示,近日长鑫集电(北京)存储技术有限公司发生工商变更,注册资本由约508.5亿人民币增至约601.8亿人民币,增幅约18%。该公司成立于2016年8月,法定代表人为赵纶,经营范围含集成电路设计、集成电路芯片及产品制造、集成电路制造等,由长鑫科技集团股份有限公司、北京亦庄国际投资发展有限公司、国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司、北京亦庄科技有限公司、北京屹唐科技有限公司共同持股。原文未说明增资原因,亦未披露产能或投资具体用途。
据报道,丰田汽车计划从2028年起在中国合资工厂生产下一代卡罗拉,新车将首次采用兼容混动、纯电和燃油的"多路径平台",同一条产线可根据市场需求灵活切换动力类型。该决策的背景是丰田在中国市场面临持续压力:今年8月,丰田及雷克萨斯在华销量同比暴跌22.8%至11.8万辆,全球销量同比下降6.4%至79万辆,已连续第七个月下滑;中国本土新能源品牌快速蚕食市场份额,丰田急需通过降低制造成本提升价格竞争力。选择中国而非日本或欧洲作为生产基地的核心逻辑是成本:中国已形成全球最密集的汽车供应链和最具竞争力的能源成本结构,丰田在华运营合资工厂已超过二十年。下一代卡罗拉已于2025年秋季东京移动出行展以概念车形式亮相,量产版预计2027年底至2028年初正式发布;据此前披露,新车将搭载全新1.5L四缸混动引擎,油耗有望突破30km/L,同时提供Turbo、PHEV及BEV纯电版本,丰田还计划应用一体化压铸技术进一步降低制造成本和车身重量。
FICG位于马来西亚柔佛的厂区设有八条SMT产线,将生产用于AI基础设施和数据中心的高速光模块。原文未说明原因,也未提及具体扩产量或时间表。
据上海超导公众号,10月18日(年份未注明),正值公司成立十五周年之际,其二代高温超导带材及总部基地项目主体建筑全面封顶,标志着这一全球超导领域规划产能最大的项目正式从建设阶段转入产线组装与设备调试阶段。该项目为2025年上海市重大工程,于2025年6月29日开工,选址上海市康桥工业区东区,占地92.62亩,设计年产能1.5万公里;建成达产后,上海超导总产能将提升至2万公里/年,位居全球第二代高温超导带材细分领域第一。目前上海超导年产能已达4000公里/年(12mm),是全球唯二实际年出货量超1000公里的超导带材企业之一。三期基地将投产全球首创的三公里大长度高温超导带材产线,计划于2027年一季度产出产品;标题将该投产表述为“明年”,与正文所载计划时间(2027年一季度)在原文中并存,均为计划状态,实际产出尚未实现。
台积电董事长兼CEO魏哲家在近期投资者电话会议上表示,评估需求超过可用供给,公司正通过新建工厂、设备转换、生产率提升和跨技术代际的柔性制造来应对。第三季度营收达467亿美元,并以美元计预计2026年营收增长约44%(此为预测而非已实现结果)。台积电描述全球有近20座晶圆厂处于开发中,包括尖端制造和先进封装项目;公司还预计其N2技术家族的年产能将在2027年增加逾一倍(预期)。魏哲家称,尽管历史惯例是在一个技术代达到目标规模后避免进一步扩产,公司仍在扩大3纳米产能。台积电列出了台湾、亚利桑那和日本的制造计划,并对得克萨斯州进行初步评估;魏哲家将美国扩张与客户要求联系起来,并表示制造地点可能影响定价。他还指出后端封装产能存在一些短缺,并提到与GlobalFoundries的合作;同时公司团队正在核查美国数据中心建设和电力供应情况,因芯片部署依赖基础设施。魏哲家并警告,元器件价格上涨和经济不确定性正给消费者和价格敏感市场带来压力。
台湾计划在美国设立工业园区,以协助其供应商生态系统接触到Nvidia及其他当地硬件制造商等客户,园区建设将首先在得克萨斯州展开,该州已成为台湾科技企业扩张计划的热点地区。此为计划性质,园区尚未建成。
据IT之家10月16日消息,消息源@smashx_60于10月14日在X平台爆料称,HMD Global正酝酿战略收缩,拟逐步退出部分市场并全面减产硬件产品线,调整后将聚焦特定区域市场,资源重心向利润空间更高的企业与工业(Enterprise / Industrial)垂直领域倾斜,后续可能难见HMD全球旗舰新品发布。该爆料属传闻性质,原文未说明正式决定或执行情况。背景:HMD自2016年从微软手中接过诺基亚手机品牌为期10年的全球独占授权;2023年8月双方通过补充协议将智能手机与平板的排他性授权截止日锁定在2026年3月;HMD目前已不再生产新款诺基亚智能手机,全面转向自有品牌“HMD”;消息称双方已在2026年到期基础上签署续约协议,将功能机授权(如3310、105等复刻版)延长约3年至2029年。原文给出的背景原因是,在苹果与三星等巨头产品热销的竞争下,诺基亚品牌智能手机在消费市场始终未能跻身主流。
据IT之家10月15日援引路透社今日报道,SK海力士正计划以在美国新建NAND工厂的方式,向美国政府换取为中国大连工厂引进更多美国制造半导体设备的许可。两名知情人士称,SK海力士希望通过提升中国工厂产能为美国新工厂提供资金,并逐步扩大美国生产布局。SK海力士旗下美国子公司Solidigm希望在大连工厂尚未充分利用的厂房区域(厂区名Mod B,2023年建成,因当时存储市场低迷设备安装未完成)安装更多设备用于生产NAND闪存;该区域目前已安装部分设备,仍有空间容纳更多生产工具,Solidigm已申请出口许可证采购额外设备。SK海力士表示Mod B的设备安装正与美国政府密切协商并在获得授权的情况下进行,同时强调目前并未寻求扩大大连Mod B的产能;Solidigm拒绝置评。路透社9月曾报道Solidigm考虑在美国建设NAND闪存工厂,纽约州北部为主要候选地点之一;另一名知情人士称Solidigm正考虑最早于2027年进行IPO以筹集可能用于新工厂建设的资金。报道还提及美国政府正推动SK海力士、三星电子等海外半导体企业赴美建厂;人工智能和云计算数据中心需求增长、全球存储芯片供应趋紧、NAND闪存价格持续上涨,促使相关厂商考虑扩大生产。此外,SK海力士还在与英特尔洽谈租用其俄亥俄州半导体制造设施的部分空间,并已在印第安纳州启动一座主要面向HBM产品的先进封装工厂建设。大连工厂设备来自泛林集团(Lam Research)、应用材料(Applied Materials)和科磊(KLA)等美国厂商。
台积电已派出团队评估得克萨斯州扩厂的可能性,并确认正与Terafab进行谈判。台积电CEO魏哲家强调“晶圆厂必须由台积电运营”,而Elon Musk则表示其公司将建造并运营Terafab,双方在运营权归属上存在分歧。该扩厂评估仍属潜在计划,谈判结果及最终运营方均未确定。原文未说明原因。
日本计划向GlobalFoundries投资最高210亿美元,在纽约州马耳他地区建设两座300mm半导体晶圆厂。首笔约100亿美元投资将用于加速第一座300mm晶圆厂的建设,该厂预计将在2029年投产,年产能约90万片300mm晶圆;第二座厂需再投约100亿美元,产能相当。两座厂合计将显著提升美国半导体制造能力,并预计创造约2.7万名建设及生态链岗位以及超过1000名高技术制造岗位。此举是日本向美国投资5500亿美元协议的一部分,作为回报,美国将对日本汽车等进口的关税从至少25%降至15%。目前该投资仍处于规划阶段。
据报道,SK海力士正寻求与华盛顿达成特殊安排,希望获得美国批准,向中国工厂出口更多美国制造的半导体设备,并将该许可作为推进美国新晶圆厂计划的重要前提;此安排尚需美国批准,尚未获批。SK海力士旗下美国子公司Solidigm正申请新的出口许可,希望将更多美国半导体设备运往位于中国大连的NAND闪存生产基地,该厂主要生产用于数据中心固态硬盘、应用于人工智能和云计算基础设施的NAND产品,现有设备来自泛林集团、应用材料和科磊等美国供应商。大连厂区“Mod B”生产区域早在2023年已建成,但因当时存储市场低迷部分设备未完成安装,仍有扩产空余空间;SK海力士强调目前并未寻求扩大Mod B的设计产能,而是在既有设施范围内完善设备配置,设备安装正在与美国政府协商并获授权情况下进行。知情人士称,增加大连产出可为未来美国工厂提供更稳定资金来源并在美国新产能投产前承担过渡性供应;新建NAND晶圆厂需数年时间和数十亿美元投资,路透社此前报道Solidigm正评估在美国兴建新NAND工厂,纽约州北部为潜在选址之一。Solidigm还在研究最早于明年启动IPO的可能性,募集资金有望支持美国新厂建设。TechInsights分析师Walt Coon表示,随着AI数据中心需求激增、供应趋紧,NAND价格自2023年中期以来已上涨约七倍,未来几年供需紧张预计持续。原文未说明大连扩产申请以外事件的直接原因;公司层面原因是全球存储芯片供应趋紧和价格上涨背景下利用大连未完全开发的生产空间。
化工溶剂经销商Yuan Jen Enterprises正积极扩展其电子材料业务。公司董事长Yuan-Jen Hsu表示,公司于2025年9月成立了专门的电子材料事业部(Electronic Materials Division),聚焦半导体周边材料。除现有的电子级双氧水(hydrogen peroxide)、电子级异丙醇(IPA)和丙酮(acetone)产品组合外,公司正积极寻求下一代半导体材料的机会,并将先进封装与特种线材材料作为主要增长方向。原文未说明任何已落地的产能或投资项目细节,该业务扩展属于公司的计划/目标。
美国晶圆代工企业格罗方德(GlobalFoundries)宣布,将在纽约州建设并运营两座新的半导体制造工厂,新工厂将落户纽约州马耳他市(Malta)现有芯片制造园区附近,以扩大美国本土芯片生产能力,并满足汽车、工业控制、航空航天、国防以及人工智能等领域不断增长的需求。该项目是格罗方德长期扩产计划的重要组成部分,旨在提升关键成熟制程和特色工艺芯片的供应能力,新设施建成后将进一步补充其目前在纽约运营的制造基地产能。格罗方德首席执行官表示,公司正在与客户、政府部门以及产业伙伴合作,以确保未来数年具备充足的制造能力。文章指出,项目具体投资规模、建设时间表以及未来产能规划预计将在后续阶段进一步公布,即目前仍处于计划阶段。
GlobalFoundries 已被选中在纽约马耳他地点运营两座新的 300mm 晶圆厂,融资来自日本,最高达 210 亿美元,依据美日贸易协议;首座晶圆厂预计将在 2029 年投产,2026 年底前动工,每座晶圆厂投产后每年将增加约 90 万片 300mm 晶圆至美国产能。美国政府将取得约 4% 的股权,且 GlobalFoundries 将把现有 CHIPS 法案奖励中的 9.55 亿美元重新分配用于马耳他和佛蒙特州伯灵顿的硅光子、SiGe 和先进封装投资。客户包括瑞萨电子、苹果、Cirrus Logic、通用汽车和东京电子,瑞萨视该产能为其自身产能的延伸。
TDK计划扩展其用于汽车PoC(Power over Coax)滤波器的1608电感器产品(原文未说明原因)。该消息属于扩张计划类信息,尚无已完成或已实施的表述,原文未提供具体产能数字、时间表或其他细节。
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全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |